多肽型负性厚膜光刻胶及其制备与使用方法技术

本发明专利技术提供一种多肽型负性厚膜光刻胶及其制备与使用方法，该光刻胶以重量百分比计算包括：多肽明胶，10％～50％；含三价铁离子的光敏化剂，0.5％～5％；聚合物交联剂，1％～5％；流平剂，100ppm～3000ppm；溶剂，余量。该多肽型负性厚膜光刻胶在光照下，固化后的分子及交联度较大，且光刻胶的浸润性好，所以对于高深宽比的孔来说，填孔质量大幅度提高，明显降低填孔过程中产生气泡的可能，有效提高光刻胶填缝性能的均一性，且光刻胶固化后分子及交联度较大，可有效提高高深宽比的孔中的光刻胶的绝缘性能；可以采用水溶液制备和加工，从而消除了对有机溶剂的需要，不需要针对有机溶剂所需的防爆处理设备和排气罩，以及对废溶剂进行存储和处理，属于环境友好型光刻胶。属于环境友好型光刻胶。

【技术实现步骤摘要】
多肽型负性厚膜光刻胶及其制备与使用方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，特别是涉及一种多肽型负性厚膜光刻胶及其制备与使用方 法。

技术介绍

[0002]现有常用的光刻胶为负性环氧树脂型紫外光线曝光的光刻胶，其在近紫外光 (365nm～400nm)范围内光的吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光率均匀一致，可得 到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形；它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定 性；其在受到紫外辐射后发生交联，可以形成台阶等结构复杂的图形；其不导电，在电镀时 可以直接作为绝缘体使用。由于具有许多优点，其在光伏芯片领域得到广泛应用。
[0003]但是研究和使用过程中遇到的常见问题就是胶膜开裂，电阻值波动等问题，严重影响推 广应用。为解决这个问题，人们做了许多努力。美国专利US 5102772中采用小分子活性稀释 剂改善涂膜开裂，如XD7342，CY179。但上述专利所公开的产品在后续工艺的配合、光刻胶 其它性能的兼顾、原料成本上有劣势。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种多肽型负性厚膜光刻胶及其 制备与使用方法，用于解决现有技术中的光刻胶在达到避免由于光刻胶的浸润性较差导致电 阻值波动的同时会引起光刻胶与后续工艺的配合、光刻胶其他性能的兼顾及原料成本高等的 问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种多肽型负性厚膜光刻胶，所述光刻胶 以重量百分比计算包括：
[0006][0007]可选地，所述流平剂为FC4430，所述溶剂为去离子水。
[0008]可选地，所述多肽明胶为吉利丁多肽明胶。
[0009]可选地，所述含三价铁离子的光敏化剂为柠檬酸铁铵。
[0010]可选地，所述聚合物交联剂为N，N
’‑
亚甲基双丙烯酰胺。
[0011]本专利技术还提供一种多肽型负性厚膜光刻胶的制备方法，所述制备方法包括：按重量百分 比将上述光刻胶的各组分混合，搅拌溶解后，过滤得到所述多肽型负性厚膜光刻胶。
[0012]可选地，过滤过程中采用孔径为0.5μm～1μm的聚丙烯微孔滤膜。
[0013]本专利技术还提供一种多肽型负性厚膜光刻胶的使用方法，所述使用方法包括以下步骤：将 上述多肽型负性厚膜光刻胶旋涂在待涂覆结构上，依次经过前烘、曝光、显影及后烘。
[0014]可选地，所述待涂覆结构为硅片或薄膜光伏组件芯片。
[0015]可选地，所述前烘步骤的温度介于50℃～110℃之间，前烘的时间介于10s～80s之间；所 述曝光步骤采用的设备为LED 365nm曝光机，曝光能量介于100mJ～500mJ之间；所述显影 步骤包括先采用过氧化氢溶液浸润20s～80s时间，再使用去离子水或乙酸冲洗；所述后烘步 骤包括低温后烘及高温后烘，该低温后烘的温度介于40℃～75℃之间，时间介于30s～180s之 间，该高温后烘的温度介于80℃～110℃之间，时间介于60s～300s之间。
[0016]如上所述，本专利技术的多肽型负性厚膜光刻胶及其制备与使用方法，该多肽型负性厚膜光 刻胶在光照下，固化后的分子及交联度较大，且光刻胶的浸润性好，所以对于高深宽比的孔 来说，填孔质量大幅度提高，明显降低填孔过程中产生气泡的可能，有效提高光刻胶填缝性 能的均一性，且光刻胶固化后分子及交联度较大，可有效提高高深宽比的孔中的光刻胶的绝 缘性能；可以采用水溶液制备和加工，从而消除了对有机溶剂的需要，不需要针对有机溶剂 所需的防爆处理设备和排气罩，以及对废溶剂进行存储和处理，属于环境友好型光刻胶。
具体实施方式
[0017]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露 的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加 以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精 神下进行各种修饰或改变。
[0018][0019]除非另有说明、从上下文暗示或属于现有技术的惯例，否则本申请中所有的份数和百分 比都基于重量，且所用的测试和表征方法都是与本申请的提交日期同步的。在适用的情况下， 本申请中涉及的任何专利、专利申请或公开的内容全部结合于此作为参考，且其等价的同族 专利也引入作为参考，特别这些文献所披露的关于本领域中的合成技术、产物和加工设计、 聚合物、共聚单体、引发剂或催化剂等的定义。如果现有技术中披露的具体术语的定义与本 申请中提供的任何定义不一致，则以本申请中提供的术语定义为准。
[0020]本申请中的数字范围是近似值，因此除非另有说明，否则其可包括范围以外的数值。数 值范围包括以1个单位增加的从下限值到上限值的所有数值，条件是在任意较低值与任意较 高值之间存在至少2个单位的间隔。例如，如果记载组分、物理或其它性质(如分子量，熔 体指数等)是100至1000，意味着明确列举了所有的单个数值，例如100，101,102等，以及 所有的子范围，例如100到166,155到170,198到200等。对于包含小于1的数值或者包含大 于1的分数(例如1.1，1.5等)的范围，则适当地将1个单位看作0.0001，0.001，0.01或者0.1。 对于包含小于10(例如1到5)的个位数的范围，通常将1个单位看作0.1。这些仅仅是想要 表达的内容的具体示例，并且所列举的最低值与最高值之间的数值的所有可能的组合都被认 为清楚记载在本申请中。还应指出，本文中的术语“第一”、“第二”等不限定先后顺序，只是 为了区分不同结构的物质。
[0021]关于化学化合物使用时，除非明确地说明，否则单数包括所有的异构形式，反之亦然(例 如，“己烷”单独地或共同地包括己烷的全部异构体)。另外，除非明确地说明，否则用“一个”，
ꢀ“
一种”或“该”形容的名词也包括其复数形式。
[0022]术语“包含”，“包括”，“具有”以及它们的派生词不排除任何其它的组分、步骤或过程的 存在，且与这些其它的组分、步骤或过程是否在本申请中披露无关。为消除任何疑问，除非 明确说明，否则本申请中所有使用术语“包含”，“包括”，或“具有”的组合物可以包含任何附 加的添加剂、辅料或化合物。相反，除了对操作性能所必要的那些，术语“基本上由
……
组成
”ꢀ
将任何其他组分、步骤或过程排除在任何该术语下文叙述的范围之外。术语“由
……
组成”不 包括未具体描述或列出的任何组分、步骤或过程。除非明确说明，否则术语“或”指列出的单 独成员或其任何组合。
[0023]现有的光刻胶，例如SU
‑
8光刻胶在研究和使用过程中对于深宽比较大的使用场景来说填 缝能力较差，导致电阻值波动较大，影响光刻胶的绝缘性能的问题。基于此，申请人经过研 究发现可通过改善光刻胶的浸润性能，来调整光刻胶的填缝能力，从而提高光刻胶填缝性能 的均一性。
[0024]基于此，本实施例提供一种多肽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多肽型负性厚膜光刻胶，其特征在于，所述光刻胶以重量百分比计算包括：多肽明胶，10％～50％；含三价铁离子的光敏化剂，0.5％～5％；聚合物交联剂，1％～5％；流平剂，100ppm～3000ppm；溶剂，余量。2.根据权利要求1所述的多肽型负性厚膜光刻胶，其特征在于：所述流平剂为FC4430，所述溶剂为去离子水。3.根据权利要求1所述的多肽型负性厚膜光刻胶，其特征在于：所述多肽明胶为吉利丁多肽明胶。4.根据权利要求1所述的多肽型负性厚膜光刻胶，其特征在于：所述含三价铁离子的光敏化剂为柠檬酸铁铵。5.根据权利要求1所述的多肽型负性厚膜光刻胶，其特征在于：所述聚合物交联剂为N，N
’‑
亚甲基双丙烯酰胺。6.一种如权利要求1～5中任意一项所述的多肽型负性厚膜光刻胶的制备方法，所述制备方法包括：按重量百分比将各组分混合，搅拌溶解后，过滤得到所述多肽型负性厚膜光刻胶。7.根据权利要求6所述的多肽型负性厚膜光刻胶的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑛，殷新建，周显华，彭寿，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：