本申请公开一种测试保护电路及测试装置。测试保护电路包括：第一开关管，用于根据主测试电路的状态进行导通或断开；电流采样电路，与第一开关管连接，用于对所述第一开关管的电流进行采样；保护电路，与所述第一开关管连接，用于当所述第一开关管的电流大于电流采样电路的预设电流阈值时，通过控制保护电路断开对主测试电路进行过流保护。本申请在电压输入端与第一开关管之间加入保护电路，当电流采样电路采样的第一开关管的电流大于预设电流阈值时，控制保护电路断开，使得电压输入端与主测试电路彻底断开，不再有漏电流流过，从而对主测试电路进行过流保护。测试电路进行过流保护。测试电路进行过流保护。
【技术实现步骤摘要】
测试保护电路及测试装置
[0001]本申请涉及测试电路设计
，具体涉及一种测试保护电路及测试装置。
技术介绍
[0002]氮化镓是氮和镓的化合物，化学式GaN，是一种半导体，常用在晶体管中，例如GaNMOS管。相关技术中，对GaNMOS管进行测试的测试电路中，当测试的GaNMOS管失效时，测试电路的开关管会断开，但是开关管在断开的时候仍有很小的漏电流流过，容易对部分特殊器件造成损坏。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种测试保护电路及测试装置，可以对主测试电路提供过流保护。
[0004]本申请提供的一种测试保护电路，包括：
[0005]第一开关管，用于根据主测试电路的状态进行导通或断开；
[0006]电流采样电路，与所述第一开关管连接，用于对所述第一开关管的电流进行采样；
[0007]保护电路，与所述第一开关管连接，用于当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，通过控制所述保护电路断开对所述主测试电路进行过流保护。
[0008]可选地，所述电流采样电路包括第四二极管、第五二极管、第四电阻、第二电容和第七二极管，所述第一开关管通过所述第四二极管与所述第五二极管、所述第四电阻、所述第二电容、所述第七二极管连接。
[0009]可选地，所述保护电路包括比较自锁电路、主控制电路、继电器控制电路和继电器，所述电流采样电路、所述比较自锁电路、所述主控制电路、所述继电器控制电路、所述继电器依次连接，所述继电器连接于电压输入端和所述第一开关管之间；
[0010]当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，所述比较自锁电路工作，所述主控制电路通过所述继电器控制电路控制所述继电器断开，对所述主测试电路进行过流保护。
[0011]可选地，所述比较自锁电路包括第一电压比较器和第二开关管，所述第一电压比较器的正相输入端与所述电流采样电路连接，所述第一电压比较器的输出端与所述第一电压比较器的正相输入端连接，所述第一电压比较器的输出端通过所述第二开关管与所述主控制电路连接；
[0012]当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，所述第一电压比较器的输出端输出高电平反馈至所述第一电压比较器的正相输入端，实现自锁。
[0013]可选地，所述主控制电路包括控制芯片和分压电路，所述分压电路分别与所述第二开关管和所述控制芯片连接，用于根据所述第二开关管的导通或断开传输对应的电压给所述控制芯片，所述控制芯片与所述第一开关管、所述继电器控制电路连接。
[0014]可选地，所述继电器控制电路包括第二电压比较器和第一三极管，所述第二电压比较器的正相输入端与所述控制芯片连接，所述第二电压比较器的输出端通过所述第一三极管与所述继电器连接。
[0015]可选地，测试保护电路还包括复位电路，所述复位电路与所述第一电压比较器的正相输入端连接。
[0016]可选地，所述复位电路包括脉冲信号输入端和第二三极管，所述脉冲信号输入端与所述第二三极管连接，所述第二三极管与所述第一电压比较器的正相输入端连接。
[0017]本申请提供的一种测试装置，包括主测试电路和如上任一项所述的测试保护电路，所述测试保护电路与所述主测试电路连接。
[0018]可选地，所述主测试电路用于对晶体管的性能进行测试，所述晶体管为氮化镓晶体管。
[0019]本申请实施例的测试保护电路，在电压输入端与第一开关管之间加入保护电路，当电流采样电路采样的第一开关管的电流(第一开关管的电流与主测试电路的电流相等)大于预设电流阈值时，控制保护电路断开，使得电压输入端与主测试电路彻底断开，不再有漏电流流过，从而对主测试电路进行过流保护。
附图说明
[0020]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本申请一实施例的测试保护电路在测试场景中的连接结构示意图；
[0022]图2是本申请一实施例的测试保护电路的电路示意图。
[0023]本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
[0024]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例及附图，对本申请技术方案进行清楚地描述。显然，所描述实施例仅是一部分实施例，而非全部。基于本申请中的实施例，在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0025]第一方面，本申请实施例提供一种测试保护电路。图1是本申请一实施例的测试保护电路在测试场景中的连接结构示意图。请参见图1，测试保护电路100与主测试电路连接。主测试电路用于测试晶体管，例如GaNMOS管等。测试保护电路100串接在电压输入端与主测试电路之间，用于在主测试电路对晶体管的测试过程中对主测试电路进行过流保护，避免对主测试电路中的部分特殊器件造成损坏。
[0026]在一些实施例中，测试保护电路100包括：
[0027]第一开关管，连接主测试电路，用于根据主测试电路的状态进行导通或断开；
[0028]电流采样电路110，连接第一开关管，用于对第一开关管的电流进行采样；
[0029]保护电路120，连接于电压输入端和第一开关管之间，用于当第一开关管的电流大于电流采样电路的预设电流阈值时，通过控制保护电路120断开对主测试电路进行过流保护。
[0030]现有的测试电路中，电压输入端直接通过第一开关管与主测试电路连接。当主测试电路发生异常时，第一开关管会断开，但是第一开关管在断开的时候仍有很小的漏电流流至主测试电路，容易对主测试电路中的特殊器件(例如晶体管的驱动芯片)造成损坏。本申请实施例在电压输入端与第一开关管之间加入保护电路120，当电流采样电路110采样的第一开关管的电流(第一开关管的电流与主测试电路的电流相等)大于预设电流阈值时，表明主测试电路可能发生异常，此时控制保护电路120断开，使得电压输入端与主测试电路彻底断开，不再有漏电流流过，从而对主测试电路进行过流保护。
[0031]图2是本申请一实施例的测试保护电路的电路示意图。请参见图2，在一些实施例中，电流采样电路110包括第四二极管D4、第五二极管D5、第四电阻R4、第二电容C2和第七二极管D7。第一开关管Q3通过第四二极管D4与第五二极管D5、第四电阻R4、第二电容C2和第七二极管D7连接。
[0032]第四二极管D4可以防止电压输入端VDC输入的3本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测试保护电路，其特征在于，包括：第一开关管，用于根据主测试电路的状态进行导通或断开；电流采样电路，与所述第一开关管连接，用于对所述第一开关管的电流进行采样；保护电路，与所述第一开关管连接，用于当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，通过控制所述保护电路断开对所述主测试电路进行过流保护。2.根据权利要求1所述的测试保护电路，其特征在于，所述电流采样电路包括第四二极管、第五二极管、第四电阻、第二电容和第七二极管，所述第一开关管通过所述第四二极管与所述第五二极管、所述第四电阻、所述第二电容、所述第七二极管连接。3.根据权利要求1所述的测试保护电路，其特征在于，所述保护电路包括比较自锁电路、主控制电路、继电器控制电路和继电器，所述电流采样电路、所述比较自锁电路、所述主控制电路、所述继电器控制电路、所述继电器依次连接，所述继电器连接于电压输入端和所述第一开关管之间；当所述第一开关管的电流大于所述电流采样电路的预设电流阈值时，所述比较自锁电路工作，所述主控制电路通过所述继电器控制电路控制所述继电器断开，对所述主测试电路进行过流保护。4.根据权利要求3所述的测试保护电路，其特征在于，所述比较自锁电路包括第一电压比较器和第二开关管，所述第一电压比较器的正相输入端与所述电流采样电路连接，所述第一电压比较器的输出端与所述第一电压比较器的正相输入端连接，所述第一电压比较器的输出端通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：何秋阳，罗鹏，刘家才，李鑫，
申请(专利权)人：成都氮矽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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