一种真空管道压力监控系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种真空管道压力监控系统，其中，所述系统包括：真空机和监控装置；所述真空机包括真空管道组件；所述监控装置包括：第一压力检测装置，与所述真空管道组件连接，用于实时监控所述真空管道组件的压力状况；显示装置，与所述第一压力检测装置电连接，用于显示所述第一压力检测装置的监控结果。通过在真空管道上连接第一压力检测装置可实时检测真空管道压力值，且配合显示装置，从而便于监控人员对真空管道的压力状态进行判断是否异常，便于实时查看实时点检，可有效降低异常宕机时间，进而保证系统正常运行。进而保证系统正常运行。进而保证系统正常运行。

【技术实现步骤摘要】
一种真空管道压力监控系统


[0001]本技术涉及高真空设备领域，尤其涉及一种真空管道压力监控系统。

技术介绍

[0002]中高真空机台(ICP&CVD)制程腔一般需要中高真空运行(＜1*10
‑3Torr),中高真空压力一般需要初级泵和次级真空泵进行持续抽气来维持高真空状态，中高级真空抽气系统一般由干泵(DP)、分子泵(TMP)、高真空阀、自动压力控制装置(APC)、真空腔体、真空压力计、Pumline(真空管道)等部件组成，目前市场上真空压力计的位置一般安装在真空腔体上，用来监控真空腔体制程压力和测试真空腔体漏气状态。
[0003]现有技术方案中，无法对TMP至DP段的Pumpline进行监控，从而不能确保此真空管道的压力正常与否，如果TMP至DP段的Pumpline因密封不严或腐蚀损坏而漏气，这会导致真空系统抽气效率下降，一般真空腔体上的压力计无法及时侦测到，但真空腔极限压力会升高，DP运行负荷增大，使DP提前损坏，另外，一般制程气体多为剧毒气体(氯气和溴化氢等)，一旦从Pumpline中泄露，将会造成严重的工安事故。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种真空管道压力监控系统，旨在解决如何保证真空管道压力正常，进而如何保证系统正常运行的问题。
[0006]本技术解决技术问题所采用的技术方案如下：
[0007]一种真空管道压力监控系统，其中，包括：
[0008]真空机和监控装置；
[0009]所述真空机包括真空管道组件；
[0010]所述监控装置包括：
[0011]第一压力检测装置，与所述真空管道组件连接，用于实时监控所述真空管道组件的压力状况；
[0012]显示装置，与所述第一压力检测装置电连接，用于显示所述第一压力检测装置的监控结果。
[0013]所述的真空管道压力监控系统，其中，
[0014]所述系统还包括：
[0015]控制装置，与所述真空机和所述监控装置电连接，所述控制装置接收所述监控装置的监控信号，并输出控制信号至所述真空机。
[0016]所述的真空管道压力监控系统，其中，
[0017]所述监控装置还包括：
[0018]转换装置，与所述显示装置和所述控制装置电连接，所述转换装置接收所述显示装置的显示信号，并输出数据信号至所述控制装置。
[0019]所述的真空管道压力监控系统，其中，
[0020]所述系统还包括：
[0021]终端，与所述转换装置电连接，用于监控所述真空管道组件。
[0022]所述的真空管道压力监控系统，其中，所述第一压力检测装置为真空压力计。
[0023]所述的真空管道压力监控系统，其中，所述显示装置为电压表显头，所述电压表显头接收所述第一压力检测装置的压力信号，并输出电压信号至所述转换装置。
[0024]所述的真空管道压力监控系统，其中，所述真空管道组件包括第一管道和第二管道；所述真空机还包括：
[0025]干泵，与所述第一管道的一端连接；
[0026]分子泵，与所述第一管道的另一端连接，与所述第二管道的第一端连接；
[0027]真空腔体，与所述第二管道的其他端连接。
[0028]所述的真空管道压力监控系统，其中，所述第一压力检测装置与所述第一管道连接。
[0029]所述的真空管道压力监控系统，其中，
[0030]所述真空机还包括：
[0031]第二压力检测装置，位于所述真空腔体外侧且与所述真空腔体电连接。
[0032]所述的真空管道压力监控系统，其中，所述真空腔体内设置有下电极和晶圆，所述晶圆连接于所述下电极的上端。
[0033]有益效果：本技术提供一种真空管道压力监控系统，其中，所述系统包括：真空机和监控装置；所述真空机包括真空管道组件；所述监控装置包括：第一压力检测装置，与所述真空管道组件连接，用于实时监控所述真空管道组件的压力状况；显示装置，与所述第一压力检测装置电连接，用于显示所述第一压力检测装置的监控结果。通过在真空管道上连接第一压力检测装置可实时检测真空管道压力值，且配合显示装置，从而便于监控人员对真空管道的压力状态进行判断是否异常，便于实时查看实时点检，可有效降低异常宕机时间，进而保证系统正常运行。
附图说明
[0034]图1为本技术中真空管道压力监控系统的平面结构图。
[0035]附图标记说明：
[0036]10、第一压力检测装置；20、显示装置；30、转换装置；40、控制装置；50、终端；100、干泵；200、分子泵；300、自动压力控制器；400、真空腔体；410、下电极；420、晶圆；500、真空管道组件；510、第一管道；520、第二管道；600、第二压力检测装置。
具体实施方式
[0037]本技术提供一种真空管道压力监控系统，为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0038]需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以
是直接连接到另一个部件或者间接连接至该另一个部件上。
[0039]还需说明的是，本技术实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此，附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0040]首先，对本技术实施例中涉及的名词以及对应英文进行介绍：
[0041]真空管道：Pumpline；
[0042]干泵：DP(DRY PUMP)；
[0043]涡轮分子泵：TMP(Turbo molecular pump)；
[0044]自动压力控制器：APC(Automatic pressure controller)；
[0045]电感耦合等离子体蚀刻机：ICP(Inductively coupled plasma etching)；
[0046]化学气相沉积机：CVD(Chemical vapor deposition)。
[0047]现有技术方案中，无法对TMP至DP段的Pumpline进行实时监控，如果TMP至DP段的Pumpline因密封不严或腐蚀损坏而漏气，这会导致真空系统抽气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空管道压力监控系统，其特征在于，包括：真空机和监控装置；所述真空机包括真空管道组件；所述监控装置包括：第一压力检测装置，与所述真空管道组件连接，用于实时监控所述真空管道组件的压力状况；显示装置，与所述第一压力检测装置电连接，用于显示所述第一压力检测装置的监控结果。2.根据权利要求1所述的真空管道压力监控系统，其特征在于，所述系统还包括：控制装置，与所述真空机和所述监控装置电连接，所述控制装置接收所述监控装置的监控信号，并输出控制信号至所述真空机。3.根据权利要求2所述的真空管道压力监控系统，其特征在于，所述监控装置还包括：转换装置，与所述显示装置和所述控制装置电连接，所述转换装置接收所述显示装置的显示信号，并输出数据信号至所述控制装置。4.根据权利要求3所述的真空管道压力监控系统，其特征在于，所述系统还包括：终端，与所述转换装置电连接，用于监控所述真空管道组件。5.根据权利要求1所述的真空管道压力监控系统，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，张彬彬，苏财钰，钟艺谋，喻兵，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：