半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；位于所述半导体衬底内且位于所述p型体区下方的p型柱；所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；所述第二区域内的所述p型体区与所述源极金属层未形成欧姆接触。本发明专利技术可以改善半导体器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本专利技术属于半导体器件
，特别是涉及一种功率半导体器件。

技术介绍

[0002]现有技术的功率半导体器件通常通过降低器件的米勒电容来提高开关速度以减少开关损耗，但是开关速度过快会导致大的电压震荡和电流震荡，这使得功率半导体器件在应用时的EMI问题严重。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种半导体器件，以降低半导体器件在应用时产生的EMI问题。
[0004]为达到本专利技术的上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：
[0005]半导体衬底；
[0006]位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；
[0007]位于所述半导体衬底内且位于所述p型体区下方的p型柱；
[0008]所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；
[0009]所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；
[0010]所述第二区域内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；位于所述半导体衬底内且位于所述p型体区下方的p型柱；所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；所述第二区域内的所述p型体区与所述源极金属层未形成欧姆接触。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一区域的形状包括多边形、圆形或者椭圆形中的至少一种。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二区域内的所述p型体区内设有第二p型体区接触区，所述第二p型体区接触区的掺杂浓度小于所述第一p型体区接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚轶，刘磊，刘伟，袁愿林，
申请(专利权)人：苏州东微半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：