一种集成芯片的加工制备工艺制造技术

本发明专利技术属于芯片加工技术领域，公开了一种集成芯片的加工制备工艺，包括，S1：获取Wafer，将Wafer作为衬底；S2：确定蚀刻区域，将不同封装体放置于Wafer衬底上，描绘蚀刻区域；S3：进行蚀刻，将获描绘后蚀刻区域，在Wafer上进行蚀刻，其中蚀刻后可放置芯片数量至少为一个；S4：在蚀刻区域内，放置对应的芯片；S5：对放置后的芯片进行加工。S2中，描绘的蚀刻区域与封装体的形状大小一致。本发明专利技术可以实现高度集中的封装体，整体芯片整体非常牢固，不易损坏，提高了整体的使用寿命，便于推广应用。本方法无需金线的使用，信赖性更好，减少了金线连接容易出现故障、信号断开的情况，更加实用。更加实用。更加实用。

【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片的加工制备工艺


[0001]本专利技术属于芯片加工
，具体涉及一种集成芯片的加工制备工艺。

技术介绍

[0002]不同厂家或者不同类型的芯片，目前使用的是Chip On Board，然后使用金线实现电性连接。
[0003]现有的继承芯片，难以将将不同类型、厂家的芯片，集中在同一个wafer上，现有技术多通过常规的芯片制程，实现电性连接，然后将集成在一起的集合体，切割分离出来，形成一个新的封装体，但此种方式灵活性较低，难以根据不同的芯片功能进行整合使用，且稳定性相对较差，金线的连接使得芯片很容易出现故障、信号断开，为此我们提出一种集成芯片的加工制备工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种集成芯片的加工制备工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的继承芯片，难以将将不同类型、厂家的芯片，集中在同一个wafer上，现有技术多通过常规的芯片制程，实现电性连接，然后将集成在一起的集合体，切割分离出来，形成一个新的封装体，但此种方式灵活性较低，难以根据不同的芯片功能进行整合使用，且稳定性相对较差等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：包括，S1：获取Wafer，将Wafer作为衬底；S2：确定蚀刻区域，将不同封装体放置于Wafer衬底上，描绘蚀刻区域；S3：进行蚀刻，将获描绘后蚀刻区域，在Wafer上进行蚀刻，其中蚀刻后可放置芯片数量至少为一个；S4：在蚀刻区域内，放置对应的芯片；S5：对放置后的芯片进行加工。2.根据权利要求1所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：S2中，描绘的蚀刻区域与封装体的形状大小一致。3.根据权利要求1所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：S3中，蚀刻后的Wafer具有凹槽，其中，凹槽的深度与放置的芯片高度一致，当芯片放置完成后，芯片的顶壁与Wafer的顶壁处于同一个平面内。4.根据权利要求3所述的一种集成芯片的加工制备工艺，其特征在于：凹槽的深度为1.0
‑
1.7um，且P刻蚀工艺刻蚀到衬底的宽度为10
...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢维，
申请(专利权)人：江苏鼎茂半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：