一种C波段低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术涉及微波单片集成电路领域，尤其涉及到一种C波段低噪声放大器。该放大器包括包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；所述输入电路包括第一电感、第一电容以及第二电感，输入端分别与所述第一电感、所述第二电感以及所述第一电容的一端相连，所述第一电感的另一端以及所述第一电容的另一端接地，所述第二电感的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。通过本实用新型专利技术能够达到拓展匹配带宽改善输出驻波的效果。展匹配带宽改善输出驻波的效果。展匹配带宽改善输出驻波的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种C波段低噪声放大器


[0001]本技术涉及微波单片集成电路领域，尤其涉及到一种C波段低噪声放大器。

技术介绍

[0002]近年来随着微波技术的迅速发展，微波通信、导航、制导、卫星通信以及军事电子对抗战和雷达等领域对放大器的需求量也越来越大。特别是由于无线电通信频率资源的日益紧张，分配到各类通信系统的频率间隔越来越密，这对接收系统前端的器件，尤其是低噪声放大器件，提出了更高的要求，以减小不需要的干扰因素，放大接收到的有用信号。使用微波单片集成电路(MMI C)制作的低噪声放大器，具有成本低、一致好、寄生效应少、体积小、可靠性高等众多优势。使用0.25um GaAs phemt耗尽型工艺制作单片低噪声放大器具有非常良好噪声，工艺非常成熟，制备成本低，但用于设计C波段使用频率为4～8GHz的宽带低噪放设计难度大。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种C波段低噪声放大器。
[0004]本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种C波段低噪声放大器，包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；
[0005]所述输入电路包括第一电感、第一电容以及第二电感，输入端分别与所述第一电感、所述第二电感以及所述第一电容的一端相连，所述第一电感的另一端以及所述第一电容的另一端接地，所述第二电感的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。
[0006]本技术的有益效果是：本技术设计的输入电路能够有效地拓展匹配带宽；第一级放大器电路能够实现自偏置供电、噪声匹配和提高放大器的稳定性；第一级偏置电路能够有效调节级间匹配；第二级放大电路能够实现自偏置供电、使增益获得良好的平坦度、提高放大器的稳定性。
[0007]在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。
[0008]进一步，所述第一级放大器电路具体包括：第一晶体管、第三电感、第二电阻、第二电容组成；
[0009]所述第一晶体管的一端与所述第二电感的另一端相连，所述第一晶体管的源极与所述第三电感的一端相连，所述第一晶体管的漏极与所述第一偏置电路相连，所述第三电感的另一端通过并联的所述第二电阻以及所述第二电容接地。
[0010]进一步，所述第一级偏置电路具体包括：第四电容、第一电阻、第四电感以及第三电容；
[0011]所述第四电容的一端与所述第一晶体管的漏极相连，所述第四电容的另一端与所述第二级放大器电路相连，所述第一电阻的一端与所述第一晶体管的漏极相连，所述第一电阻的另一端与所述第四电感的一端相连，所述第四电感的另一端与所述第三电容的一端
相连，所述第三电容的另一端接地。
[0012]进一步，所述第二级放大器电路具体包括：第五电容、第五电感、第四电阻、第二晶体管、第六电感、第三电阻以及第六电容；
[0013]所述第四电容的另一端分别与所述第五电容的一端一级所述第二晶体管的栅极相连，所述第五电容的另一端与所述第五电感的一端相连，所述第五电感的另一端与所述第四电阻的一端相连，所述第二晶体管的漏极与所述第六电感的一端相连，所述第六电感的另一端与所述第二级偏置电路相连，所述第二晶体管的源极通过并联的第三电阻以及第六电容接地。
[0014]进一步，所述第二级偏置电路包括：第七电感、第七电容以及第八电容；
[0015]所述第四电阻的另一端分别与所述第七电感的一端以及所述第七电容的一端相连，所述第七电感的另一端分别与所述第八电容的一端以及所述第四电感的另一端相连，所述第八电容的另一端接地，所述第七电容的另一端接输出。
附图说明
[0016]图1为本技术一种C波段低噪声放大器实施例提供的电路图；
[0017]图2为本技术一种C波段低噪声放大器实施例提供的噪声仿真图；
[0018]图3为本技术一种C波段低噪声放大器实施例提供的S参数仿真图；
[0019]图4为本技术一种C波段低噪声放大器实施例提供的稳定性仿真图。
[0020]附图中，各标号所代表的部件列表如下：
[0021]L1、第一电感，L2、第二电感，L3、第三电感，L4、第四电感，L5、第五电感，L6、第六电感，L7、第七电感，C1、第一电容，C2、第二电容，C3、第三电容，C4、第四电容，C5、第五电容，C6、第六电容，C7、第七电容，C8、第八电容，R1、第一电阻，R2、第二电阻，R3、第三电阻，R4、第四电阻，Q1、第一晶体管，Q2、第二晶体管。
具体实施方式
[0022]以下对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。
[0023]如图1所示，一种C波段低噪声放大器，包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；
[0024]所述输入电路包括第一电感L1、第一电容C1以及第二电感L2，输入端分别与所述第一电感L1、所述第二电感L2以及所述第一电容C1的一端相连，所述第一电感L1的另一端以及所述第一电容C1的另一端接地，所述第二电感L2的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。
[0025]在一些可能的实施方式中，本技术设计的输入电路能够有效地拓展匹配带宽；第一级放大器电路能够实现自偏置供电、噪声匹配和提高放大器的稳定性；第一级偏置电路能够有效调节级间匹配；第二级放大电路能够实现自偏置供电、使增益获得良好的平坦度、提高放大器的稳定性。
[0026]需要说明的是，本技术包含输入电路、第一级放大器电路、第一级偏置电路、
第二级放大器电路、第二级偏置电路。
[0027]所述输入电路的输出端连接所述第一级放大器电路的输入端，所述第一级放大器电路的输出端连接所述第一级偏置电路的输入端，所述第一级偏置电路的输出端连接所述第二级放大电路的输入端，所述第一级偏置电路和所述第二级偏置电路的直流端共同连接至供电端Vd。
[0028]输入电路是由第一电感L1、第一电容C1、第二电感L2组成。其特征在于第一电感L1、第一电容C1并联连接到地后，再与第二电感L2串联，作为输出端，能够有效改善放大器的输入驻波。
[0029]所述的第一级放大器电路是由第一晶体管Q1、第三电感L3、第二电阻R2、第二电容C2组成，其特征在于晶体管的源级先串联第三电感L3，再与并联的第二电阻R2和第二电容C2连接到地，该结构在放大信号的同时，对晶体管产生自偏置功能。
[0030]所述的第一级偏置电路是由第四电容C4、第一电阻R1、第四电感L4、第三电容C3组成，其特征在于输入端连接第四电容C4作为其输出端口，输入端连接第一电阻R1和第四电感L4、第三电容C3后连接直流供电端口，该结构能够调节放大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种C波段低噪声放大器，其特征在于，包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；所述输入电路包括第一电感、第一电容以及第二电感，输入端分别与所述第一电感、所述第二电感以及所述第一电容的一端相连，所述第一电感的另一端以及所述第一电容的另一端接地，所述第二电感的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。2.根据权利要求1所述的一种C波段低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大器电路具体包括：第一晶体管、第三电感、第二电阻、第二电容组成；所述第一晶体管的一端与所述第二电感的另一端相连，所述第一晶体管的源极与所述第三电感的一端相连，所述第一晶体管的漏极与所述第一级偏置电路相连，所述第三电感的另一端通过并联的所述第二电阻以及所述第二电容接地。3.根据权利要求2所述的一种C波段低噪声放大器，其特征在于，所述第一级偏置电路具体包括：第四电容、第一电阻、第四电感以及第三电容；所述第四电容的一端与所述第一晶体管的漏极相连，所述第四电容的另一端与所述第二级放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴君松，李泰成，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：