用于近似计算的磁性存储芯片、模组及系统级封装芯片技术方案

本发明专利技术涉及存储器技术领域，公开了一种用于近似计算的磁性存储芯片、模组以及系统级封装芯片。所述磁性存储芯片包括若干存储区块，所述存储区块包括存储阵列、读电路、写电路和/或地址译码电路；所述磁性存储模组或系统级封装芯片包括若干所述磁性存储芯片、控制电路以及模组数据接口电路。所述磁性存储芯片中的每个存储区块配置的写电路和/或读电路相互独立，且各个写电路和/或读电路基于预设应用场景独立设置电流幅度和/或脉宽，使得不同存储区块具有不同的错码率，在不影响近似计算结果的情况下降低系统的计算功耗和成本，提高计算速度。速度。速度。

Magnetic memory chips, modules and system level packaging chips for approximate calculation

【技术实现步骤摘要】
用于近似计算的磁性存储芯片、模组及系统级封装芯片


[0001]本专利技术涉及存储器
，具体涉及一种用于近似计算的磁性存储芯片、模组及系统级封装芯片。

技术介绍

[0002]集成电路产品中通常包含处理器和存储器，数据在处理器中进行计算，计算结果保存在存储器中。集成电路产品工作时，数据在处理器与存储器之间来回传输。在集成电路的发展过程中，存储器技术的发展滞后于处理器技术的发展，从而导致存储器的性能成为计算的瓶颈，限制了产品整体性能的提升。这种严重阻碍处理器性能发挥的内存瓶颈命名为“内存墙”（Memory Wall）。为了解决内存墙问题，需要一种高速度，大容量，性能优异的存储器。
[0003]磁性随机存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）是近年来发展起来的一种新型非易失性（Non
‑
Volatile）的存储器。非易失性为当电源关闭的时候，存储器存储的数据不会消失。MRAM中的核心器件是磁性隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）。如图1所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于近似计算的磁性存储芯片，其特征在于，包括若干存储区块、芯片内部控制电路以及芯片内部接口电路；所述存储区块包括存储阵列，以及读电路、写电路、地址译码电路；所述读电路、写电路、地址译码电路、芯片内部控制电路和芯片内部接口电路用于实现对存储单元的读写、寻址、控制、自检、以及数据的输入输出；所述存储阵列包含若干存储单元，所述存储单元包括存取晶体管和磁性隧道结，磁性隧道结用于存储数据，存取晶体管用于控制对存储在所述磁性隧道结内的数据的访问和读写；所述磁性隧道结由磁性固定层，磁性自由层，以及磁性固定层和磁性自由层之间的隧穿势垒层组成；所述磁性存储芯片中的每个存储区块配置的写电路相互独立，且各个写电路基于预设应用场景独立设置写电流或写电压幅度和/或脉宽，使得不同存储区块具有不同的写错码率。2.根据权利要求1所述的用于近似计算的磁性存储芯片，其特征在于：所述磁性存储芯片中的每个存储区块配置的读电路相互独立，且各个读电路基于预设应用场景独立设置读电流或读电压幅度和/或脉宽，使得不同存储区块具有不同的读错码率。3.根据权利要求1所述的用于近似计算的磁性存储芯片，其特征在于：所述写电压脉冲施加至磁性隧道结的两个电极，产生写电流脉冲；所述写电流或写电压在磁性隧道结两个电极之间产生的电压在其平均值
±
0.2V的范围内变化；所述写电流或写电压脉宽的变化范围为0.5
‑
1000 ns。4.根据权利要求2所述的用于近似计算的磁性存储芯片，其特征在于：所述读电压脉冲施加至磁性隧道结的两个电极，产生读电流脉冲；所述读电流或读电压在磁性隧道结两个电极之间产生的电压在0.05
‑
0.25V的范围内变化；所述读电流或读电压脉宽的变化范围为0.5
‑
200 ns。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的用于近似计算的磁性存储芯片，其特征在于：每个存储区块的写/读电路包含一个或多个写/读操作配置寄存器，所述寄存器写/读配置数据基于应用场景要求设定，所述寄存器控制写/读电路输出对应的电流或电压。6.根据权利要求1
‑
4任一项所述的用于近似计算的磁性存储芯片，其特征在于：所述磁性存储芯片中的每个存储区块的磁性隧道结基于预设应用场景设置不同的尺寸，其中对于存储非关键数据的存储区块，使用尺寸较小的磁性隧道结;所述磁性隧道结尺寸的变化范围为磁性隧道结尺寸平均值
±
30%。7.一种用于近似计算的磁性存储模组，其特征在于：包括若干根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋信，刘瑞盛，喻涛，简红，
申请(专利权)人：波平方科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：