【技术实现步骤摘要】
一种提高出光效率的LED芯片结构
[0001]本专利技术涉及LED芯片
,具体涉及一种提高出光效率的LED芯片结构。
技术介绍
[0002]在现有的LED芯片中,导致LED的出光效率不高的原因主要包括以下三点:第一,量子阱发光层的发光点发出的光线通过P型半导体层或者衬底层进入空气时,属于光密物质进入光疏物质,此时由于全反射角的限制,多数光线不能出射到空气中去,此全反射角度的限制导致现有的LED的出光效率很低。第二,在前述基础上,随着温度的增加,很多不能出射的光线被芯片再吸收产生难以及时散出的热量,导致量子阱发光层的温度升高,从而容易产生droop效应,即向LED芯片输入较大电流时LED的出光效率光效反而会降低。第三,LED芯片中P型半导体层(尤其是P型氮化镓和P型铝镓氮)的空穴载流子浓度不高,而N型半导体层的电子载流子浓度很高,导致二者在量子阱发光层中复合时会产生过量多余的电子,此些电子直接产生电流,不能产生光,导致能量的浪费,从而降低了LED的出光效率。
技术实现思路
[0003]为了提高LED的出光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高出光效率的LED芯片结构,其特征在于,至少包括衬底层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层,以及空穴集中和电子阻挡层,其中,所述P型半导体层与所述空穴集中和电子阻挡层均位于所述量子阱发光层上,所述P型半导体层位于所述空穴集中和电子阻挡层的上端和侧端,所述空穴集中和电子阻挡层由电导率小于等于特定数值的材料制成,以用于阻碍所述P型半导体层中的空穴载流子和所述N型半导体层中的电子载流子流过,所述空穴集中和电子阻挡层构造为具有能够使所述P型半导体层的上部区域的横截面积大于所述P型半导体层接触所述量子阱发光层的面积的形状,以使所述P型半导体层内的空穴载流子在该形状的阻碍下向所述量子阱发光层集中。2.根据权利要求1所述的LED芯片结构,其特征在于,所述N型半导体层位于所述衬底层上,所述量子阱发光层位于所述N型半导体层上。3.根据权利要求1或2所述的LED芯片结构,其特征在于,所述空穴集中和电子阻挡层位于所述量子阱发光层上的中心区域。4.根据权利要求1或2所述的LED芯片结构,其特征在于,所述空穴集中和电子阻挡层包括至...
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