双向可控硅整流器制造技术

本发明专利技术提供一种双向可控硅整流器包括：第一导电型的衬底、第二导电型的阱区、浅沟槽隔离结构、第一导电型的六个重掺杂区、第二导电型的六个重掺杂区以及第一导电型的四个静电放电(ESD)注入层。在所述阱区中有并排的四个有源区，且中间有源区内有正向与反向的可控硅整流器以及所述ESD注入层，两侧有源区内有正向与反向的二极管，且在所述可控硅整流器与所述二极管之间设置有与第一导电型的ESD注入层接触的第一导电型的重掺杂区，使所述二极管的第二导电型的重掺杂区与前述第一导电型的重掺杂区电连接，因此整个双向可控硅整流器可增加两条由正向与反向二极管构成的低压辅助触发通路，以大幅降低双向可控硅整流器在正向和反向工作模式下的触发电压。反向工作模式下的触发电压。反向工作模式下的触发电压。

【技术实现步骤摘要】
双向可控硅整流器


[0001]本专利技术涉及一种及半导体静电保护
，具体涉及一种用于双向低压防护的紧凑型可控硅整流器(Low
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voltage and Compact Dual
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directional SCR，简称LVCDDSCR)。

技术介绍

[0002]随着集成电路工艺的不断发展，静电放电(Electro
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Static Discharge，简称ESD)事件带来的芯片损伤愈发严重，严重制约了半导体产品的可靠性。因此，为芯片提供有效的片上(on
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chip)ESD防护设计是十分必要的。在具体的芯片ESD防护设计中，通常会遇到一些I/O端口的工作电压同时存在正、负电压的情形，此时需要为其提供双向的ESD防护。在众多可供选择的ESD防护器件中，双向可控硅整流器(DDSCR)具有高防护能力，较低的导通电阻和寄生电容，因而是一种非常適合的双向ESD防护器件。
[0003]然而，传统DDSCR结构中，通常需要设置隔离结构，即利用深N阱将器件的两个P阱与P型衬底相隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向可控硅整流器，其特征在于，包括：第一导电型的衬底；第二导电型的阱区，形成在所述衬底内；浅沟槽隔离结构，形成在所述衬底内，且在所述阱区中分隔出并排的第一有源区、第二有源区、第三有源区与第四有源区；第一导电型的第一重掺杂区、第二导电型的第一重掺杂区、第一导电型的第二重掺杂区以及第一导电型的第一ESD注入层，设置在所述第二有源区内，其中所述第二导电型的第一重掺杂区位於所述第一导电型的第一重掺杂区以及所述第一导电型的第二重掺杂区之间并且与两者分隔一距离，所述第一导电型的第一ESD注入层设置在所述第二导电型的第一重掺杂区、所述第一导电型的第一重掺杂区以及所述第一导电型的第二重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第一重掺杂区与所述第二导电型的第一重掺杂区电连接；第一导电型的第三重掺杂区、第二导电型的第二重掺杂区、第一导电型的第四重掺杂区以及第一导电型的第二ESD注入层，设置在与所述第二有源区相邻的所述第三有源区内，其中所述第一导电型的第三重掺杂区与所述第一导电型的第一重掺杂区相邻，所述第二导电型的第二重掺杂区位於所述第一导电型的第三重掺杂区以及所述第一导电型的第四重掺杂区之间并且与两者分隔一距离，所述第一导电型的第二ESD注入层设置在所述第一导电型的第三重掺杂区、所述第二导电型的第二重掺杂区以及所述第一导电型的第四重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第三重掺杂区与所述第二导电型的第二重掺杂区电连接；第一导电型的第五重掺杂区、第二导电型的第三重掺杂区、第二导电型的第四重掺杂区以及第一导电型的第三ESD注入层，设置在与所述第二有源区相邻的所述第一有源区内，其中所述第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第三重掺杂区相接觸并且与所述第二导电型的第四重掺杂区分隔一距离，所述第一导电型的第三ESD注入层设置在第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第四重掺杂区的底部，且所述第一导电型的第五重掺杂区与所述第二导电型的第三重掺杂区电连接，所述第二导电型的第四重掺杂区与所述第一导电型的第二重掺杂区电连接；以及第一导电型的第六重掺杂区、第二导电型的第五重掺杂区、第二导电型的第六重掺杂区以及第一导电型的第四ESD注入层，设置在与所述第三有源区相邻的所述第四有源区内，其中所述第一导电型的第六重掺杂区与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊杰，杜飞波，何青松，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：