一种C波段低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术涉及微波单片集成电路领域，尤其涉及到一种C波段低噪声放大器。该放大器包括包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；所述输入电路包括第一电感、第一电容以及第二电感，输入端分别与所述第一电感、所述第二电感以及所述第一电容的一端相连，所述第一电感的另一端以及所述第一电容的另一端接地，所述第二电感的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。通过本实用新型专利技术能够达到拓展匹配带宽改善输出驻波的效果。展匹配带宽改善输出驻波的效果。展匹配带宽改善输出驻波的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种C波段低噪声放大器


[0001]本技术涉及微波单片集成电路领域，尤其涉及到一种C波段低噪声放大器。

技术介绍

[0002]近年来随着微波技术的迅速发展，微波通信、导航、制导、卫星通信以及军事电子对抗战和雷达等领域对放大器的需求量也越来越大。特别是由于无线电通信频率资源的日益紧张，分配到各类通信系统的频率间隔越来越密，这对接收系统前端的器件，尤其是低噪声放大器件，提出了更高的要求，以减小不需要的干扰因素，放大接收到的有用信号。使用微波单片集成电路(MMI C)制作的低噪声放大器，具有成本低、一致好、寄生效应少、体积小、可靠性高等众多优势。使用0.25um GaAs phemt耗尽型工艺制作单片低噪声放大器具有非常良好噪声，工艺非常成熟，制备成本低，但用于设计C波段使用频率为4～8GHz的宽带低噪放设计难度大。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种C波段低噪声放大器。
[0004]本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种C波段低噪声放大器，包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种C波段低噪声放大器，其特征在于，包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；所述输入电路包括第一电感、第一电容以及第二电感，输入端分别与所述第一电感、所述第二电感以及所述第一电容的一端相连，所述第一电感的另一端以及所述第一电容的另一端接地，所述第二电感的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。2.根据权利要求1所述的一种C波段低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大器电路具体包括：第一晶体管、第三电感、第二电阻、第二电容组成；所述第一晶体管的一端与所述第二电感的另一端相连，所述第一晶体管的源极与所述第三电感的一端相连，所述第一晶体管的漏极与所述第一级偏置电路相连，所述第三电感的另一端通过并联的所述第二电阻以及所述第二电容接地。3.根据权利要求2所述的一种C波段低噪声放大器，其特征在于，所述第一级偏置电路具体包括：第四电容、第一电阻、第四电感以及第三电容；所述第四电容的一端与所述第一晶体管的漏极相连，所述第四电容的另一端与所述第二级放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴君松，李泰成，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：