【技术实现步骤摘要】
一种多比特乘累加全数字存内计算装置
[0001]本专利技术涉及电子器件
,特别是涉及一种多比特乘累加全数字存内计算装置。
技术介绍
[0002]在当下边缘计算的数据量迅猛增加的大背景下,原先的冯诺依曼架构中运算和数据分离的模式早已不适合当今时代,极易产生存储墙和功耗墙的问题。为了解决卷积神经网络的大数据量和大吞吐,存内计算架构应运而生。
[0003]当前主流的存内计算架构仍然为模拟密集型电路,这种电路结构易受外界干扰且精度问题较大。
技术实现思路
[0004]为解决现有技术存在的上述问题,本专利技术提供了一种多比特乘累加全数字存内计算装置。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供了如下方案:一种多比特乘累加全数字存内计算装置,包括:驱动模块、SRAM阵列、累加器和时钟控制模块;所述驱动模块与所述SRAM阵列连接;所述驱动模块用于为所述SRAM阵列提供字线激励和输入激励;所述SRAM阵列存储权重数据;所述驱动模块和所述累加器均与所述时钟控制模块连接;所述时钟控制模块用于控制所述SRAM ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多比特乘累加全数字存内计算装置,其特征在于,包括:驱动模块、SRAM阵列、累加器和时钟控制模块;所述驱动模块与所述SRAM阵列连接;所述驱动模块用于为所述SRAM阵列提供字线激励和输入激励;所述SRAM阵列存储权重数据;所述驱动模块和所述累加器均与所述时钟控制模块连接;所述时钟控制模块用于控制所述SRAM阵列的时钟周期;所述所述SRAM阵列与所述累加器连接;所述累加器用于基于所述SRAM阵列中存储的权重数据和输入数据确定时钟周期内的计算结果。2.根据权利要求1所述的多比特乘累加全数字存内计算装置,其特征在于,所述SRAM阵列包括:多个SRAM模块;每一所述SRAM模块均包括:加法树阵列和多个SRAM单元;多个所述SRAM单元均与所述加法树结构连接;所述加法树结构与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔树山,曹景楠,尚德龙,周玉梅,
申请(专利权)人:中科南京智能技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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