MicroLED封装方法、结构技术

技术编号:34766305 阅读:30 留言:0更新日期:2022-08-31 19:17
本发明专利技术提供一种MicroLED封装方法、结构,该封装方法包括:S101:将发光芯片固定在凹槽内,形成贴合凹槽开口的第一绝缘层,基板为透明基板;S102:在第一绝缘层上形成与电极接触的第一通孔,形成导电层,刻蚀导电层形成导电线路,判断第一绝缘层、导电线路形成的发光控制层的层数是否满足预设条件,若是,则执行S103,若否,则形成新的第一绝缘层,执行S102,其中,新的第一绝缘层覆盖导电线路;S103:在位于MicroLED最顶部的导电线路远离第一绝缘层一侧形成第二绝缘层、保护层。本发明专利技术缩减了MicroLED体积,降低了制造难度,提升了产品良率,并且减轻了光被遮挡的问题,提升了发光强度和发光效果,且增强了MicroLED的气密性。且增强了MicroLED的气密性。且增强了MicroLED的气密性。

【技术实现步骤摘要】
MicroLED封装方法、结构


[0001]本专利技术涉及半导体显示装置
,尤其涉及一种MicroLED封装方法、结构。

技术介绍

[0002]MicroLED(微米发光二极管)技术,即LED微缩化和矩阵化技术;指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED尺寸,如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,将像素等级由毫米级降低至微米级。MicroLED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点,而且还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。
[0003]MicroLED常见的主结构中是在通过硅胶等树脂封装在基板上,将单颗已封装好封装的LED芯片通过导线与线路板相连形成MicroLED,这种通过导线连接的结构气密性差,增加了MicroLED体积,加大了制造难度,降低了产品良率,并且由于硅胶的遮挡降低了发光强度,难以提升发光效果。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足,本专利技术提出一种MicroLED封装方法、结构,将发光芯片容置在透明基板的凹槽,并使发光芯片的电极与凹槽上的第一绝缘层相对,利用导电层填充通孔的方式连接导电层、电极,并刻蚀导电层形成导电线路,避免了需要使用导线连接芯片与线路板的问题,缩减了MicroLED体积,降低了制造难度,提升了产品良率,并且通过将发光芯片容置在透明凹槽中的方式,减轻了光被遮挡的问题,提升了发光强度和发光效果,且增强了MicroLED的气密性。
[0005]为解决上述问题,本专利技术采用的一个技术方案为:一种MicroLED封装方法,所述MicroLED封装方法包括:S101:在基板上形成容置发光芯片的凹槽,将所述发光芯片固定在所述凹槽内,形成贴合凹槽开口的第一绝缘层,并使所述发光芯片的电极与所述第一绝缘层相对,所述基板为透明基板;S102:在所述第一绝缘层上形成与所述电极接触的第一通孔,形成覆盖所述第一绝缘层远离所述凹槽一侧并填充所述通孔的导电层,刻蚀所述导电层形成导电线路,判断所述第一绝缘层、导电线路形成的发光控制层的层数是否满足预设条件,若是,则执行S103,若否,则在所述导电线路远离所述凹槽的一侧形成新的第一绝缘层,并在新的第一绝缘层上执行S102,其中,新的第一绝缘层覆盖所述导电线路;S103:在位于MicroLED最顶部的导电线路远离所述第一绝缘层一侧形成第二绝缘层、保护层,所述第二绝缘层部分覆盖所述导电线路,所述保护层位于导电线路未覆盖所述第二绝缘层的区域。
[0006]进一步地,所述将所述发光芯片固定在所述凹槽内的步骤具体包括:向所述凹槽内加入粘胶,通过所述粘胶固定在所述发光芯片。
[0007]进一步地,所述粘胶为透明粘胶,并填充所述凹槽与发光芯片之间的空隙。
[0008]进一步地,所述形成贴合凹槽开口的第一绝缘层的步骤具体包括:形成第一绝缘层,将所述第一绝缘层置于所述基板的凹槽开口上,并进行真空压合固化以将所述第一绝
缘层固定在所述基板上。
[0009]进一步地,所述形成覆盖所述第一绝缘层远离所述凹槽一侧并填充所述通孔的导电层的步骤具体包括:在所述第一绝缘层远离所述电极一侧电镀形成导电层,并使所述导电层填充所述通孔。
[0010]进一步地,所述刻蚀所述导电层形成导电线路的步骤具体包括:在所述导电层上选择性开窗,并去除所述导电层的部分区域形成导电线路。
[0011]进一步地,所述判断所述第一绝缘层、导电线路形成的发光控制层的层数是否满足预设条件的步骤具体包括:获取所述发光控制层的层数,判断所述层数是否达到预设值;若是,则确定所述层数满足预设条件;若否,则确定所述层数不满足预设条件。
[0012]进一步地,所述第二绝缘层覆盖所述导电层被刻蚀后形成的空隙。
[0013]进一步地,所述保护层通过电镀惰性保护金属、化学沉积、涂覆有机保护膜中的任一种形成。
[0014]基于相同的专利技术构思,本专利技术还提出一种MicroLED封装结构,所述MicroLED封装结构通过如上所述的MicroLED封装方法形成,包括:基板,所述基板一侧设置有凹槽,发光芯片固定在所述凹槽内;至少一个发光控制层,所述发光控制层层叠设置在所述基板设置所述凹槽的一侧,包括第一绝缘层、导电线路,所述第一绝缘层贴合在凹槽开口上,发光芯片的电极与所述第一绝缘层相对,所述导电线路位于所述第一绝缘层远离所述凹槽开口一侧,并填充与所述第一绝缘上与所述电极相接触的第一通孔;第二绝缘层、保护层位于MicroLED最顶部的导电线路远离所述第一绝缘层一侧,所述第二绝缘层部分覆盖所述导电线路,所述保护层位于导电线路未覆盖所述第二绝缘层的区域。
[0015]相比现有技术,本专利技术的有益效果在于:将发光芯片容置在透明基板的凹槽,并使发光芯片的电极与凹槽上的第一绝缘层相对,利用导电层填充通孔的方式连接导电层、电极,并刻蚀导电层形成导电线路,避免了需要使用导线连接芯片与线路板的问题,缩减了MicroLED体积,降低了制造难度,提升了产品良率,并且通过将发光芯片容置在透明凹槽中的方式,减轻了光被遮挡的问题,提升了发光强度和发光效果,且增强了MicroLED的气密性。
附图说明
[0016]图1为本专利技术MicroLED封装方法一实施例的流程图;
[0017]图2为本专利技术MicroLED封装方法中具有凹槽的基板一实施例的示意图;
[0018]图3为本专利技术MicroLED封装方法中发光芯片一实施例的示意图;
[0019]图4为本专利技术MicroLED封装方法中在凹槽上形成第一绝缘层一实施例的示意图;
[0020]图5为本专利技术MicroLED封装方法中在第一绝缘层上形成导电层一实施例的示意图;
[0021]图6为本专利技术MicroLED封装方法中刻蚀导电层形成导电线路一实施例的示意图;
[0022]图7为本专利技术MicroLED封装方法中形成第二绝缘层一实施例的示意图;
[0023]图8为本专利技术MicroLED封装方法中形成保护层一实施例的示意图;
[0024]图9为本专利技术MicroLED封装结构一实施例的结构图。
[0025]图中:1、基板;2、发光芯片;3、第一绝缘层;4、导电层;5、第二绝缘层;6、保护层。
具体实施方式
[0026]以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,通常在此处附图中描述和示出的各本公开实施例在不冲突的前提下,可相互组合,其中的结构部件或功能模块可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本公开的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本公开的范围,而是仅仅表示本公开的选定实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED封装方法,其特征在于,所述MicroLED封装方法包括:S101:在基板上形成容置发光芯片的凹槽,将所述发光芯片固定在所述凹槽内,形成贴合凹槽开口的第一绝缘层,并使所述发光芯片的电极与所述第一绝缘层相对,所述基板为透明基板;S102:在所述第一绝缘层上形成与所述电极接触的第一通孔,形成覆盖所述第一绝缘层远离所述凹槽一侧并填充所述通孔的导电层,刻蚀所述导电层形成导电线路,判断所述第一绝缘层、导电线路形成的发光控制层的层数是否满足预设条件,若是,则执行S103,若否,则在所述导电线路远离所述凹槽的一侧形成新的第一绝缘层,并在新的第一绝缘层上执行S102,其中,新的第一绝缘层覆盖所述导电线路;S103:在位于MicroLED最顶部的导电线路远离所述第一绝缘层一侧形成第二绝缘层、保护层,所述第二绝缘层部分覆盖所述导电线路,所述保护层位于导电线路未覆盖所述第二绝缘层的区域。2.如权利要求1所述的MicroLED封装方法,其特征在于,所述将所述发光芯片固定在所述凹槽内的步骤具体包括:向所述凹槽内加入粘胶,通过所述粘胶固定在所述发光芯片。3.如权利要求2所述的MicroLED封装方法,其特征在于,所述粘胶为透明粘胶,并填充所述凹槽与发光芯片之间的空隙。4.如权利要求1所述的MicroLED封装方法,其特征在于,所述形成贴合凹槽开口的第一绝缘层的步骤具体包括:形成第一绝缘层,将所述第一绝缘层置于所述基板的凹槽开口上,并进行真空压合固化以将所述第一绝缘层固定在所述基板上。5.如权利要求1所述的MicroLED封装方法,其特征在于,所述形成覆盖所述第一绝缘层远离所述凹槽一侧并填充所述通孔的导电层的步骤具体包括:在所...

【专利技术属性】
技术研发人员:康孝恒蔡克林李清雄叶奇唐波杨飞许凯
申请(专利权)人:美琪电路江门有限公司
类型:发明
国别省市:

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