本实用新型专利技术公开了一种5G基站天线的同频去耦装置，适用于端口众多的5G天线布局，包括介质基板和安装于所述介质基板上的若干组天线辐射单元，其中，相邻的两组天线辅助单元之间的介质基板上设置有同频去耦条，所述同频去耦条包括若干个间隔设置的去耦单元，所述去耦单元包括外去耦网络和内去耦网络，所述内去耦网络嵌套设置于所述外去耦网络围成的区域内。上述5G基站天线的同频去耦装置能够有效降低天线单元间的耦合。不仅结构简单，重量轻，尺寸小；而且周期性排布，装配简单，一致性高。一致性高。一致性高。
【技术实现步骤摘要】
一种5G基站天线的同频去耦装置
[0001]本技术涉及一种5G基站天线，尤其是涉及一种5G基站天线的同频去耦装置。
技术介绍
[0002]5G基站是5G网络的核心设备，提供无线覆盖，实现有线通信网络与无线终端之间的无线信号传输。基站的架构、形态直接影响5G网络如何部署。由于频率越高，信号传播过程中的衰减也越大，5G网络的基站密度将更高。
[0003]目前，5G网络建设正如火如荼，5G天线产品的应用需求也在快速迭代。其中，中频1710
‑
2170MHz的大规模MIMO阵列天线，由于频段较低，单元口径较大，且阵列间距缩窄到四分一波长，相较于常规半波长列间距MIMO阵列天线，方向图畸变严重，由此同频去耦成为天线的一项关键技术。现有的同频去耦装置普遍存在结构复杂、重量大、尺寸大和装配不便的缺点。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种5G基站天线的同频去耦装置，以解决现有技术中用于5G基站天线的同频去耦装置存在结构复杂、重量大、尺寸大和装配不便的问题。
[0005]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0006]一种5G基站天线的同频去耦装置，其包括介质基板和安装于所述介质基板上的若干组天线辐射单元，其中，相邻的两组天线辅助单元之间的介质基板上设置有同频去耦条，所述同频去耦条包括若干个间隔设置的去耦单元，所述去耦单元包括外去耦网络和内去耦网络，所述内去耦网络嵌套设置于所述外去耦网络围成的区域内。
[0007]进一步的说，所述外去耦网络和内去耦网络均采用覆铜方式设置于所述介质基板上。
[0008]优选地，所述外去耦网络和内去耦网络均采用高阻抗线的整段线路形式，所述外去耦网络的两端向其围成区域内平行延伸，所述内去耦网络设置有槽隙，所述外去耦网路的两端伸入所述槽隙内。
[0009]优选地，所述外去耦网路的长度为0.65λ
‑
0.75λ，所述内去耦网络的长度为0.15λ
‑
0.25λ，其中，λ为辐射单元中心频率在自由空间传输时对应的波长。
[0010]优选地，所述外去耦网络整体为矩形或椭圆形结构的任一种。
[0011]进一步的说，所述介质基板的单面设置有所述外去耦网络和内去耦网络。
[0012]进一步的说，所述介质基板的双面均设置有所述外去耦网络和内去耦网络。
[0013]进一步的说，所述外去耦网络和内去耦网络均采用金属钣金结构设置于所述介质基板上。
[0014]进一步的说，所述外去耦网络和内去耦网络均采用由一定间隔的若干组阻抗线路组合的多段线路形式。
[0015]进一步的说，所述若干组天线辐射单元沿所述介质基板的横向/竖向间隔布置，对
应所述同频去耦条沿所述介质基板的横向/竖向延伸。
[0016]本技术的有益效果为，与现有技术相比所述5G基站天线的同频去耦装置能够有效降低天线单元间的耦合。不仅结构简单，重量轻，尺寸小；而且周期性排布，装配简单，适用于端口众多的5G天线布局，一致性高。
附图说明
[0017]图1是本技术具体实施方式提供的引入同频去耦装置的5G基站天线的结构示意图；
[0018]图2是本技术具体实施方式提供的5G基站天线的同频去耦装置的去耦单元的结构示意图；
[0019]图3是本技术具体实施方式提供的5G基站天线的同频去耦装置的正面阵列布局示意图；
[0020]图4是本技术具体实施方式提供的引入同频去耦装置前的基站天线的辐射方向示意图；
[0021]图5是本技术具体实施方式提供的引入同频去耦装置的5G基站天线的辐射方向的示意图；
[0022]图6是本技术具体实施方式提供的引入同频去耦装置前、后的隔离度对比示意图；
[0023]图7是本技术具体实施方式提供的5G基站天线的同频去耦装置的又一去耦单元的结构示意图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。
[0025]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当部件被称为“固定于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者也可以存在居中的部件。当一个部件被认为是“连接”另一个部件，它可以是直接连接到另一个部件或者可能同时存在居中部件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0026]请参阅图1至图6所示，本实施例中，一种5G基站天线的同频去耦装置包括介质基板1和安装于介质基板1上的若干组天线辐射单元2，若干组天线辐射单元2沿介质基板1的横向间隔布置，相邻的两组天线辅助单元2之间的介质基板1上设置有一同频去耦条3，同频去耦条3沿介质基板1的横向延伸，每个同频去耦条3包括若干个间隔设置的去耦单元30。去耦单元30包括外去耦网络31和内去耦网络32，内去耦网络32嵌套设置于外去耦网络31围成
的区域内。
[0027]外去耦网络31和内去耦网络32均采用覆铜方式设置于介质基板1上。外去耦网络31和内去耦网络32均采用高阻抗线的整段线路形式，外去耦网络31采用矩形结构，其两端向其围成区域内平行延伸，内去耦网络32设置有槽隙33，外去耦网路31的两端伸入槽隙33内，外去耦网路31的长度为0.65λ
‑
0.75λ，优选采用0.65λ、0.7λ和0.75λ，内去耦网络32的长度为0.15λ
‑
0.25λ，优选采用0.15λ、0.2λ和0.25λ，其中，λ为辐射单元中心频率在自由空间传输时对应的波长。
[0028]请参阅图7所示，图7是本技术具体实施方式提供的5G基站天线的同频去耦装置的又一去耦单元的结构示意图，外去耦网络31整体采用椭圆形结构。
[0029]需要说明的是，以上所述为本技术的优选实施例而已，本技术的实施和要求保护的范围并不局限于上述实施例的范围。例如，同频去耦装置的网络不局限于单边覆铜，也可为两面覆铜形式；同频去耦网络的形式不局限于矩形走线布局，也可为椭圆形式走线。去耦网络101的长度不局限与0.15λ
‑
0.25λ，也可为其整数倍；同频去耦装置在天线阵列中的位置不局限与横向放置，也可为纵向放置,也可横向纵向组合放置；同频去耦网络实现形式不局限于附着于介质板表本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种5G基站天线的同频去耦装置，其包括介质基板和安装于所述介质基板上的若干组天线辐射单元，其特征在于，相邻的两组天线辅助单元之间的介质基板上设置有同频去耦条，所述同频去耦条包括若干个间隔设置的去耦单元，所述去耦单元包括外去耦网络和内去耦网络，所述内去耦网络嵌套设置于所述外去耦网络围成的区域内。2.根据权利要求1所述的5G基站天线的同频去耦装置，其特征在于，所述外去耦网络和内去耦网络均采用覆铜方式设置于所述介质基板上。3.根据权利要求2所述的5G基站天线的同频去耦装置，其特征在于，所述外去耦网络和内去耦网络均采用高阻抗线的整段线路形式，所述外去耦网络的两端向其围成区域内平行延伸，所述内去耦网络设置有槽隙，所述外去耦网络的两端伸入所述槽隙内。4.根据权利要求3所述的5G基站天线的同频去耦装置，其特征在于，所述外去耦网络的长度为0.65λ
‑
0.75λ，所述内去耦网络的长度为0.15λ
‑
0.25λ...
【专利技术属性】
技术研发人员：高先明，
申请(专利权)人：昆山瑞格电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。