一种电子负载MOS保护驱动电路制造技术

本实用新型专利技术实施例提供的一种电子负载MOS保护驱动电路，属于驱动保护领域。该电子负载MOS保护驱动电路包括：运算放大电路、第二电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二电感、驱动管、驱动电容、电压源、二极管、瞬态抑制二极管以及熔断保护电路。本申请通过利用二极管、瞬态抑制二极管以及熔断保护电路可以有效保护驱动电路的安全，并阻断其震荡的回路，让系统十分可靠稳定。统十分可靠稳定。统十分可靠稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种电子负载MOS保护驱动电路


[0001]本技术涉及驱动保护领域，具体而言，涉及一种电子负载MOS保护驱动电路。

技术介绍

[0002]大多数电子负载是通过控制内部功率(MOSFET)的导通量，依靠功率管的耗散功率消耗电能的设备。它能够准确检测出负载电压，精确调整负载电流，同时可以实现模拟负载短路，模拟负载是感性阻性和容性，容性负载电流上升时间等功能，是一般开关电源的调试检测是不可缺少的设备。
[0003]然而，现有电子负载中会采用许多MOS管并联，以加大运行的功率，数量从几颗到几百颗不等，最重要的就是负载内部的MOS管驱动电路和保护电路，一旦其中一颗MOS管损坏掉，有可能会造成整机不良或者整机被破坏掉，如图1所示的电子负载驱动电路。
[0004]给定信号为VREF，输入到运放U1正端，运放输出端通过R2驱动Q1MOS管的G级，当驱动电压上升到一个值的时候，MOS管开始流过电流，电流在R6上形成压降，通过R5电阻接到运放的负输入端，同时R4电阻连接运放输出和R5电阻，输出驱动信号会改变运放负端信号，起到一个负反馈的作用，使得系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子负载MOS保护驱动电路，其特征在于，包括：运算放大电路、第二电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二电感、驱动管、驱动电容、电压源、二极管、瞬态抑制二极管以及熔断保护电路；所述运算放大电路的输出端分别与所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端通过所述熔断保护电路与所述驱动管的栅极连接；所述驱动电容分别与所述驱动管的栅极和所述驱动管的漏极连接；所述驱动管的源级与所述电压源连接；所述驱动管的漏极分别与所述第五电阻和第二电感的一端连接；所述第五电阻的另一端与所述第四电阻的另一端连接；所述第二电感的另一端通过所述第六电阻接地；所述运算放大电路的负向输入端分别与所述第五电阻的另一端和所述第四电阻的另一端连接；所述二极管的一端与所述瞬态抑制二极管的一端串联；所述二极管的另一端分别与所述第二电阻和所述熔断保护电路连接；所述瞬态抑制二极管的另一端接地。2.根据权利要求1所述的电子负载MOS保护驱动电路，其特征在于，所述熔断保护电路包括小电流快速熔断保险管和第一电感；所述小电流快速熔断保险管的一端分别与所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王孝东，张孝杰，张成春，李鼎，
申请(专利权)人：东儿科技重庆有限公司，
类型：新型
国别省市：