一种引线框架粗化工艺制造技术

本申请涉及引线框架粗化的技术领域，具体公开了一种引线框架粗化工艺。一种引线框架粗化工艺，首先对引线框架进行清洁流程，随后进行电镀工序，得到带镀层的引线框架，将带镀层的引线框架清洗后得到待粗化引线框架，再用粗化药水对待粗化引线框架进行喷淋工序。本申请提供的一种引线框架粗化工艺，可使引线框架表面粗化良好，且粗化工艺成本较低、工艺简单稳定，粗化的引线框架良品率高，适用于规模化生产，能够满足行业内对电路芯片的可靠性要求。能够满足行业内对电路芯片的可靠性要求。

A coarsening process of lead frame

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架粗化工艺


[0001]本申请涉及引线框架粗化的
，更具体地说，它涉及一种引线框架粗化工艺。

技术介绍

[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于金丝、铝丝或铜丝等键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键构件，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。近年来，半导体封装行业对集成电路芯片的可靠性要求越来越高，而提高芯片可靠性的其中一个方法就是增加引线框架表面的粗糙度，进而增强引线框架与封装树脂的结合力，从而避免芯片在MSL测试中发生引线框架与封装树脂分层的现象。
[0003]如今比较成熟的引线框架表面粗化工艺主要有ME2工艺和棕色氧化工艺。ME2工艺的原理是将引线框架在药水中浸泡并通电腐蚀，使得引线框架表面形成许多较规律的、直径相当的圆形凹坑，以此增加铜表面的粗糙程度。然而ME2工艺的成本较高，不利于规模化生产。棕色氧化工艺则是在电镀完成后，使用强氧化剂在引线框架表面沉积一层海绵状的有机金属转化膜，转化膜与封装树脂的结合力大于铜与封装树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架粗化工艺，其特征在于，包括以下步骤：预处理：对引线框架进行清洁流程，随后进行电镀工序，得到带镀层的引线框架，将所述带镀层的引线框架清洗后得到待粗化引线框架；喷淋粗化：用粗化药水对所述待粗化引线框架进行喷淋工序。2.根据权利要求1所述的一种引线框架粗化工艺，其特征在于：所述带镀层的引线框架的镀层为厚度在4
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8μm范围内的铜层。3.根据权利要求2所述的一种引线框架粗化工艺，其特征在于：所述电镀工序使用的电镀药水含有三氰合铜（Ⅰ）酸根离子和氰离子；所述电镀工序的阳极为无氧铜柱，所述电镀工序的阴极为所述引线框架。4.根据权利要求3所述的一种引线框架粗化工艺，其特征在于：在所述电镀药水中，以质量浓度的比例计，所述三氰合铜（Ⅰ）酸根离子：所述氰离子为5:3。5.根据权利要求1所述的一种引线框架粗化工艺，其特征在于：所述电镀工序控制电流密度为3
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗小平，郑建国，
申请(专利权)人：崇辉半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：