半桥电路及其开关布局结构制造技术

本申请实施例涉及半导体器件技术领域，公开了一种半桥电路及其开关布局结构，包括基板和至少一个开关组，开关组包括第一开关MOS管、第二开关MOS管和输入电容；输入电容的正极与第一开关MOS管的漏极连接，输入电容的负极与第二开关MOS管的源极连接；第一开关MOS管的源极与第二开关MOS管的漏极连接；第一开关MOS管的源极、第二开关MOS管的漏极以及第二开关MOS管的源极连接形成的第一功率路径为直线；第二开关MOS管的漏极位于第一开关MOS管的源极和第二开关MOS管的源极之间，输入电容位于第一开关MOS管的漏极远离第一开关MOS管的源极的一侧。本申请实施例的半桥电路的开关布局结构，能够缩短功率回路的路径，减少回路寄生电感，使半桥电路更安全可靠。使半桥电路更安全可靠。使半桥电路更安全可靠。

【技术实现步骤摘要】
半桥电路及其开关布局结构


[0001]本申请实施例涉及半导体器件领域，特别涉及一种半桥电路及其开关布局结构。

技术介绍

[0002]在电力电子应用中，随着基于硅的技术接近其发展极限，近年来设计工程师寻求宽禁带技术如氮化镓（Gallium Nitride，GaN）器件来提供方案以追求更高能效和更高开关频率。作为宽禁带的半导体器件，GaN器件有很多有优点，比如门极电荷较低，能够以高达1MHz的频率工作，并且开关损耗极小。
[0003]GaN器件与传统的金属氧化物半导体场效应晶体（Metal oxide semiconductor，MOS）管不同，由于GaN器件没有PN结，因此GaN器件不存在体二极管，在铝镓氮AlGaN/GaN边界表面的二维电子气（Two
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Dimensional Electron Gas，2DEG）可以反向传导电流，但没有反向恢复电荷，所以不会有反向恢复的问题，使GaN器件非常适合硬开关应用。但是，由于GaN器件的雪崩能力有限，通常GaN器件比硅器件更容易受到过压的影响。
[0004]因此，对于分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半桥电路的开关布局结构，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板上的至少一个开关组；所述开关组包括第一开关MOS管、第二开关MOS管和输入电容；所述输入电容的正极与所述第一开关MOS管的漏极连接，所述输入电容的负极与所述第二开关MOS管的源极连接；所述第一开关MOS管的源极与所述第二开关MOS管的漏极连接；所述第一开关MOS管的源极、所述第二开关MOS管的漏极以及所述第二开关MOS管的源极连接形成的第一功率路径为直线；所述第二开关MOS管的漏极位于所述第一开关MOS管的源极和所述第二开关MOS管的源极之间，所述输入电容位于所述第一开关MOS管的漏极远离所述第一开关MOS管的源极的一侧。2.根据权利要求1所述的半桥电路的开关布局结构，其特征在于，所述第一功率路径与第二功率路径相垂直；所述第二功率路径由所述输入电容的正极、所述第一开关MOS管的漏极与所述第一开关MOS管的源极连接形成。3.根据权利要求2所述的半桥电路的开关布局结构，其特征在于，所述第二开关MOS管的源极与所述输入电容的负极形成第三功率路径；所述第一功率路径、所述第二功率路径和所述第三功率路径围成功率回路；所述功率回路的形状为矩形或正方形。4.根据权利要求1所述的半桥电路的开关布局结构，其特征在于，还包括第一隔离驱动器和第二隔离驱动器；所述第一隔离驱动器的栅极与所述第一开关MOS管的栅极连接；...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕俊青，
申请(专利权)人：绍兴圆方半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：