三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件技术

本发明专利技术公开一种三端忆阻神经元器件及其制备方法，其中制备方法包括依次进行的以下步骤：于衬底上表面制备输入端电极，获得第一中间件，其中输入端电极为银电极；于所述第一中间件上表面制备绝缘层，并在绝缘层上开设接触通孔；于绝缘层上表面制备活性层，并于所述活性层上表面形成输出端电极，获得第二中间件，其中，将活性层位于所述接触通孔内的区域作为活性区域，所述活性区域分别与所述输入端电极的上表面和输出端电极的下表面相接；于所述第二中间件上表面制备限流层，并于所述限流层上表面形成接地端电极，获得三端忆阻神经元器件。本发明专利技术提出的三端忆阻神经元器件不需要借助外部电路，即可实时基于所接收的输入信号输出相应的脉冲信号。出相应的脉冲信号。出相应的脉冲信号。

【技术实现步骤摘要】
三端忆阻神经元器件的制备方法、三端忆阻神经元器件


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种三端忆阻神经元器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]人工智能和机器学习技术的飞速发展，对计算能力的需求不断增长。随着摩尔定律达到极限，提高芯片算力和降低能耗变得越来越困难。大脑是一个高度复杂的系统，可以有效地将复杂的动力学组合起来进行“计算”，同时具备高性能和低功耗的优势。受大脑启发的神经形态计算最早是在上世纪九十年代被加州理工学院的Carver Mead教授提出来的，主要思想是通过大规模集成电子器件来模拟大脑神经系统的功能。神经形态计算在神经网络计算架构的基础上进一步模拟人脑，以脉冲的形式表达和传递信息，具有异步、事件驱动的特性。与传统的基于冯
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诺依曼计算体系的计算系统相比，脑启发的神经形态计算体系结构具有高并行、高能效、高容错性等优点。人脑中有大约10
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个神经元，神经元与神经元之间由104个突触相连接。神经元是神经系统中信息处理与认知行为的基本单元，因此研制人工神经元器件对于神经形态芯片而言具有重本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三端忆阻神经元器件的制备方法，其特征在于，包括依次进行的以下步骤：S100、于衬底上表面制备输入端电极，获得第一中间件，其中输入端电极为银电极；S200、于所述第一中间件上表面制备绝缘层，并在所述绝缘层上开设接触通孔；S300、于所述绝缘层上表面制备活性层，并于所述活性层上表面形成输出端电极，获得第二中间件，其中，将活性层位于所述接触通孔内的区域作为活性区域，所述活性区域分别与所述输入端电极的上表面和输出端电极的下表面相接；S400、于所述第二中间件上表面制备限流层，并于所述限流层上表面形成接地端电极，获得三端忆阻神经元器件。2.根据权利要求1所述的三端忆阻神经元器件的制备方法，其特征在于，步骤S100包括：于所述衬底上光刻定义第一图形区域，基于所述第一图形区域沉积10～70nm的银，形成输入端电极，获得第一中间件。3.根据权利要求1或2所述的三端忆阻神经元器件的制备方法，其特征在于，步骤S200包括：于所述第一中间件上光刻定义第二图形区域，所述第二图形区域包含所述输入端电极的部分区域，基于所述第二图形区域沉积绝缘材料，形成绝缘层；所述绝缘层和所述输入端电极部分重叠，形成重叠区域，对所述绝缘层进行刻蚀，形成接触通孔，所述接触通孔位于所述重叠区域。4.根据权利要求3所述的三端忆阻神经元器件的制备方法，其特征在于，步骤S300包括：于所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亦舒，汪华，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：