一种三基色Micro-LED芯片的转移方法技术

本发明专利技术属于半导体显示技术领域，公开了一种三基色Micro

【技术实现步骤摘要】
一种三基色Micro
‑
LED芯片的转移方法


[0001]本专利技术属于半导体显示
，更具体地，涉及一种三基色Micro
‑
LED芯片的转移方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED芯片是指尺寸减至小于50μm的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片。在基于Micro
‑
LED芯片的高分辨率显示器件中，每个Micro
‑
LED相当于一个像素点，可单独定址、点亮。与现有的LCD、OLED等显示技术相比，Micro
‑
LED显示具有低功耗、高亮度、高效率、响应时间短、寿命长、超高分辨率和色彩饱和度等优点，在高分辨率显示、光通信、微型投影仪和可穿戴电子设备等领域具有十分重要的应用前景。
[0003]然而，目前Micro
‑
LED显示器件仍一些亟待解决的问题，其中巨量转移技术是主要的瓶颈之一。Micro
‑
LED芯片巨量转移技术即如何批量地将尺寸为微米量级的芯片选择性地转移到目标衬底上。直径为2英寸的LED晶圆片上包含数百万颗Micro
‑
LED芯片，现有的单颗拾取转移设备的效率已不再适用，需要实现大量、高速、准确地转移Micro LED芯片。如何实现高效率和低成本的巨量转移是目前主要研究的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术通过提供一种三基色Micro
‑
LED芯片的转移方法，解决现有技术中Micro
‑
LED芯片巨量转移的效率较低、成本较高的问题。
[0005]本专利技术提供一种三基色Micro
‑
LED芯片的转移方法，包括以下步骤：
[0006]步骤1：取施主基板，所述施主基板的第一表面上设置有单色的Micro
‑
LED芯片阵列；
[0007]步骤2：取临时衬底，将所述临时衬底贴合在所述施主基板上，使所述临时衬底与所述施主基板上的所述Micro
‑
LED芯片阵列紧密接触；使用激光选择性地辐照所述施主基板与所述Micro
‑
LED芯片阵列的界面，使所述Micro
‑
LED芯片阵列与所述施主基板分离；将所述临时衬底从所述施主基板上揭离，所述Micro
‑
LED芯片阵列被转移至所述临时衬底上；
[0008]步骤3：取受主基板，所述受主基板上布设有驱动电路；在所述受主基板的表面滴加乙醇和盐水的混合物；将所述临时衬底贴合在所述受主基板上，使所述Micro
‑
LED芯片阵列与所述受主基板上的所述驱动电路精确对位并紧密接触；对所述乙醇和盐水的混合物进行降温处理，降温后的所述乙醇和盐水的混合物形成胶体，所述胶体连接所述受主基板与所述Micro
‑
LED芯片阵列；
[0009]步骤4：将所述临时衬底从所述受主基板上揭离，所述Micro
‑
LED芯片阵列被转移至所述受主基板上；利用去离子水清洗所述受主基板，以去除所述胶体，然后将多余的去离子水蒸发，完成单色的Micro
‑
LED芯片阵列的转移；
[0010]步骤5：重复步骤1
‑
步骤4，分批次地完成红光、绿光、蓝光三种单色的Micro
‑
LED芯片阵列的转移，实现三基色Micro
‑
LED芯片的转移。
[0011]优选的，通过所述临时衬底与所述施主基板相互摩擦产生的范德华力，使所述临时衬底与所述施主基板上的所述Micro
‑
LED芯片阵列紧密接触；所述临时衬底与所述施主基板相互摩擦的速度为3mm/s～4mm/s，摩擦作用时间为10s～15s。
[0012]优选的，所述临时衬底采用聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的一种。
[0013]优选的，所述受主基板的衬底材料采用柔性材料或抗弯曲刚性材料；所述柔性材料采用聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的一种，所述抗弯曲刚性材料采用玻璃或硅。
[0014]优选的，所述乙醇为纯度高于的99.5％的无水乙醇，所述盐水为饱和盐水。
[0015]优选的，通过自然降温凝固的方式，使所述乙醇和盐水的混合物降温至0℃左右，直至出现胶体。
[0016]优选的，通过所述胶体与所述受主基板间的粘附力大于所述临时衬底与所述Micro
‑
LED芯片阵列间的作用力，将所述Micro
‑
LED芯片阵列从所述临时衬底转移至所述受主基板上。
[0017]优选的，通过电场辅助凝固的方式，使所述乙醇和盐水的混合物降温至0℃，形成胶体；所述电场辅助凝固对应的电场强度为1.0
×
104V/m～1.0
×
106V/m，施加的电压时间为400s～600s。
[0018]优选的，通过低温蒸发或真空蒸发的方式，将多余的去离子水蒸发。
[0019]本专利技术中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0020]在本专利技术中，针对单色的Micro
‑
LED芯片阵列，先将Micro
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LED芯片阵列从施主基板上转移至临时衬底上，然后在受主基板上滴加乙醇和盐水的混合物，之后将受主基板上布设的驱动电路与Micro
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LED芯片阵列精准接触，降温后的乙醇和盐水的混合物形成胶体，利用该胶体连接受主基板与Micro
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LED芯片阵列，最后将临时衬底从受主基板上揭离，利用去离子水清洗受主基板，以去除胶体，然后将多余的去离子水蒸发，完成单色的Micro
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LED芯片阵列的转移；然后重复上述方法，分批次地完成红光、绿光、蓝光三种单色的Micro
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LED芯片阵列的转移，实现三基色Micro
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LED芯片的转移。本专利技术提供了一种新的Micro
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LED芯片阵列的转移方法，利用该方法能够实现Micro
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LED芯片巨量转移。本专利技术能够将Micro
‑
LED芯片大规模、高效率且准确地转印至刚性基板或柔性基板上，实现Micro
‑
LED芯片的集成。
附图说明
[0021]图1是Micro
‑
LED芯片的结构示意图；其中，图1(a)为绿光/蓝光Micro
‑
LED芯片的结构示意图，图1(b)为红光Micro
‑
LED芯片的结构示意图；
[0022]图2是本专利技术实施例提供的一种三基色Micro
‑
LED芯片的转移方法中施主基板、设置在施主基板第一表面上的Micro
‑
LED芯片阵列的示意图；
[0023]图3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三基色Micro
‑
LED芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：取施主基板，所述施主基板的第一表面上设置有单色的Micro
‑
LED芯片阵列；步骤2：取临时衬底，将所述临时衬底贴合在所述施主基板上，使所述临时衬底与所述施主基板上的所述Micro
‑
LED芯片阵列紧密接触；使用激光选择性地辐照所述施主基板与所述Micro
‑
LED芯片阵列的界面，使所述Micro
‑
LED芯片阵列与所述施主基板分离；将所述临时衬底从所述施主基板上揭离，所述Micro
‑
LED芯片阵列被转移至所述临时衬底上；步骤3：取受主基板，所述受主基板上布设有驱动电路；在所述受主基板的表面滴加乙醇和盐水的混合物；将所述临时衬底贴合在所述受主基板上，使所述Micro
‑
LED芯片阵列与所述受主基板上的所述驱动电路精确对位并紧密接触；对所述乙醇和盐水的混合物进行降温处理，降温后的所述乙醇和盐水的混合物形成胶体，所述胶体连接所述受主基板与所述Micro
‑
LED芯片阵列；步骤4：将所述临时衬底从所述受主基板上揭离，所述Micro
‑
LED芯片阵列被转移至所述受主基板上；利用去离子水清洗所述受主基板，以去除所述胶体，然后将多余的去离子水蒸发，完成单色的Micro
‑
LED芯片阵列的转移；步骤5：重复步骤1
‑
步骤4，分批次地完成红光、绿光、蓝光三种单色的Micro
‑
LED芯片阵列的转移，实现三基色Micro
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LED芯片的转移。2.根据权利要求1所述的三基色Micro
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LED芯片的转移方法，其特征在于，通过所述临时衬底与所述施主基板相互摩擦产生的范德华力，使所述临时衬底与所述施主基板上的所述Micro...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，孙月昌，施浪，万泽洪，雷宇，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：