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得到保护功率开关元件不受到过电流状态损害，并且对施加负驱动电压时产生的逆向电流进行抑制的半导体装置。半导体装置(S1)作为主要结构要素包含主IGBT(5)、感测用IGBT(4)、电阻(2)、MOSFET(3)及二极管(1)。感测用IGBT(...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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