测试保护电路及测试装置制造方法及图纸

本申请公开一种测试保护电路及测试装置。测试保护电路包括：第一开关管，用于根据主测试电路的状态进行导通或断开；电流采样电路，与第一开关管连接，用于对所述第一开关管的电流进行采样；保护电路，与所述第一开关管连接，用于当所述第一开关管的电流大于电流采样电路的预设电流阈值时，通过控制保护电路断开对主测试电路进行过流保护。本申请在电压输入端与第一开关管之间加入保护电路，当电流采样电路采样的第一开关管的电流大于预设电流阈值时，控制保护电路断开，使得电压输入端与主测试电路彻底断开，不再有漏电流流过，从而对主测试电路进行过流保护。测试电路进行过流保护。测试电路进行过流保护。

【技术实现步骤摘要】
测试保护电路及测试装置


[0001]本申请涉及测试电路设计
，具体涉及一种测试保护电路及测试装置。

技术介绍

[0002]氮化镓是氮和镓的化合物，化学式GaN，是一种半导体，常用在晶体管中，例如GaNMOS管。相关技术中，对GaNMOS管进行测试的测试电路中，当测试的GaNMOS管失效时，测试电路的开关管会断开，但是开关管在断开的时候仍有很小的漏电流流过，容易对部分特殊器件造成损坏。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种测试保护电路及测试装置，可以对主测试电路提供过流保护。
[0004]本申请提供的一种测试保护电路，包括：
[0005]第一开关管，用于根据主测试电路的状态进行导通或断开；
[0006]电流采样电路，与所述第一开关管连接，用于对所述第一开关管的电流进行采样；
[0007]保护电路，与所述第一开关管连接，用于当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，通过控制所述保护电路断开对所述主测试电路进行过流保护。
[0008]可选地，所述电流采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试保护电路，其特征在于，包括：第一开关管，用于根据主测试电路的状态进行导通或断开；电流采样电路，与所述第一开关管连接，用于对所述第一开关管的电流进行采样；保护电路，与所述第一开关管连接，用于当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，通过控制所述保护电路断开对所述主测试电路进行过流保护。2.根据权利要求1所述的测试保护电路，其特征在于，所述电流采样电路包括第四二极管、第五二极管、第四电阻、第二电容和第七二极管，所述第一开关管通过所述第四二极管与所述第五二极管、所述第四电阻、所述第二电容、所述第七二极管连接。3.根据权利要求1所述的测试保护电路，其特征在于，所述保护电路包括比较自锁电路、主控制电路、继电器控制电路和继电器，所述电流采样电路、所述比较自锁电路、所述主控制电路、所述继电器控制电路、所述继电器依次连接，所述继电器连接于电压输入端和所述第一开关管之间；当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，所述比较自锁电路工作，所述主控制电路通过所述继电器控制电路控制所述继电器断开，对所述主测试电路进行过流保护。4.根据权利要求3所述的测试保护电路，其特征在于，所述比较自锁电路包括第一电压比较器和第二开关管，所述第一电压比较器的正相输入端与所述电流采样电路连接，所述第一电压比较器的输出端与所述第一电压比较器的正相输入端连接，所述第一电压比较器的输出端通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：何秋阳，罗鹏，刘家才，李鑫，
申请(专利权)人：成都氮矽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：