一种功率结构体和制备方法以及设备技术

本申请实施例公开了一种功率结构体和制备方法以及设备，用于提供集成度高的功率结构体，满足高频大功率领域的需求。本申请实施例提供一种功率结构体，包括：第一基板，第二基板，驱动芯片，功率芯片和导电部件，其中，第一基板的第一表面和第二基板的第二表面相对设置；导电部件的第一端与第一表面连接，导电部件的第二端与第二表面连接；驱动芯片设置于第一基板；功率芯片设置于第二基板。功率芯片设置于第二基板。功率芯片设置于第二基板。

【技术实现步骤摘要】
一种功率结构体和制备方法以及设备


[0001]本申请涉及电路
，尤其涉及一种功率结构体和制备方法以及设备。

技术介绍

[0002]电源管理中不断面向用户的多种需求，例如用户需要更多的功能和更高的性能，用户需要减小电源产品的几何尺寸，以获得缩小的电源产品。有时用户的多种需求又是相互冲突的，这就需要更优的电源解决方案，例如转换效率，瞬态响应，噪声功率密度，以满足严格的性能要求和最终产品的外形尺寸需求。
[0003]电源产品可以应用于多种领域，例如数据中心电源，适配器电源，逆变器电源等。例如电源产品可以是封装级电源(power supply in a package，PSIP)。PSIP可以提供较优的性能，无需在转换效率，瞬态响应，噪声功率密度方面进行折衷。
[0004]电源产品对功率和应用频率的要求越来越高，使得电源产品不断的向大功率，高频率，高功率密度的方向演进。例如，PSIP不断的朝着大功率，高频率，高功率密度的方向演进。
[0005]目前的电源产品无法做到业界所需的集成度，难以适应产品小型化的发展趋势。另外，目前的电源产品的寄生参数大，不能满足兆赫兹以上的高频大功率领域的需求。

技术实现思路

[0006]本申请实施例提供了一种功率结构体和制备方法以及设备，用于提供集成度高的功率结构体，满足高频大功率领域的需求。
[0007]为解决上述技术问题，本申请实施例提供以下技术方案：
[0008]第一方面，本申请实施例提供一种功率结构体，包括：第一基板，第二基板，驱动芯片，功率芯片和导电部件，其中，第一基板的第一表面和第二基板的第二表面相对设置；导电部件的第一端与第一表面连接，导电部件的第二端与第二表面连接；驱动芯片设置于第一基板；功率芯片设置于第二基板。
[0009]在上述方案中，第一基板具有第一表面，第二基板具有第二表面，第一表面和第二表面相对设置，功率芯片设置于第二基板，从而功率芯片处于第一基板和第二基板之间，另外驱动芯片设置于第一基板，因此功率芯片和驱动芯片设置在两个基板上，功率芯片和驱动芯片属于基于两个基板的堆叠结构，提高了功率结构体的集成度。导电部件具有第一端和第二端，第一端与第一表面连接，第二端与第二表面连接，该导电部件可以将第一基板和第二基板连接起来，导电部件导通第一基板与第二基板，通过导电部件可实现第一基板和第二基板之间的电气传输，降低功率结构体的寄生参数，满足高频大功率领域的需求。
[0010]在一种可能的实现方式中，功率结构体还包括：封装体，其中，封装体包覆于所述第一基板的第一表面，所述第二基板，所述驱动芯片，所述功率芯片和所述导电部件。在上述方案中，封装体起到对功率结构体的内部结构的封装作用。驱动芯片，功率芯片和导电部件都被封装到该封装体中，从而可以得到密封的功率结构体。例如该功率结构体可以是通
过导电部件互连双基板的三维高密封装结构。
[0011]在一种可能的实现方式中，驱动芯片设置于所述第一基板的第一表面，或者嵌入于所述第一基板之内；所述功率芯片设置于所述第二基板的第二表面。例如，驱动芯片位于第一表面，且朝向第二表面。在上述方案中，驱动芯片和功率芯片设置在第一基板和第二基板之间，驱动芯片和功率芯片设置在不同的平面上，该功率结构体为三维结构体。可以实现功率结构体的器件小型化和高集成度。
[0012]在一种可能的实现方式中，驱动芯片设置于所述第二基板的第二表面；所述功率芯片设置于所述第二基板的第二表面。在上述方案中，功率结构体包括多个驱动芯片，有的驱动芯片设置于第一基板，有的驱动芯片设置于第二基板，驱动芯片和功率芯片设置在第一基板和第二基板之间，驱动芯片和功率芯片设置在不同的平面上，该功率结构体为三维结构体。可以实现功率结构体的器件小型化和高集成度。
[0013]在一种可能的实现方式中，导电部件位于第一表面和第二表面之间。在上述方案中，该导电部件可以是导电柱，导电柱位于第一表面和第二表面之间。本申请实施例中导电部件除了导电还可以起到支撑作用，使得功率芯片和驱动芯片可以设置在该第一基板和第二基板之间的空间中。又如，功率结构体还包括电子元件，该电子元件也可以设置在第一基板和第二基板之间的空间中。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述第一端与所述第一表面焊接，所述第二端与所述第二表面焊接。例如，第一端通过第一焊料与第一表面连接，第二端通过第二焊料与第二表面连接。在上述方案中，导电部件可以通过焊料实现与第一基板、第二基板的连接，通过使用焊料可以使得导电部件与第一基板、第二基板固定在一起，从而可以形成第一基板和第二基板之间的空间。
[0015]在一种可能的实现方式中，功率结构体还包括：电子元件，其中，所述电子元件设置于所述第一基板的第一表面，和/或所述第二基板的第二表面。例如，该电子元件具体为第一电子元件，其中，第一电子元件设置于第一表面，且朝向第二表面。在上述方案中，第一电子元件可以和驱动芯片并排设置在第一基板的第一表面上，该第一电子元件可以设置在第一基板和第二基板之间的空间中，第一电子元件可以和功率芯片分布在不同的平面上，因此功率结构体为三维结构体，有利于功率结构体的小型化设计。例如，该电子元件具体为第二电子元件，第二电子元件设置于第二表面，且朝向第一表面。在上述方案中，第二电子元件可以和功率芯片并排设置在第二基板的第二表面上，该第二电子元件可以设置在第一基板和第二基板之间的空间中，第二电子元件可以和驱动芯片分布在不同的平面上，因此功率结构体为三维结构体，有利于功率结构体的小型化设计。例如，该电子元件有多个，有的电子元件设置于第一表面，有的电子元件设置于第二表面。在上述方案中，电子元件可以设置在第一基板和第二基板之间的空间中，电子元件可以和驱动芯片分布在不同的平面上，因此功率结构体为三维结构体，有利于功率结构体的小型化设计。
[0016]在一种可能的实现方式中，功率结构体还包括：散热模块，其中，散热模块设置于第二基板的背面。例如，第二基板包括第三表面，第二基板的第二表面和第三表面是相背的两个表面，第二基板的第三表面是第二基板的反面，例如第三表面用于设置散热模块。功率芯片和散热模块分别设置在第二基板的不同表面上，功率芯片被封装体封装，但是散热模块没有被封装体封装，因此散热模块可以用于对功率结构体的散热，例如该功率结构体可
以是通过导电部件互连双基板的三维高密高导热封装结构。
[0017]在一种可能的实现方式中，功率结构体还包括：焊盘，其中，焊盘位于第一基板的第四表面，第四表面为第一表面的背面。在上述方案中，第一基板的第四表面和第一表面是相背的两个表面，第一基板的第四表面是第一基板的反面，例如第四表面用于设置焊盘。驱动芯片和焊盘分别设置在第一基板的不同表面上，驱动芯片被封装体封装，但是焊盘没有被封装体封装，该焊盘可用于功率结构体与外界其它设备的电气连接。
[0018]在一种可能的实现方式中，第一基板为第一埋嵌式基板，其中，在第一埋嵌式基板之内设有驱动芯片。在上述方案中，驱动芯片埋设在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率结构体，其特征在于，所述功率结构体包括：第一基板，第二基板，驱动芯片，功率芯片和导电部件，其中，所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第二表面相对设置；所述导电部件的第一端与所述第一表面连接，所述导电部件的第二端与所述第二表面连接；所述驱动芯片设置于所述第一基板；所述功率芯片设置于所述第二基板。2.根据权利要求1所述的功率结构体，其特征在于，所述功率结构体还包括：封装体，所述封装体包覆于所述第一基板的第一表面，所述第二基板，所述驱动芯片，所述功率芯片和所述导电部件。3.根据权利要求1或2所述的功率结构体，其特征在于，所述驱动芯片设置于所述第一基板的第一表面，或者嵌入于所述第一基板之内；所述功率芯片设置于所述第二基板的第二表面。4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率结构体，其特征在于，所述第一端与所述第一表面焊接，所述第二端与所述第二表面焊接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率结构体，其特征在于，所述功率结构体还包括：电子元件，其中，所述电子元件设置于所述第一基板的第一表面和/或所述第二基板的第二表面。6.根据权利要求1至5中任一项所述的功率结构体，其特征在于，所述功率结构体还包括：散热模块，其中，所述散热模块设置于所述第二基板的第二表面的背面。7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率结构体，其特征在于，所述第二基板为陶瓷覆铜板。8.一种功率结构体，其特征在于，所述功率结构体包括：第一基板，第二基板，驱动芯片，功率芯片，导电线，第一封装体和粘性模，其中，所述功率芯片位于所述第二基板的第二表面；所述第一封装体包覆于所述第二基板的第二表面和所述功率芯片；所述第一基板通过所述粘性模粘贴于所述第一封装体上；所述驱动芯片设置于所述第一基板；所述导电线的一端连接所述第一基板，所述导电线的另一端连接所述第二基板。9.根据权利要求8所述的功率结构体，其特征在于，所述功率结构体还包括：导电部件，其中，所述导电部件的第一端与所述第二基板的第二表面连接。10.根据权利要求9所述的功率结构体，其特征在于，所述功率结构体还包括：第二封装体，其中，所述第二封装体包覆于所述第一基板，所述第二基板的第二表面，所述驱动芯片，所述功率芯片和所述导电部件，其中，所述导电部件的第二端露出所述第二封装体。11.根据权利要求8至10中任一项所述的功率结构体，其特征在于，
所述驱动芯片设置于所述第一基板的第一表面，或者嵌入于所述第一基板之内；所述功率芯片设置于所述第二基板的第二表面。12...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，徐佳慧，陈百友，姚伟伟，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：