含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法技术

SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法


[0001]本专利技术涉及含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制法。

技术介绍

[0002]SiC(碳化硅)作为能够以低损耗控制大电压以及大功率的宽带隙材料而受到关注。特别是近年来，使用了SiC材料的半导体功率器件(SiC功率器件)与使用Si半导体的半导体功率器件相比，在小型化、低消耗功率化以及高效率化方面表现优异，因此期待在各种用途中使用。例如，通过采用SiC功率器件，能够使适用于电动汽车(EV)、插电式混合动力车辆(PHEV)的转换器、变换器、车载充电器等小型化而提高效率。
[0003]在制作SiC功率器件时，需要在作为基底基板的SiC单晶基板上使SiC外延层生长，但若存在于SiC单晶基板的基面位错(BPD)直接延续到SiC外延层，则有时会引起SiC器件致命的缺陷，因此不优选。因此，在专利文献1、2中，研究了在SiC单晶基板上外延生长SiC时，将有害的BPD转换为无害的刃型位错(TED)的方法。另外，专利文献3中公开了通过在SiC单晶中添加规定量的Nb、Ta、Mo、W、Ir，难以产生由在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种含有稀土的SiC基板，其含有稀土元素，所述稀土元素的浓度为1
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10
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原子/cm3以上且1
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原子/cm3以下。2.根据权利要求1所述的含有稀土的SiC基板，其中，所述含有稀土的SiC基板含有Al，Al的浓度为1
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原子/cm3以上且1
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原子/cm3以下。3.根据权利要求2所述的含有稀土的SiC基板，其中，(Al的浓度)/(稀土元素的浓度)为1
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‑2以上且1
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105以下。4.根据权利要求2或3所述的含有稀土的SiC基板，其中，所述含有稀土的SiC基板含有N，N的浓度为1
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1...

【专利技术属性】
技术研发人员：松岛洁，渡边守道，吉川润，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：