用于支撑MEMS和/或ASIC部件的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种包括至少一个MEMS或ASIC部件的装置，该装置包括第一层(3，14，114)和在第一层上的MEMS部件和/或ASIC部件(9，18，118)，以及设置在第一层上或上方的第二层(15，26，126)，第二层包括接收MEMS部件和/或ASIC部件的腔(21，28，128)。第二层还包括至少一个馈通(23，30，130)，用于传输电信号和/或电磁信号和/或流体和/或力。和/或流体和/或力。和/或流体和/或力。

【技术实现步骤摘要】
用于支撑MEMS和/或ASIC部件的装置


[0001]本专利技术涉及一种用于支撑微机电系统(MEMS)和/或专用集成电路(ASIC)部件的装置以及这种装置的阵列。

技术介绍

[0002]MEMS可以包括压力传感器、温度传感器、加速度计(可变电容或压阻)、力传感器、磁场传感器等。
[0003]为了处理MEMS捕获的传感器信号，MEMS传感器通常与专用集成电路(ASIC)相连。其用于信号调节，将MEMS的模拟信号转换为数字或模拟信号输出，数字或模拟信号输出通常包括与校准数据相关的传感器补偿，校准数据在校准过程中获得并存储在ASIC中。
[0004]从EP 3 309 826 A1可知，在陶瓷基底中加工形成腔，用于包围MEMS部件，从而提供无凝胶装置，并允许减小装置的占地面积。实际上，当使用陶瓷作为基底时，可以使用用于腔和/或盖的较薄的壁。陶瓷盖结合到基底，用于保护MEMS部件。
[0005]然而，在隔离陶瓷基底中形成的腔需要提供引线接合连接，用于将MEMS部件电连接到装置的其他元件。

技术实现思路

[0006本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括至少一个MEMS或ASIC部件的装置，包括第一层(3，14，114)和所述第一层上的MEMS部件和/或ASIC部件(9，18，118)，以及设置在所述第一层上或上方的第二层(15，26，126),所述第二层包括接收所述MEMS部件和/或ASIC部件的腔(21，28，128)，其特征在于，所述第二层还包括至少一个馈通(23，30，130)，用于传输电信号和/或电磁信号和/或流体和/或力。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少一个馈通(23，30，130)的表面(30a)至少部分地被导电材料层(25，32，132)覆盖，或者所述至少一个馈通填充有导电材料(25，32，132)。3.根据权利要求1所述的装置，其中：所述第二层(15，26，126)的面向所述第一层(3，14，114)的表面(19，26b)和/或所述第二层(15，26，126)的与面对所述第一层(3，14，114)的表面(19，26b)相对的表面(17，26a)包括导电迹线(107)。4.根据权利要求1所述的装置，其中，在所述第二层(15)上或上方设置另外的MEMS部件和/或另外的ASIC部件(103)，特别是在所述第二层(15)的与面对所述第一层(3)的表面(19)相对的表面(17)上或上方，所述第二层(15)的所述另外的MEMS部件和/或另外的ASIC部件(103)通过所述至少一个馈通(23)中的至少一个电和/或流体连接到所述第一层(3)。5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一层(3)的MEMS部件和/或ASIC部件(9)通过所述至少一个馈通(23)和所述导电迹线(107)电连接到所述第二层(15)的所述另外的MEMS部件和/或另外的ASIC部件(103)。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一层(3)包括至少一个馈通(111，203，205)，所述第一层的所述至少一个馈通尤其被布置成与所述第二层(15)中的所述至少一个馈通(109，207，209)对准。7.根据权利要求5所述的装置，还包括设置在第三层(16，116)上或上方的至少一个另外的MEMS部件和/或ASIC部件(20，120)，其中，所述第三层(16，116)被布置成使得所述第三层和所述第一层(14，114)将所述第二层(26，126)夹在中间，并且其中所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：I布伦纳，JF勒尼尔，T阿诺尔德，
申请(专利权)人：泰科电子连接解决方案有限责任公司，
类型：发明
国别省市：