一种碳化硅外延生长设备及其气源输送装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种碳化硅外延生长设备及其气源输送装置，其中，所述气源输送装置包括多个气源入口；气源输送通道，内部至少设有一个锥形结构体，所述锥形结构体将所述气源输送通道的内腔分隔成多个相互独立的通道；及气源混合区，设置在所述气源输送通道的出口端；所述气源入口的数量与所述气源输送通道的内部的通道数量一致。本实用新型专利技术的气源输送装置使生长源进入反应室之前混合更加均匀，提高碳化硅外延层的厚度均匀性及掺杂浓度的均匀性。化硅外延层的厚度均匀性及掺杂浓度的均匀性。化硅外延层的厚度均匀性及掺杂浓度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅外延生长设备及其气源输送装置


[0001]本技术涉及半导体生长设备
，具体涉及一种碳化硅外延生长设备及其气源输送装置。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)材料是继第一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体(砷化镓GaAs)后的第三代宽禁带半导体材料。碳化硅晶体结构具有同质多型的特点，其基本结构是Si
‑
C的四面体结构，属于密堆积结构。碳化硅具有更高的禁带宽度、高临界击穿电场、高导热率、高载流子饱和漂移速度等优越的性能，在半导体照明、电力电子器件、激光器、探测器等领域具有广阔的应用前景。
[0003]碳化硅外延层的制备是在碳化硅单晶衬底上生长同质外延生长碳化硅外延层，在生长过程中碳化硅外延层的掺杂较为困难，很难达到器件制造要求。目前，碳化硅外延材料一般采用化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition，简称为CVD)制备，生长过程中生长气体在外延层直径方向上的耗尽导致了外延层上局部分点的生长速率及掺杂浓度随气源混合均匀性、气源流速和位置的变化量，造成碳化硅外延厚度及掺杂浓度的不均匀性。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延生长设备的气源输送装置，所述气源输送装置设置在所述碳化硅外延生长设备的反应室的一侧，其特征在于，所述气源输送装置包括：多个气源入口；气源输送通道，内部至少设有一个锥形结构体，所述锥形结构体将所述气源输送通道的内腔分隔成多个相互独立的通道；及气源混合区，设置在所述气源输送通道的出口端；所述气源入口的数量与所述气源输送通道的内部的通道数量一致。2.根据权利要求1所述的气源输送装置，其特征在于，所述锥形结构体包括：第一锥部，位于所述气源输送通道的入口端；第二锥部，位于所述气源输送通道的出口端；及中间部，位于所述第一锥部与所述第二锥部之间。3.根据权利要求1或2所述的气源输送装置，其特征在于，所述气源输送通道的内部设有第一锥形结构体及与所述第一锥形结构体并排设置的第二锥形结构体。4.根据权利要求3所述的气源输送装置，其特征在于，所述第一锥形结构体及所述第二锥形结构体将所述气源输送通道的内腔分为互相独立的第一通道、第二通道及第三通道。5.根据权利要求4所述的气源输送装置，其特征在于，所述气源输送装置包括：第一气源入口，对应于所述第一通道的入口；第二气源入口，对应于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴从俊，周长健，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：