一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器，包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、耦合电容、第一可调有源电感以及第二可调有源电感，其中，第一电阻连接在电源端与第三NMOS管的漏极之间，第二电阻连接在电源端VDD与第四NMOS管的漏极之间，第三NMOS管的漏极作为第一差分电压输出端，第四NMOS管的漏极作为第二差分电压输出端；第一可调有源电感连接在第一NMOS管的源极与接地端之间，第二可调有源电感连接在第二NMOS管的源极与接地端之间，第一可调有源电感和第二可调有源电感能够根据输入电压的频率调节电感值。本发明专利技术通过可调有源电感的使用减少了芯片内部电感，极大的减小了面积，降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器


[0001]本专利技术属于射频集成电路
，具体涉及一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器。

技术介绍

[0002]低噪声放大器是通常接收系统的第一级，需要提供足够的增益来减小后级模块等效到接收机输入端的噪声贡献，此外，其自身也必须具有很低的噪声系数，因为其所具有的噪声系数将1:1的体现到接收机整体噪声系数。随着无线通信技术的快速发展，万物联网的愿景逐步成为现实，这就要求更多的无线设备接入互联网，低功耗和高性能的需求越专利技术显。随着工艺的发展，单个晶体管所消耗的能耗日益减少，截止频率越来越高，高密度集成的CMOS收发芯片设计日渐成熟。
[0003]在传统低噪声放大器的设计当中，片上电感广泛的被设计师所使用。片上电感经常被用作阻抗匹配和源极的负反馈。CMOS集成度提高反而使得片上电感的设计越来越困难。这是由于片上电感需要较宽的高层金属，较多的金属匝数，这在小工艺下面临着很大的挑战。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、耦合电容C
c
、第一可调有源电感L
AI1
以及第二可调有源电感L
AI2
，其中，所述第一电阻R1连接在电源端VDD与所述第三NMOS管M3的漏极之间，所述第二电阻R2连接在电源端VDD与所述第四NMOS管M4的漏极之间，所述第三NMOS管M3的漏极作为第一差分电压输出端，所述第四NMOS管M4的漏极作为第二差分电压输出端；所述第三NMOS管M3的栅极连接所述第四NMOS管M4的栅极并连接第一偏置电压输入端，所述第三NMOS管M3的源极连接所述第一NMOS管M1的漏极，所述第四NMOS管M4的源极连接所述第二NMOS管M2的漏极；所述耦合电容C
c
连接在所述第三NMOS管M3的源极与所述第二NMOS管M2的栅极之间，所述第一可调有源电感L
AI1
连接在所述第一NMOS管M1的源极与接地端之间，所述第二可调有源电感L
AI2
连接在所述第二NMOS管M2的源极与接地端之间，所述第一NMOS管M1的栅极连接电压输入端和第二偏置电压输入端，所述第二NMOS管M2的栅极连接第三偏置电压输入端；所述第一可调有源电感L
AI1
和第二可调有源电感L
AI2
能够根据输入电压的频率调节电感值。2.根据权利要求1所述的基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，还包括第三电阻R3和第四电阻R4，其中，所述第三电阻R3连接在所述第二偏置电压输入端与所述第一NMOS管M1的栅极之间，所述第四电阻R4连接在所述第三偏置电压输入端与所述第二NMOS管M2的栅极之间。3.根据权利要求1所述的基于可调有源电感的单端输入差分输出低噪声放大器，其特征在于，所述第一可调有源电感L
AI1
包括第五电阻R5、第一电容C1以及第一可调并联晶体管单元，其中，所述第五电阻R5和所述第一电容C1串联在所述第一NMOS管M1的源极与接地端之间；所述第一可调并联晶体管单元中包括并联的2
n
个NMOS管M5，所述2
n
个NMOS管M5的栅极均连接在所述第五电阻R5与所述第一电容C1之间，所述2
n
个NMOS管M5的源极均连接接地端，所述2
n
个NMOS管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，
申请(专利权)人：伯恩半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：