一种IGBT和MOS动态参数测试用尖峰电压箝位电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT和MOS动态参数测试用尖峰电压箝位电路，包括TVS管、二极管、补偿电容和限流电阻；所述TVS管的正极与二极管的正极连接，所述TVS管的负极通过限流电阻后接IGBT的集电极，所述二极管的负极接在驱动与IGBT的栅极之间；所述补偿电容两端分别与TVS管和二极管的负极连接。本实用新型专利技术通过TVS管、二极管和补偿电容的配合工作，在只有几十纳秒的电压尖峰时，IGBT的集电极的高电压通过补偿电容传递至栅极使尖峰电压减小，尖峰电压被控制。从而解决了在双脉冲测试环境中的极窄脉宽的尖峰电压难以控制的问题。脉宽的尖峰电压难以控制的问题。脉宽的尖峰电压难以控制的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT和MOS动态参数测试用尖峰电压箝位电路


[0001]本技术涉及功率半导体测试
，具体为一种IGBT和MOS动态参数测试用尖峰电压箝位电路。

技术介绍

[0002]尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。电机、补偿电容器和功率转换设备(如变速驱动器)是产生尖峰电压的主要因素。通常情况下，为防止尖峰电压的瞬时干扰造成电子电路及设备损坏，给人们带来无法估量的损失，采用TVS(Transient Voltage Suppressor瞬态二极管)或齐纳稳压管来进行钳位限制。
[0003]在IGBT\MOS双脉冲测试时，由于寄生电感的存在，使器件在关断时也会产生超过器件额定电压的浪涌尖峰。这种尖峰电压脉宽一般在几百纳秒以内，甚至仅有几纳秒。而TVS管在开启的几十纳秒内不具备稳压效果，此时若继续采用TVS管，可以使两端电压抑制标称值附近，这对于DC电压是适用的，但对于脉宽只有几十纳秒的尖峰电压来说，TVS管的作用就不甚理想。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题在于：解决双脉冲测试环境中的尖峰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT和MOS动态参数测试用尖峰电压箝位电路，IGBT的发射极与栅极均与驱动连接，其特征在于：包括限流电阻(1)、TVS管(2)、二极管(3)和补偿电容(4)；所述TVS管(2)的正极与二极管(3)的正极连接，所述TVS管(2)的负极通过限流电阻(1)后接IGBT的集电极，所述二极管(3)的负极接在驱动与IGBT的栅极之间；所述补偿电容(4)两端分别与TVS管(2)和二极管(3)的负极连接。2.根据权利要求1所述的IGBT和...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向峰，
申请(专利权)人：科威尔技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：