用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离制造技术

本公开涉及一种用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离。一种横向双极结型晶体管(BJT)器件包括：发射极区、集电极区和基极区，基极区位于发射极区和集电极区之间并横向分离发射极区和集电极区，基极区包括内基极区；以及腔，其形成在半导体衬底中并填充有绝缘材料，腔将内基极区的下表面与半导体衬底物理分离。半导体衬底物理分离。半导体衬底物理分离。

【技术实现步骤摘要】
用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离


[0001]本公开一般地涉及鳍式横向双极结型晶体管(BJT)器件的各种实施例，以及制造这种横向BJT器件的各种方法。

技术介绍

[0002]双极结型晶体管(BJT)器件广泛应用于许多集成电路产品中。通常，BJT器件包括集电极区、基极区和发射极区。BJT器件可以是PNP器件或NPN器件。在PNP BJT器件中，电流从发射极流向基极，经由集电极从BJT器件流出。在NPN BJT器件中，电流从集电极流向基极，经由发射极从BJT器件流出。
[0003]器件设计者一直承受着提高BJT器件和采用此类BJT器件的集成电路产品的运行速度和电性能的压力。这可以包括例如减少BJT器件的漏电流、功耗和热耗散(例如，由于BJT中的高的基极到体漏电流)。
[0004]片上系统(SoC)是一种集成电路产品，其包括例如计算机的系统期望的所有部件。这种SOC芯片可以包括一个或多个中央处理器和协处理器、图形驱动器、存储器、电源管理电路、无线通信接口和全功能系统的其他部件。此外，由于SoC上各个部件之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件，包括：发射极区、集电极区和基极区，所述基极区位于所述发射极区和所述集电极区之间并横向分离所述发射极区和所述集电极区，所述基极区包括内基极区；以及腔，其形成在半导体衬底中并填充有绝缘材料，所述腔将所述内基极区的下表面与所述半导体衬底物理分离。2.根据权利要求1所述的器件，还包括形成在所述内基极区上方的外基极区。3.根据权利要求1所述的器件，其中所述发射极区的底表面和所述集电极区的底表面位于所述半导体衬底的上表面上。4.根据权利要求1所述的器件，其中所述腔仅位于所述内基极区下方。5.根据权利要求1所述的器件，其中所述内基极区物理接触所述腔。6.根据权利要求1所述的器件，其中所述发射极区和所述集电极区通过所述半导体衬底与所述腔物理分离。7.根据权利要求1所述的器件，其中所述发射极区、所述集电极区、所述基极区和所述腔形成在鳍结构中。8.根据权利要求7所述的器件，其中所述腔将所述鳍结构的第一部分与所述鳍结构的第二部分物理分离。9.一种横向双极结型晶体管BJT器件，包括：发射极区、集电极区和基极区，所述基极区位于所述发射极区和所述集电极区之间并横向分离所述发射极区和所述集电极区，所述基极区包括内基极区；以及腔，其形成在半导体衬底中并填充有绝缘材料，所述腔将所述内基极区的下表面与所述半导体衬底物理分离，其中所述内基极区物理接触所述腔，并且其中所述发射极区的底表面和所述集电极区的底表面位于所述半导体衬底的上表面上。10.根据权利要求9所述的横向BJT器件，还包括形成在所述内基极区上方的外基极区。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：马乐言，亚历山大，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：