半导体存储模块、装置及存储器系统制造方法及图纸

本公开提供一种半导体存储模块、装置和存储器系统，半导体存储模块包括设置有多个存储芯片的基体和设置于基体第一侧的第一连接部，以及设置于基体第二侧的第二连接部，第一连接部上设置第一导电结构，第二连接部上设置第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构与多个存储芯片电连接，形成第一信号通路。本公开中，两个半导体存储模块之间可通过第一连接部和第二连接部进行连接，由于第一连接部和第二连接部上均设置有导电结构，且均与半导体存储模块上的存储芯片电连接，从而在半导体存储模块连接在一起时，不同半导体存储模块的第一信号通路之间形成电连接，通过第一连接部和第二连接部即可实现内存容量的扩展，扩展方式简单，易于实现。易于实现。易于实现。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储模块、装置及存储器系统


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体存储模块、装置及存储器系统。

技术介绍

[0002]半导体存储器是指利用半导体(例如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等)进行实作的存储器装置。动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)体积小、集成度高、功耗低，同时速度比只读存储器(ROM，Read Only Memory)快，可广泛应用于服务器、电脑等设备内存中。
[0003]扩展内存容量是提升系统的性能和稳定性的有效方法，然而，现有的扩展内存的方式存在实现难度大、灵活度低等问题。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开第一方面提供一种半导体存储模块，所述半导体存储模块包括：
[0006]基体；
[0007]多个存储芯片，设置于所述基体上；
[0008]第一连接部，设置于所述基体的第一侧，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储模块，其特征在于，所述半导体存储模块包括：基体；多个存储芯片，设置于所述基体上；第一连接部，设置于所述基体的第一侧，所述第一连接部上设置有第一导电结构；第二连接部，设置于所述基体的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，所述第二连接部上设置有第二导电结构；其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构均与所述多个存储芯片电连接，以形成用于传输第一信号的第一信号通路。2.根据权利要求1所述的半导体存储模块，其特征在于，所述基体包括板部以及与所述板部的第一侧边相连的插槽；所述插槽包括槽底壁和槽侧壁，所述槽底壁与所述第一侧边相连，所述插槽的开口朝向背离所述板部的方向；所述板部包括芯片设置区和导电结构设置区，所述芯片设置区位于所述插槽和所述导电结构设置区之间，所述多个存储芯片设置于所述芯片设置区，所述第二导电结构设置于所述导电结构设置区；所述插槽构成所述第一连接部，位于所述导电结构设置区的所述板部构成所述第二连接部。3.根据权利要求2所述的半导体存储模块，其特征在于，所述第一导电结构设置于所述槽侧壁的内表面上；所述第二导电结构设置于位于所述导电结构设置区的所述板部的外侧面上。4.根据权利要求2所述的半导体存储模块，其特征在于，所述槽侧壁上设置有第一卡接结构，位于所述导电结构设置区的所述板部上设置有第二卡接结构。5.根据权利要求4所述的半导体存储模块，其特征在于，所述第一卡接结构和所述第二卡接结构两者之一包括卡接孔，所述第一卡接结构和所述第二卡接结构两者另一包括弹性卡接部。6.根据权利要求5所述的半导体存储模块，其特征在于，所述卡接孔设置于所述槽侧壁上，所述弹性卡接部设置于所述板部上；其中，所述弹性卡接部包括柱体以及与所述柱体的一端相连的半球体，所述板部上设置有安装孔，所述柱体的至少部分结构位于所述安装孔内，所述柱体上套设有弹性件，所述弹性件的一端抵靠于所述板部，所述弹性件的另一端抵靠于所述半球体。7.根据权利要求4所述的半导体存储模块，其特征在于，沿第一方向，所述第一卡接结构设置于所述第一导电结构的两侧，所述第二卡接结构设置于所述第二导电结构的两侧，所述第一方向平行于所述第一侧边的延伸方向。8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体存储模块，其特征在于，所述基体上设置有第一金属线层，所述第一金属线层连接所述第一导电结构和所述多个存储芯片；...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡政，郭恒飞，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：