【技术实现步骤摘要】
一种用于生产半导体器件蚀刻系统
[0001]本专利技术涉及半导体、光伏产业中的硅片蚀刻
，具体为一种用于生产半导体器件蚀刻系统。
技术介绍
[0002]在半导体器件制造过程中，常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案，这些图案主要的形成方式，乃是藉由蚀刻技术，将微影后所产生的光阻图案忠实地转印至光阻下的材质上，因此蚀刻技术在半导体制造过程中占有极重要的地位，并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除，而达到蚀刻的目的，湿式蚀刻的进行主要是藉由溶液与待蚀刻材质间的化学反应，因此可藉由调配与选取适当的化学溶液，得到所需的蚀刻速率，以及待蚀刻材料与光阻及下层材质良好的蚀刻选择比。
[0003]现有的蚀刻系统存在的缺陷是：
[0004]1、专利文件CN216541399U，公开了一种二维码蚀刻系统，包括传送机构、喷涂机构、风干机构、雕刻机构和称重机构，喷涂机构包括涂料桶、输送管和喷头，涂料桶与传送机构固定连接，输送管与涂料桶连通，喷头与输送管连通，输送管将涂料桶内的耐热涂料输送至喷头，喷头将耐热涂料喷涂至传送机构传送的金...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于生产半导体器件蚀刻系统，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的顶部安装有支撑柱(2)，所述支撑柱(2)的顶部安装有储物箱(3)；所述储物箱(3)的内表面安装有保温层(4)，所述储物箱(3)的顶部贯穿设置有溢流式冲水槽(5)和恒温液槽(6)，且溢流式冲水槽(5)位于恒温液槽(6)的一侧，所述储物箱(3)的顶部中心处设置有置物孔(8)，且置物孔(8)呈长条状，所述置物孔(8)位于溢流式冲水槽(5)和恒温液槽(6)的中间，所述储物箱(3)的顶部设置有前后布置的置物槽(7)，所述置物孔(8)位于置物槽(7)的中间，两组所述置物槽(7)的内部均嵌合安装有挡块(9)，两组所述挡块(9)相互靠近的表面安装有集液框(10)，且集液框(10)与置物孔(8)相嵌合；两组所述挡块(9)的顶部安装有拉杆(11)，且拉杆(11)呈“L”字形。2.根据权利要求1所述的一种用于生产半导体器件蚀刻系统，其特征在于：所述溢流式冲水槽(5)和恒温液槽(6)的底壁均安装有鼓泡板(35)，其中一组鼓泡板(35)的顶部安装有置物套(13)，置物套(13)的内部滑动安装有承片架(12)，承片架(12)的顶部中心处安装有连接套(14)，承片架(12)的顶部设置有插槽(15)，且插槽(15)位于连接套(14)的外侧，插槽(15)的内部嵌合安装有插块(16)，插块(16)的顶部安装有顶盖(17)，承片架(12)和顶盖(17)的外表面均安装有连接板(18)，且两组连接板(18)交错分布。3.根据权利要求2所述的一种用于生产半导体器件蚀刻系统，其特征在于：所述连接套(14)的内部螺纹安装有连接杆(19)，底座(1)的顶部安装有对称布置的支撑杆(20)，且支撑杆(20)位于支撑柱(2)的两侧，其中一组支撑杆(20)的顶部安装有置物框(21)，置物框(21)的一侧内壁通过轴件安装有往复丝杆(24)，往复丝杆(24)的外表面滑动安装有滑套，滑套的外表面安装有第一置物箱(25)，第一置物箱(25)的底壁安装有液压推杆(26)，液压推杆(26)的输出端贯穿第一置物箱(25)的底壁安装有第二置物箱(27)，第二置物箱(27)的底壁安装有转动电机(28)，且转动电机(28)的输出端与连接杆(19)的顶端相连接。4.根据权利要求2所述的一种用于生产半导体器件蚀刻系统，其特征在于：所述储物箱(3)的一侧外壁贯穿安装有第一出液管(29)和第一进液管(30)，且第一出液管(29)位于第一进液管(30)前方，保温层(4)的内表面安装有冷却箱(31)，且冷却箱(31)的底部与其中一组鼓泡板(35)的顶部相接触，冷却箱(31)位于承片架(12)的外侧，冷却箱(31)的顶部安装有第二出液管(33)和第二进液管(32)，且第二出液管(33)位于第二进液管(32)后方。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的一种用于生产半导体器件蚀刻系统，其特征在于：所述置物槽(7)和置物孔(8)的连接截面...
【专利技术属性】
技术研发人员：王黎明，
申请(专利权)人：江苏晟驰微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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