烘烤处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种烘烤处理装置，用于半导体工序中的烘烤制程，包括：冷却单元、烘烤单元及传送单元，冷却单元包含有制冷板，该制冷板设置在机板上，制冷板环形设有受第一动力源驱动可上升凸出于该制冷板表面的第一升降柱，烘烤单元包含烤板，该烤板设置在机板上并与制冷板相邻，烤板的表面邻近其外周环形排列有多个支撑凸部可支撑一晶圆，该烤板设受第二动力源驱动可上升凸出于该烤板表面的第二升降柱，第二升降柱上升于该烤板时高出于该多个支撑凸部，该传送单元受一第四动力源的驱动输送晶圆于烤板的上方与制冷板的上方。圆于烤板的上方与制冷板的上方。圆于烤板的上方与制冷板的上方。

【技术实现步骤摘要】
烘烤处理装置


[0001]本技术涉及烘烤处理装置，特别涉及一种用于半导体工序中的烘烤制程，使晶圆加热时间控制更精准及达到快速降温功能。

技术介绍

[0002]在用于制造微结构装置(例如，半导体芯片)的制程中，第一步骤之一为以含有溶剂(在某些应用中为光阻剂)的涂层来涂布晶圆。这可由旋转涂布(spin coating)、喷涂涂布(spray coating)或其他涂布制程来完成。
[0003]以现有的涂布显影制程烘烤处理时间为60～90sec，在更微型半导体的各种制程中，因为制程的需要，热烘烤的时间被大幅拉长，加热处理时间被拉长到10～15min，且需要更精准的热烘烤时间。
[0004]以发光二极管制程为例，为了使发光二极管芯片发出特定光线，制造者在制造出发光二极管芯片后，会对发光二极管芯片的表面喷涂荧光粉，以利用混光的效果使发光二极管芯片发出所需光线。举例来说，欲使发光二极管芯片发出白光时，制造者通常先制造出蓝光发光二极管芯片，再对蓝光发光二极管芯片喷涂黄色荧光粉，以使蓝光二极管芯片能够发出白光。
[0005]一般来说，在发光二极管芯片达到色温的目标区之前，通常需要经过多道重复的喷涂、烘烤与冷却等制程。在不同的制程之间，必须人工地搬运发光二极管芯片至下一道制程的机台处，不仅烘烤后无法冷却降温，且还容易导致发光二极管芯片受污染甚至损坏。

技术实现思路

[0006]本技术的主要目的，是提供一种用于半导体制程的烘烤制程，在同一制程处理空间内具有相邻的烘烤单元与冷却单元，并由内部的一传送单元将晶圆由冷却单元移到烘烤单元进行烘烤，及由烘烤单元移到冷却单元直接冷却降温，使烘烤加热时间控制更精准，且减少芯片受污染甚至损坏。
[0007]为达上述目的，本技术实施例提供一种烘烤处理装置，用于半导体工序中的烘烤制程，包括：一冷却单元，设置在一机板上，该冷却单元具有一制冷板，该制冷板环形设有至少三根第一升降柱，该至少三根第一升降柱受一第一动力源驱动，可上升凸出于该制冷板的表面，并可下移而低于该制冷板的表面；一烘烤单元，包含有一烤板，该烤板设置在该机板上并与该制冷板相邻，该烤板的表面邻近其外周环形排列有多个支撑凸部以支撑晶圆，该烤板设有至少三根第二升降柱，该至少三根第二升降柱受一第二动力源驱动，可上升凸出于该烤板的表面，并可下移而低于该烤板的表面，该至少三根第二升降柱上升于该烤板时高出于该多个支撑凸部；一传送单元，受一第四动力源的驱动输送该晶圆于该烤板的上方与该制冷板的上方。
[0008]在本技术的一个实施例中，还包含有一壳体，该机板设置在该壳体内。
[0009]在本技术的一个实施例中，该烤板的外周设有一隔热环，该隔热环受一第三
动力源的驱动，可上升将置于该烤板上的该晶圆包围在内部，该第三动力源还可驱动该隔热环下降而低于该机板。
[0010]在本技术的一个实施例中，该壳体的上方设有一盖板，该盖板面对该烤板方向设有一密封环，当该隔热环上升于该机板表面时，该密封环可封住该隔热环顶部的开口。
[0011]在本技术的一个实施例中，在该冷却单元与该烘烤单元之间设置一隔热板，该隔热板可受一第五动力源的驱动上升而高出于该机板，该第五动力源可驱动该隔热板下降而低于该机板。
[0012]在本技术的一个实施例中，该制冷板的顶部径面外周等距设置三个凹部，该传送单元包含有C形的一托架、一滑块、一滑轨及一该第四动力源，该托架的内径大于该制冷板的直径，该托架内周环形等距延伸出三个承接部，该承接部与该凹部配合，该托架的外周延伸出一连接杆，该连接杆与该滑块连接，该连接杆受该第四动力源的驱动可上下移动，该滑轨位于该机板的一侧并沿着该机板的长度方向由左侧延伸到右侧，该连接杆与该滑轨互为90
°
，该滑块被该第四动力源驱动沿着该滑轨左右移动，而同步带动该托架左右移动，使该托架的该承接部托起该晶圆的底面并移动，以送到该烘烤单元进行烘烤。
[0013]综上，本技术实施例将冷却单元与烘烤单元设置在机台的壳体内，并设置在机板上，使烘烤单元与冷却单元在同一平面上且相邻设置，再由传送单元的托架的承接部托起置于冷却单元的制冷板上方的晶圆，将晶圆送到烘烤单元的烤板上，以将涂布有含溶剂的涂层的该晶圆烘烤完成，再将该晶圆由烘烤单元的烤板上方移到冷却单元的制冷板上方冷却，使晶圆加热时间控制更精准及达到快速降温功能。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本技术第一实施例的壳体的立体外观示意图。
[0016]图2为本技术第一实施例的立体示意图。
[0017]图3为本技术第一实施例晶圆与壳体的立体示意图。
[0018]图4A～图4K为本技术第一实施例的动作示意图。
[0019]图5为本技术第二实施例的立体示意图。
[0020]主要元件符号说明：
[0021]100为晶圆；200为壳体；210为开口；220为闸门；230为机板；240为盖板；250 为密封环；300为输送装置；10为冷却单元；11为制冷板；12为第一升降柱；13为凹部；20为烘烤单元；21为烤板；22为支撑凸部；23为第二升降柱；24为隔热环； 24a为隔热板；30为传送单元；31为托架；311为承接部；32为滑块；33为滑轨；34 为连接杆。
具体实施方式
[0022]为配合图式将本技术实施例详细说明如下，其所附图式主要为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此在该等图式中仅标示与本技术有
关的组件，且所显示的组件并非以实施时的数目、形状、尺寸比例等加以绘制，其实际实施时的规格尺寸实为一种选择性的设计，且其组件布局形态有可能更为复杂。
[0023]以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本技术可据以实施的特定实施例。本技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。
[0024]请参阅图1～图4A，为本技术烘烤处理装置的第一实施例，本技术用于半导体工序中的烘烤制程，其包括有同在一平面且相邻设置的一冷却单元10、一烘烤单元20及一传送单元30，该冷却单元10与该烘烤单元20设置在呈矩形的一壳体200内，该壳体200的左侧设有一开口210，该开口210提供一输送装置 300将一晶圆100输送到壳体200内的冷却单元10，该开口210设有一闸门220本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种烘烤处理装置，用于半导体工序中的烘烤制程，其特征在于，包括：一冷却单元，设置在一机板上，该冷却单元具有一制冷板，该制冷板环形设有至少三根第一升降柱，该至少三根第一升降柱受一第一动力源驱动，可上升凸出于该制冷板的表面，并可下移而低于该制冷板的表面；一烘烤单元，包含有一烤板，该烤板设置在该机板上并与该制冷板相邻，该烤板的表面邻近其外周环形排列有多个支撑凸部以支撑晶圆，该烤板设有至少三根第二升降柱，该至少三根第二升降柱受一第二动力源驱动，可上升凸出于该烤板的表面，并可下移而低于该烤板的表面，该至少三根第二升降柱上升于该烤板时高出于该多个支撑凸部；一传送单元，受一第四动力源的驱动输送该晶圆于该烤板的上方与该制冷板的上方。2.如权利要求1所述的烘烤处理装置，其特征在于，还包含有一壳体，该机板设置在该壳体内。3.如权利要求2所述的烘烤处理装置，其特征在于，该烤板的外周设有一隔热环，该隔热环受一第三动力源的驱动，可上升将置于该烤板上的该晶圆包围在内部，该第三动力源还可驱动该隔热环下降而低于该机板。4.如权利要求3所述的烘...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹安和，
申请(专利权)人：慧竹开发有限公司，
类型：新型
国别省市：