一种无励磁分裂变压器调压结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种无励磁分裂变压器调压结构，其中第一高压线圈和第二高压线圈先并联再与第一调压线圈串联，且第一高压线圈、第二高压线圈和第一调压线圈均与调节开关的静触头E连接，第一调压线圈尾端与第二调压线圈首端串联并均与调节开关的静触头C连接，第二调压线圈尾端与调节开关的静触头A连接，第三高压线圈和第四高压线圈先并联再与第三调压线圈串联，且第三高压线圈、第四高压线圈和第三调压线圈均与调节开关的静触头F连接，第三调压线圈首端与第四调压线圈尾端串联并均与调节开关的静触头D连接，第四调压线圈首端与调节开关的静触头B连接。本实用新型专利技术从根本上解决了现有结构由于内部环流导致的局部过热，损耗超标、抗短路能力不足等问题。抗短路能力不足等问题。抗短路能力不足等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种无励磁分裂变压器调压结构


[0001]本技术涉及变压器领域，具体地说是一种无励磁分裂变压器调压结构。

技术介绍

[0002]为了提高变压器的抗短路能力，目前几乎所有的发电厂用高压厂用变压器都采用上下分裂式变压器结构，此种变压器结构紧凑，两个低压线圈在内侧沿竖直方向(轴向)上下分布，高压线圈在外侧与低压线圈相对应布置，即也是上下分布，高压线圈中间进线，上下并联，上下两部分高压线圈内部均设置有串联连接的调压线圈，上下两部分的调压线圈并联后连接到调压开关上，以此达到上下两路调压线圈能够同步切换，然后通过调节调压开关的档位来调节接入的调压线圈匝数，从而实现调节变压器输出电压的目的。
[0003]当变压器全穿越运行时，即内侧的两个低压线圈均处于运行状态，与之对应的外侧的上下两部分高压线圈也同时处于运行状态中，此种运行状态下所有线圈均处于对称的漏磁场环境中，其感应电流也上下对称分布，此时处于安全运行状态下。
[0004]但当变压器处于半穿越运行时，即内侧的两个低压线圈仅一路处于运行状态，另一个低压线圈处于非运行状态，非运行状态的低压线圈内没有电流流过，与之对应的外侧相应支路的高压线圈也同时处于非运行状态，由于此时高压线圈中的调压部分是并联连接，其并联的两个支路处于上下非对称的漏磁场中，两个回路内分别穿过不同的漏磁通，导致两个回路间将感应出内部环流，环流的大小约为正常电流的1.5～2倍，如果处理不当，将引发局部过热、损耗超标等长期运行隐患，严重时会导致抗短路能力不足，根据实际运行情况看，绝大多数的现场短路事故均发生在此处，由此成为整个供电系统的“短板”，给电力系统安全运行带来极大隐患。
[0005]以往实践中，为消除此处隐患，往往采用额外增加调压部分导线截面积的方式，使用与高压主线圈不同规格的导线，同时增大该处导线的应力水平，以提高抗短路水平。但此种方法仅从现象出发，通过人为增加导线规格，虽然一定程度上缓解了矛盾，但却未从根本上解决问题，属于治标而非治本，并且这样处理会导致材料用量增加、变压器整体体积变大、线圈和引线设计复杂以及生产制造困难等问题。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种无励磁分裂变压器调压结构，从根本上解决了现有结构回路间感应出内部环流导致的局部过热，损耗超标、抗短路能力不足等问题。
[0007]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0008]一种无励磁分裂变压器调压结构，包括调节开关、多个高压线圈和多个调压线圈，其中调节开关包括一个动触头和多个静触头，第一高压线圈和第二高压线圈先并联连接，再与第一调压线圈首端串联，且第一高压线圈、第二高压线圈和第一调压线圈首端均与调节开关的静触头E连接，第一调压线圈尾端与第二调压线圈首端串联，且第一调压线圈尾端和第二调压线圈首端均与调节开关的静触头C连接，第二调压线圈尾端与调节开关的静触
头A连接，第三高压线圈和第四高压线圈先并联连接，再与第三调压线圈尾端串联，且第三高压线圈、第四高压线圈和第三调压线圈尾端均与调节开关的静触头F连接，第三调压线圈首端与第四调压线圈尾端串联，且第三调压线圈首端和第四调压线圈尾端均与调节开关的静触头D连接，第四调压线圈首端与调节开关的静触头B连接。
[0009]所述第一高压线圈和第二高压线圈之间设有第一并联线路，且所述第一并联线路通过第一连接线路与调节开关的静触头E连接。
[0010]所述第一调压线圈尾端通过第一串联线路与第二调压线圈首端串联，且所述第一串联线路通过第二连接线路与调节开关的静触头C连接。
[0011]所述第二调压线圈尾端通过第三连接线路与调节开关的静触头A连接。
[0012]所述第三高压线圈和第四高压线圈之间设有第二并联线路，且所述第二并联线路通过第四连接线路与调节开关的静触头F连接。
[0013]所述第三调压线圈首端通过第二串联线路与第四调压线圈尾端串联，且所述第二串联线路通过第五连接线路与调节开关的静触头D连接。
[0014]所述第四调压线圈首端通过第六连接线路与调节开关的静触头B连接。
[0015]相邻静触头通过动触头转动实现连接，其中静触头A和静触头B连接时为1档，所有调压线圈均接入；静触头B和静触头C连接时为2档，第一调压线圈、第四调压线圈、第三调压线圈依次串联接入；静触头C和静触头D连接时为3档，第一调压线圈、第三调压线圈依次串联接入；静触头D和静触头E连接时为4档，第三调压线圈接入；静触头E和静触头F连接时为5档，所有调压线圈均不接入。
[0016]本技术的优点与积极效果为：
[0017]1、本技术高压线圈仍然采用上下并联结构，保证变压器半穿越运行的整体性能不变，即维持原来的半穿越短路阻抗，以确保变压器整体的抗短路水平不变，但所有调压线圈在所有档位运行状态中均处于串联连接，这样就保证了调压线圈即使处于非对称漏磁场中，也不会产生环流问题，无论正常运行还是故障状态，几个调压线圈中流过的电流仅为额定值，无环流叠加，由此避免了因环流带来的损耗增加，温升升高，短路能力差等问题。
[0018]2、变压器半穿越运行容量约为全穿越运行容量的一半，使用本技术调压结构，其调压线圈内流过的电流也约为全穿越运行时的一半，也就意味着其短路电流密度仅为全穿越运行时的一半，也即抗短路能力提高一倍。
[0019]3、本技术包括多个档位，使得变压器半穿越运行时，各个调压线圈能够有序对称接入，保证了最优漏磁平衡，进一步提高了抗短路故障能力。
[0020]4、当变压器运行在最小匝数分接时，本技术结构可处于完全断开状态，即没有电流流通的回路，调压线圈内的电流值为0，电阻损耗值为0，变压器节能降耗性能增加约10％。
[0021]5、本技术解决了环流导致的实际运行电流升高的问题，不必再采用额外增加调压部分导线截面积的方式，使得所需的导线截面积减小，重量降低，直接降低了铜材的使用量，同时间接减少了硅钢和绝缘油等其他材料的使用量。
[0022]6、本技术方便技术改造，只需更换原有的高压线圈，而除高压线圈外的其他部件，如低压线圈、开关、铁芯、油箱等可完全保持不变，既能直接提高产品的运行能效指标和安全性，又通过提升现存的产品寿命，间接提高了现有产品的社会经济效益。
附图说明
[0023]图1为本技术的结构示意图，
[0024]图2为本技术的使用状态示意图一，
[0025]图3为本技术的使用状态示意图二，
[0026]图4为本技术的使用状态示意图三，
[0027]图5为本技术的使用状态示意图四，
[0028]图6为本技术的使用状态示意图五。
[0029]其中，1为调节开关，2为静触头A，3为静触头B，4为静触头C，5为静触头D，6为静触头E,7为静触头F，8为动触头，9为第一串联线路，10为第二并联线路，11为第二调压线圈，12为第三调压线圈，13为第一高压线圈，14为第三高压线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无励磁分裂变压器调压结构，其特征在于：包括调节开关(1)、多个高压线圈和多个调压线圈，其中调节开关(1)包括一个动触头(8)和多个静触头，第一高压线圈(13)和第二高压线圈(23)先并联连接，再与第一调压线圈(21)首端串联，且第一高压线圈(13)、第二高压线圈(23)和第一调压线圈(21)首端均与调节开关(1)的静触头E(6)连接，第一调压线圈(21)尾端与第二调压线圈(11)首端串联，且第一调压线圈(21)尾端和第二调压线圈(11)首端均与调节开关(1)的静触头C(4)连接，第二调压线圈(11)尾端与调节开关(1)的静触头A(2)连接，第三高压线圈(14)和第四高压线圈(24)先并联连接，再与第三调压线圈(12)尾端串联，且第三高压线圈(14)、第四高压线圈(24)和第三调压线圈(12)尾端均与调节开关(1)的静触头F(7)连接，第三调压线圈(12)首端与第四调压线圈(22)尾端串联，且第三调压线圈(12)首端和第四调压线圈(22)尾端均与调节开关(1)的静触头D(5)连接，第四调压线圈(22)首端与调节开关(1)的静触头B(3)连接。2.根据权利要求1所述的无励磁分裂变压器调压结构，其特征在于：所述第一高压线圈(13)和第二高压线圈(23)之间设有第一并联线路(26)，且所述第一并联线路(26)通过第一连接线路(15)与调节开关(1)的静触头E(6)连接。3.根据权利要求1所述的无励磁分裂变压器调压结构，其特征在于：所述第一调压线圈(21)尾端通过第一串联线路(9)与第二调压线圈(11)首端串联，且所述第一串联线路(9)通过第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈邦海，付强，马志凯，周繁，黄丽霞，李嘉明，丛洋铭，
申请(专利权)人：特变电工沈阳变压器集团有限公司，
类型：新型
国别省市：