一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺制造技术

本发明专利技术涉及芯片底座技术领域，本发明专利技术公开了一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺，芯片底座包括底面和周边面，底面的材质为铜，周边面的材质为高导铝，并通过芯片底座模具铸造成型；步骤(1)、超声波除油；步骤(2)、碱蚀处理；步骤(3)、电镀处理；镀铬

【技术实现步骤摘要】
一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺


[0001]本专利技术涉及芯片底座
，具体为一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺。

技术介绍

[0002]底座是激光器的心脏位置，底座用于散发芯片运行时产生的热量，增加芯片热成焊接附着力，其性能对激光器起着决定性的作用；目前，底座在制造时，采用传统电镀的方式在其表面镀银，但是镀银的方式在长期使用来看存在以下缺点：零件镀银后易出现局部无镀层、镀银层结合力差、盲孔与型腔根部容易起皮和起泡的质量问题，同时底座存在导热率低，会影响芯片运行时的性能，降低了芯片使用寿命。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺，以达到高导热率、可得到均匀、细致、外观银白色的镀银层，避免芯片底座出现局部无镀层、镀银层结合力差的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺，芯片底座包括底面和周边面，底面的材质为铜，周边面的材质为高导铝，并通过芯片底座模具铸造成型；
[0005]芯片底座的整体镀银工艺包括以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺，其特征在于，芯片底座包括底面和周边面，底面的材质为铜，周边面的材质为高导铝，并通过芯片底座模具铸造成型；芯片底座的整体镀银工艺包括以下步骤；步骤(1)、超声波除油；在超声波清洗机内利用去离子水将除油剂稀释到所需液位，并在温度40
‑
60℃下，将芯片底座清洗4
‑
10min；步骤(2)、碱蚀处理；S1、100
‑
110g/L氢氧化钠，40
‑
50g/L高锰酸钾；温度70
‑
80℃，时间8
‑
12min进行氧化处理；S2、40
‑
60g/L氢氧化钠，20
‑
30mL/L缓蚀剂；温度40
‑
60℃，时间3
‑
5min进行碱蚀处理，碱蚀处理后采用超声波彻底清洗；S3、400
‑
450mL/L硝酸，60
‑
80mL/L氟化氢；温度20
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25℃，时间40
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60S进行出光处理；步骤(3)、电镀处理；镀铬
‑
预镀镍
‑
镀铜；步骤(4)、预镀银；l
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2g/LAg+，60
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70g/L氰化钾；电流密度，3—6A/dm2，温度20
‑
30℃，时间10
‑
30s；步骤(5)、光亮镀银；18
‑
35g/LAg+，100
‑
120g/L游离的氰化钾，8
‑
15mL/L光亮剂，15
‑
20mL/L光亮剂B；电流密度1
‑
1.5A/dm2；温度20
‑
30℃，根据镀层厚度确定时间；步骤(6)、清洗好的零件经100
‑
120℃烘干后冷却至室温，浸保护剂，经120
‑
150℃烘干并保温1
‑
1.5h。2.根据权利要求1所述的一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺，其特征在于：步骤(1)中，除油剂为氢氧化钠、碳酸钠、磷酸钠和乳化剂的混合液，其浓度为，氢氧化钠5L、碳酸钠5g/L、磷酸钠50g/L和乳化剂102g/L。3.根据权利要求1所述的一种铜铝混合芯片底座的整体镀银工艺，其特征在于：步骤(3)中，镀铬的参数为：1
‑
1.5mL/L硫酸，230
‑
240g/L三氧化铬；温度65

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋国华，张卫星，陈从天，
申请(专利权)人：江苏固家智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：