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本公开涉及一种用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离。一种横向双极结型晶体管(BJT)器件包括：发射极区、集电极区和基极区，基极区位于发射极区和集电极区之间并横向分离发射极区和集电极区，基极区包括内基极区；以及腔，其形成...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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