共轭聚合物半导体材料的室温类Suzuki交叉偶联聚合方法技术

本发明专利技术提供了一种共轭聚合物半导体材料的室温类Suzuki交叉偶联聚合方法，在室温条件下，采用惰性氮气保护，在Pd(PPh3)4和CuMeSaI催化剂的作用下，将芳基二硫醚和芳基二硼酸(酯)(若底物为芳基二硼酸酯则以叔丁醇锂作为添加剂)置于四氢呋喃中，在室温条件下进行反应，得到共混物，将混合物减压浓缩，倒入醇中沉淀过滤，并将沉淀物进行有机溶剂提取，再醇沉淀后制得。采用本发明专利技术制备的聚合物材料可以应用于细胞成像和光热、光动力治疗等领域。光动力治疗等领域。光动力治疗等领域。

【技术实现步骤摘要】
共轭聚合物半导体材料的室温类Suzuki交叉偶联聚合方法

：
[0001]本专利技术涉及有机高分子量D
‑
A共轭聚合物合成的
，具体涉及一种基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法。

技术介绍
：
[0002]在有机电子器件使用的许多聚合物中，噻吩(包括其环化衍生物)作为一种不可或缺的单元至关重要，近年来开发的合成方法允许使用更为复杂的噻吩衍生物单元(例如PTQ10，PM6)。传统噻吩基D
‑
A共聚合物的合成方法为Stille、直接芳基化聚合等，传统直接芳基化聚合需要在高温反应条件下得到聚合物，此做法不仅能耗高，更有可能会使共聚物产生结构缺陷，并且传统Stille反应更是涉及剧毒有机锡化物。而Suzuki反应采用有机硼酸(酯)作为偶联底物，具有环境友好，低毒性的优点，对于富电子噻吩硼酸(酯)底物具有严重的脱硼问题，导致Suzuki聚合分子量难以提升，无法实现高效聚合。
[0003]其次，传统聚合方法大多用的是有机卤代物与有机金属试剂偶联得到聚合物，离去基团不友好。相较于有机卤代物，在天本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：以芳基二硫醚为亲核试剂，芳基二硼酸(酯)为亲电试剂，在催化剂条件下制备二芳基偶联聚合物，所述的催化剂为四三苯基膦钯Pd(PPh3)4，3
‑
甲基水杨酸亚铜CuMeSaI。2.根据权利要求1所述的基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：结构通式如下所示。其中，CuMeSaI的结构式为：3.根据权利要求1所述的基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：制备二芳基偶联聚合物的步骤如下：在惰性氮气氛围下，催化剂为Pd(PPh3)4和CuMeSaI，芳基二硫醚和芳基二硼酸(酯)为单体，室温下发生交叉偶联，逐步聚合得到聚合物；聚合物经过醇沉淀后，再经有机溶剂提取，再经醇沉淀获得交替共轭聚合物。4.根据权利要求3所述的基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：有机溶剂提取步骤为：将沉淀物采用索氏提取器通过丙酮、正己烷及三氯甲烷分别进行提取。5.根据权利要求3所述的基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：具体反应条件为:将1当量的芳基二硫醚、1当量的芳基二硼酸(酯)、Pd(PPh3)4(10mol％)、5当量的CuMeSaI，放入反应瓶中；芳基二硫醚：芳基二硼酸(酯)：CuMeSaI物质的量比为1:1
‑
3:3
‑
6置换氮气三次后，加入无水四氢呋喃，使溶液总物质浓度保持在0.05M；室温搅拌72小时后，加入甲醇析出沉淀物，过滤之后，将滤饼依次分别用丙酮、正己烷和三氯甲烷进行索氏提取，三氯甲烷提取液浓缩后用甲醇析出沉淀，沉淀过滤、干燥之后，即为目标聚合物。6.根据权利要求3所述的基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：所述底物芳基二硼酸(酯)为芳基硼酸酯时，反应体系中同时加入5当量的叔丁醇锂。7.根据权利要求1
‑
5之一所述的基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：所述的芳基二硫醚为以下化合物之一：
其中，R,R1,R2,R3为独立的氢或C1‑
C
30
的烷基，碳原子总数为6
‑
16的直链烷基，或碳原子
总数为8
–
30的支链烷基。8.根据权利要求7所述的基于芳基双硫醚与芳基二硼酸(酯)的交叉偶联室温聚合方法，其特征在于：所述R,R1,R2,R3为碳原子总数为6
‑
16的直链烷基包括：正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基；或所述R,R1,R2,R3为碳原子总数为8
–
30的支...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉，史钦钦，文轩，
申请(专利权)人：中国科学院大学，
类型：发明
国别省市：