一种改进的TD-SCDMA直放站制造技术

一种改进的ＴＤ－ＳＣＤＭＡ直放站，包括施主天线（２１３）、滤波器（２０１）、环形器（２０２）、上行功率放大器（２０３）、监控单元（２０４）、射频数控衰减器（２０５）、上行低噪声放大器（２０６）、环形器（２０７）、滤波器（２０８）、重发天线（２０９）、下行功率放大器（２１０）、射频数控衰减器（２１１）、下行低噪声放大器（２１２），还包括下行输入功率检测单元、下行输出功率检测单元、上行输入功率检测单元、上行输出功率检测单元和第一、第二射频开关以及组合逻辑判决单元。本实用新型专利技术，制造成本低、容易实现；具有一定的抗干扰功能，不容易发生自激、烧毁功放和低噪放等器件的危险情况。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种改进的ＴＤ－ＳＣＤＭＡ直放站，包括施主天线（２１３）、滤波器（２０１）、环形器（２０２）、上行功率放大器（２０３）、监控单元（２０４）、射频数控衰减器（２０５）、上行低噪声放大器（２０６）、环形器（２０７）、滤波器（２０８）、重发天线（２０９）、下行功率放大器（２１０）、射频数控衰减器（２１１）、下行低噪声放大器（２１２），其特征在于，还包括下行输入功率检测单元、下行输出功率检测单元、上行输入功率检测单元、上行输出功率检测单元和第一、第二射频开关以及组合逻辑判决单元；其中，　　　　下行输入功率检测单元的耦合位置可以在施主天线（２１３）和滤波器（２０１）或滤波器（２０１）和环形器（２０２）或环形器（２０２）和下行低噪声放大器（２１２）或下行低噪声放大器（２１２）和射频数控衰减器（２１１）、射频数控衰减器（２１１）和下行功率放大器（２１０）之间；　　　　下行输出功率检测单元的耦合位置在下行功率放大器（２１０）的输出端；　　　　上行输入功率检测单元的耦合位置可以在重发天线（２０９）和滤波器（２０８）或滤波器（２０８）和环形器（２０７）或环形器（２０７）和上行低噪声放大器（２０６）或上行低噪声放大器（２０６）和射频数控衰减器（２０５）或射频数控衰减器（２０５）和上行功率放大器（２０３）之间；　　　　上行输出功率检测单元的耦合位置在上行功率放大器（２０３）的输出端；　　　　第一射频开关总是保持在下行输入功率检测单元之后；　　　　第二射频开关总是保持在上行输入功率检测单元之后；　　　　组合逻辑判决单元分别和第一、第二射频开关相连。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李承胜，王亚丽，
申请(专利权)人：深圳国人通信有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]