电磁屏蔽罩、线路板、电子设备及电磁屏蔽罩的制备方法技术

本发明专利技术涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽罩、线路板、电子设备及电磁屏蔽罩的制备方法，其中电磁屏蔽罩包括载体层、金属层和胶膜层；所述载体层设于靠近所述金属层的一面上，所述胶膜层设于靠近所述金属层的另一面上；所述金属层具有第一收缩应力，在将所述电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，所述第一收缩应力用于提供抵抗所述金属层变形/断裂的还原力。本发明专利技术能够有效解决在将电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，容易导致金属层变形/断裂的技术问题，通过使金属层具有收缩应力，在使用过程中抵抗所述金属层变形/断裂，有效提高了金属层的延伸率，保障电磁屏蔽罩的屏蔽性能。蔽性能。蔽性能。

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽罩、线路板、电子设备及电磁屏蔽罩的制备方法


[0001]本专利技术涉及电子
，尤其是涉及电磁屏蔽罩、线路板、电子设备及电磁屏蔽罩的制备方法。

技术介绍

[0002]电子设备内部的电子元器件在工作状态下都会不断发出无用的电磁波信号，该无用的电磁波信号会影响相邻的其他电子元器件的正常工作，产生电磁干扰。对此，普遍的解决方案是采用金属材料的屏蔽罩封装需要屏蔽的电子元器件来抑制无用的电磁波信号向外界的泄漏。
[0003]一般的屏蔽罩包括屏蔽框和屏蔽盖，屏蔽框的厚度、屏蔽盖的厚度、电子元器件的台阶高度以及屏蔽罩与电子元器件之间的空隙，会使得具有屏蔽罩的电子设备的体积较大。近年来，电子设备逐渐朝着小型化、轻薄化的方向发展，例如以手机为代表的智能移动设备中的电子元器件，往往使用小型的、高度集成化的、且内置高密度柔性印刷电路板的微电子器件，这对电子设备的加工和制造提出了更高的要求。
[0004]为屏蔽微电子器件的电磁干扰，在电子元器件上紧密贴合屏蔽罩能够极大程度地降低屏蔽罩的体积，然而，这不仅要求屏蔽罩具有较为优异的电学和磁学性能，还要求电磁屏蔽罩中的金属层能够承受一定的力学应力，防止金属层在当电磁屏蔽罩贴合于电子元器件上时产生的变形与断裂现象。
[0005]目前，对涉及微电子器件上的屏蔽罩的金属层在贴合过程中所带来的变形与断裂问题研究较少。如何保证金属层在贴合过程中的稳定性，提高金属层的延伸率，防止金属层断裂，保障后续的屏蔽性能，是摆在本行业技术人员面前急需解决的问题。

技术实现思路
<br/>[0006]本专利技术提供一种电磁屏蔽罩，通过设计具有收缩应力的金属层，能够有效解决在将电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，容易导致金属层变形/断裂的问题，有效提高了金属层的延伸率，保障电磁屏蔽罩的屏蔽性能。
[0007]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种电磁屏蔽罩，包括载体层、金属层和胶膜层；
[0008]所述载体层设于靠近所述金属层的一面上，所述胶膜层设于靠近所述金属层的另一面上；
[0009]所述金属层具有第一收缩应力，在将所述电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，所述第一收缩应力用于提供抵抗所述金属层变形/断裂的还原力。
[0010]作为其中一种优选方案，所述载体层具有第二收缩应力，所述金属层的所述第一收缩应力由所述载体层在所述第二收缩应力的影响下向所述金属层进行力的传递得到。
[0011]作为其中一种优选方案，所述电磁屏蔽罩还包括胶粘层；
[0012]所述胶粘层设于所述载体层和所述金属层之间。
[0013]作为其中一种优选方案，所述胶粘层靠近所述金属层的一面上形成有凸起结构。
[0014]作为其中一种优选方案，所述凸起结构包括导电粒子；或，所述凸起结构包括非导电粒子。
[0015]作为其中一种优选方案，所述电磁屏蔽罩还包括黑膜层；
[0016]所述黑膜层设于所述载体层和所述胶粘层之间。
[0017]作为其中一种优选方案，所述载体层为金属材料，其中，所述金属材料为铜、铝、镍、钛、铬和银中的一种；或，所述金属材料为铜、铝、镍、钛、铬和银中至少两种形成的合金。
[0018]作为其中一种优选方案，所述载体层为非金属材料，其中，所述非金属材料为PET膜、环氧树脂膜或聚酰胺树脂膜。
[0019]作为其中一种优选方案，所述载体层的厚度为8
‑
12微米。
[0020]作为其中一种优选方案，所述金属层的厚度为0.2
‑
5微米。
[0021]作为其中一种优选方案，所述胶膜层的厚度为5
‑
15微米。
[0022]本专利技术另一实施例提供了一种线路板，包括印刷线路板和如上所述的电磁屏蔽罩；
[0023]所述印刷线路板上具有电子元器件，所述电磁屏蔽罩贴合于所述电子元器件表面上。
[0024]本专利技术又一实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括如上所述的线路板。
[0025]本专利技术再一实施例提供了一种电磁屏蔽罩的制备方法，包括：
[0026]制备形成载体层；
[0027]在所述载体层的一面上加工形成金属层，其中，所述金属层具有第一收缩应力，在将所述电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，所述第一收缩应力用于提供抵抗所述金属层变形/断裂的还原力；
[0028]在所述金属层远离所述载体层的一面形成胶膜层。
[0029]作为其中一种优选方案，在所述载体层的一面上加工形成金属层，其中，所述金属层具有第一收缩应力，在将所述电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，所述第一收缩应力用于提供抵抗所述金属层变形/断裂的还原力，具体包括：
[0030]对所述载体层施加预拉应力，形成拉伸状态下的载体层；
[0031]依次加工形成所述金属层和所述胶膜层后，释放所述预拉应力，以使所述载体层生成与所述预拉应力对应的收缩应力，并将其传递至所述金属层。
[0032]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于以下所述中的至少一点：
[0033](1)摒弃现有技术中屏蔽罩的屏蔽框和屏蔽盖的结构设计，将电磁屏蔽罩紧密贴合于电子元器件表面，极大地降低了具有屏蔽罩的电子设备的体积，进而推进了电子设备小型化和轻薄化的发展进程；
[0034](2)在金属层上设计收缩应力，使其为收紧状态，在将电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，金属层内的收缩应力，与贴合过程中因压合电磁屏蔽罩导致金属层拉伸的拉伸应力相对应，收缩应力与拉伸应力相互弥补，使金属层还原，不会产生金属层变形与断裂现象，从而保障了电磁屏蔽罩的屏蔽性能；
[0035](3)在电子元器件的台阶高度较大时(例如台阶高度在0.3
‑
1mm)，具有收缩应力的金属层能够保证电磁屏蔽罩稳定贴合在电子元器件的表面上，从而有效防止金属层在台阶
处断裂导致屏蔽效果减弱或失效的现象，相对提高了金属层的延伸率。
附图说明
[0036]图1是本专利技术其中一种实施例中的电磁屏蔽罩的结构示意图；
[0037]图2是本专利技术其中一种实施例中的电磁屏蔽罩的制备方法的流程示意图；
[0038]图3是本专利技术其中一种实施例中的电磁屏蔽罩的部分制备方法的流程示意图；
[0039]图4是本专利技术具体实施例一的电磁屏蔽罩的结构示意图；
[0040]图5是本专利技术具体实施例二的电磁屏蔽罩的结构示意图；
[0041]图6是本专利技术具体实施例三的电磁屏蔽罩的结构示意图；
[0042]附图标记：
[0043]其中，1、载体层；2、金属层；3、胶膜层；4、胶粘层；5、黑膜层。
具体实施方式
[0044]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。基于本专利技术中的实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽罩，其特征在于，包括载体层、金属层和胶膜层；所述载体层设于靠近所述金属层的一面上，所述胶膜层设于靠近所述金属层的另一面上；所述金属层具有第一收缩应力，在将所述电磁屏蔽罩贴合于电子元器件表面上时，所述第一收缩应力用于提供抵抗所述金属层变形/断裂的还原力。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述载体层具有第二收缩应力，所述金属层的所述第一收缩应力由所述载体层在所述第二收缩应力的影响下向所述金属层进行力的传递得到。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述电磁屏蔽罩还包括胶粘层；所述胶粘层设于所述载体层和所述金属层之间。4.如权利要求3所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述胶粘层靠近所述金属层的一面上形成有凸起结构。5.如权利要求4所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述凸起结构包括导电粒子；或，所述凸起结构包括非导电粒子。6.如权利要求3所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述电磁屏蔽罩还包括黑膜层；所述黑膜层设于所述载体层和所述胶粘层之间。7.如权利要求1所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述载体层为金属材料，其中，所述金属材料为铜、铝、镍、钛、铬和银中的一种；或，所述金属材料为铜、铝、镍、钛、铬和银中至少两种形成的合金。8.如权利要求1所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述载体层为非金属材料，其中，所述非金属材料为PET膜、环氧树脂膜或聚酰胺树脂膜。9.如权利要求1所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述载体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周街胜，李勇，张美娟，杨伟帆，苏陟，
申请(专利权)人：广州方邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：