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本发明属于LED芯片技术领域，公开了一种LED芯片结构。至少包括衬底层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层，以及空穴集中和电子阻挡层。其中，P型半导体层与空穴集中和电子阻挡层均位于量子阱发光层上，P型半导体层位于空穴集中和电子阻挡层的...
该专利属于盐城师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过盐城师范学院授权不得商用。

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