【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术涉及具有保护功率开关元件不受到过电流状态损害的功能的半导体装置。
技术介绍
[0002]在具有功率晶体管等功率开关元件的半导体装置中，为了兼顾长的非破坏短路时间和低损耗，采用仅在短路时使电流量降低，在非短路时维持高通电能力的方法，其中，功率晶体管具有通断功能。
[0003]作为采用了上述方法的半导体装置，例如，存在专利文献1所公开的半导体装置的保护电路。在该保护电路中采用如下方法，即，设置配置于芯片单元部和单元部之间的具有电流感测功能的元件，对短路而流动过剩电流的状态进行检测。
[0004]具体而言，提供如下构造，即，在施加过剩电流时，基于使用了并联配置的电流感测得到的信号，进行反馈控制以对成为控制对象的功率晶体管的栅极电压进行抑制，对流过功率晶体管的电流进行限制。在专利文献1中，以单片的方式构建上述保护电路而对功率开关元件的栅极电压进行控制。
[0005]专利文献1：日本特开平10
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145206号公报
[0006]但是，在专利文献1所公开...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：n沟道型的第一功率开关元件，其具有一个电极、另一个电极及控制电极；n沟道型的第二功率开关元件，其具有一个电极、另一个电极及控制电极，该第二功率开关元件的一个电极与所述第一功率开关元件的一个电极连接；第一二极管，其阳极与所述第一功率开关元件的另一个电极连接，阴极配置于所述第二功率开关元件的另一个电极的方向上；n沟道型的第一MOSFET，其具有一个电极、另一个电极及控制电极，该第一MOSFET的一个电极接收所述第一及第二功率开关元件用的驱动电压，该第一MOSFET的一个电极与所述第二功率开关元件的控制电极连接，另一个电极与所述第一功率开关元件的控制电极连接，控制电极与所述第二功率开关元件的另一个电极连接；以及电荷释放电路，其具有以从所述第一功率开关元件的控制电极至另一个电极的方式设置的电荷释放路径。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一二极管的阴极与所述第二功率开关元件的另一个电极连接，所述电荷释放电路是一端与所述第一功率开关元件的控制电极连...
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