一种LED表面结温确定方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种LED表面结温确定方法及系统，涉及LED表面结温领域，方法包括：获取LED表面光谱数据；根据所述LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温。本发明专利技术通过非接触式测量LED的结温提高测量精度。量LED的结温提高测量精度。量LED的结温提高测量精度。

【技术实现步骤摘要】
一种LED表面结温确定方法及系统


[0001]本专利技术涉及LED表面结温领域，特别是涉及一种LED表面结温确定方法及系统。

技术介绍

[0002]传统测量LED表面热学特性的方法如物理直接接触法无法测试较小的器件，峰值波长观测法引起的误差过大，这些缺陷都使得传统测量方法无法有效地分析LED芯片的热学特性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种LED表面结温确定方法及系统，以通过非接触式测量LED的结温提高测量精度。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0005]一种LED表面结温确定方法，包括：
[0006]获取LED表面光谱数据；
[0007]根据所述LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温。
[0008]可选地，所述获取LED表面光谱数据，具体包括：
[0009]利用显微高光谱成像系统获取LED表面光谱数据。
[0010]可选地，所述矩阵模型的确定过程包括：
[0011]获取测试点在不同电流下的表面光谱数据和测试点在不同电流下的表面结温数据；
[0012]根据所述测试点在不同电流下的表面光谱数据和所述测试点在不同电流下的表面结温数据确定矩阵模型的系数信息；所述系数信息包括第一系数、第二系数、第三系数和第四系数；
[0013]根据所述系数信息确定所述矩阵模型。
[0014]可选地，所述矩阵模型的表达式为：
[0015]A＝αI2+βT2+χI+δT+A0[0016]其中，A为矩阵模型，I为电流，T为温度，A0为设定的基准点的系数，α为第一系数，β为第二系数，χ为第三系数，δ为第四系数。
[0017]一种LED表面结温确定系统，包括：
[0018]获取模块，用于获取LED表面光谱数据；
[0019]LED表面结温确定模块，用于根据所述LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温。
[0020]可选地，所述获取模块，具体包括：
[0021]获取单元，用于利用显微高光谱成像系统获取LED表面光谱数据。
[0022]可选地，所述矩阵模型的确定过程包括：
[0023]获取测试点在不同电流下的表面光谱数据和测试点在不同电流下的表面结温数
据；
[0024]根据所述测试点在不同电流下的表面光谱数据和所述测试点在不同电流下的表面结温数据确定矩阵模型的系数信息；所述系数信息包括第一系数、第二系数、第三系数和第四系数；
[0025]根据所述系数信息确定所述矩阵模型。
[0026]可选地，所述矩阵模型的表达式为：A＝αI2+βT2+χI+δT+A0[0027]其中，A为矩阵模型，I为电流，T为温度，A0为设定的基准点的系数，α为第一系数，β为第二系数，χ为第三系数，δ为第四系数。
[0028]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0029]本专利技术获取LED表面光谱数据；根据所述LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温。通过LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温，在不改变LED工作状态的情况下实现结温的测量，从而提高表面结温的确定精度。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术提供的LED表面结温确定方法流程图；
[0032]图2为本专利技术提供的LED表面结温确定方法示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]本专利技术的目的是提供一种LED表面结温确定方法及系统，以通过非接触式测量LED的结温提高测量精度。
[0035]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0036]如图1所示，本专利技术提供的一种LED表面结温确定方法，包括：
[0037]步骤101：获取LED表面光谱数据。其中，所述获取LED表面光谱数据，具体包括：利用显微高光谱成像系统获取LED表面光谱数据。
[0038]步骤102：根据所述LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温。
[0039]在实际应用中，所述矩阵模型的确定过程包括：
[0040]获取测试点在不同电流下的表面光谱数据和测试点在不同电流下的表面结温数据；根据所述测试点在不同电流下的表面光谱数据和所述测试点在不同电流下的表面结温数据确定矩阵模型的系数信息；所述系数信息包括第一系数、第二系数、第三系数和第四系数；根据所述系数信息确定所述矩阵模型。
[0041]本专利技术使用显微高光谱仪与红外热成像仪，采集LED表面芯片各像素点的光谱信息与温度信息，建立用于预测LED芯片表面温度或者LED芯片表面光谱数据的矩阵模型。本专利技术是通过数学模型对LED芯片结温或LED芯片表面光谱数据进行合理推算预测,以此在不改变LED工作状态的前提下实现测试，以弥补传统测试方式的不足。
[0042]如图2所示，本专利技术能够非接触式的测量LED芯片表面温度或者LED表面高光谱数据方法，当可以直接获得LED结温数据时，则可以根据LED结温数据和矩阵模型确定光谱数据。其用途为依据已知的光信号数据推算LED芯片的温度分布，分析LED芯片的热学特性；依据已知的温度信号数据推算LED芯片的光子能量的分布，分析LED芯片的光学特性。该测试方法以显微高光谱测量技术与红外热成像测试技术为基础，利用显微高光谱测试系统测算出LED芯片上各点的光子数，光谱峰值，半波宽等数据，同时通过红外热成像仪采集样品的红外图像，分析并标记出LED芯片表面各点温度数据，找寻各采集点的光谱与温度数据之间的联系；将采集到的图像数据的像素坐标标记为行与列，找寻各行各列光谱数据与温度数据之间的联系；进而以坐标轴为行与列，将采集的温度数据与光子数，光谱峰值等高光谱仪采集数据以及其之间的线性关系各自构建为矩阵，以单测试点数据出发，引申到一维线数据，最终推广到二维面数据，从而建立LED样品散发的光谱数据与其芯片表面结温相关联的理论矩阵模型。
[0043]本专利技术还提供了矩阵模型在实际应用中具体构建过程：
[0044](1)建立各测试点数据之间的联系：实验中，将样品置于稳定的环境下，通过改变不同的影响参数，采集样品各点在不同控制条件下的光谱值数据P，此外，在相同的实验条件下，采集相同坐标点各变量下的温度数据T；定义系数A，系数A即为矩阵模型，构建一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED表面结温确定方法，其特征在于，包括：获取LED表面光谱数据；根据所述LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温。2.根据权利要求1所述的LED表面结温确定方法，其特征在于，所述获取LED表面光谱数据，具体包括：利用显微高光谱成像系统获取LED表面光谱数据。3.根据权利要求1所述的LED表面结温确定方法，其特征在于，所述矩阵模型的确定过程包括：获取测试点在不同电流下的表面光谱数据和测试点在不同电流下的表面结温数据；根据所述测试点在不同电流下的表面光谱数据和所述测试点在不同电流下的表面结温数据确定矩阵模型的系数信息；所述系数信息包括第一系数、第二系数、第三系数和第四系数；根据所述系数信息确定所述矩阵模型。4.根据权利要求1所述的LED表面结温确定方法，其特征在于，所述矩阵模型的表达式为：A＝αI2+βT2+χI+δT+A0其中，A为矩阵模型，I为电流，T为温度，A0为设定的基准点的系数，α为第一系数，β为第二系数，χ为第三系数，δ为第四系数。5.一种LED表面结温确定系...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈焕庭，张文杰，陈耀庭，李以华，甘沁雨，陈同杰，
申请(专利权)人：闽南师范大学，
类型：发明
国别省市：