【技术实现步骤摘要】
一种晶体制备装置
[0001]本说明书涉及晶体制备
,特别涉及一种基于液相法制备晶体的装置。
技术介绍
[0002]在基于液相法(例如,液相外延法(liquid phase epitaxy,LPE))制备晶体(例如,碳化硅)时,原料中的易挥发组分会向上运动甚至蒸发为气态继续上溢至外部保温组件,造成原料的过度消耗,且挥发过程导致原料中组分偏离,影响晶体生长。此外,上溢的蒸气会影响保温组件的保温性能。因此,有必要提供一种晶体制备装置,改善易挥发组分的运动情况,进一步保证晶体的正常生长。
技术实现思路
[0003]本说明书实施例之一提供一种晶体制备装置,用于液相法制备晶体,所述装置包括:生长腔体,所述生长腔体内设置至少一层板组件,其中,所述至少一层板组件上包括通孔;加热组件,用于加热所述生长腔体;连接组件,用于连接籽晶托以支撑籽晶;以及动力组件,用于带动所述连接组件旋转和/或上下运动,以带动所述籽晶托旋转和/或上下运动。
[0004]在一些实施例中,相邻所述板组件的所述通孔相互交错。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体制备装置,用于液相法制备晶体,其特征在于,所述装置包括:生长腔体,所述生长腔体内设置至少一层板组件,其中,所述至少一层板组件上包括通孔;加热组件,用于加热所述生长腔体;连接组件,用于连接籽晶托以支撑籽晶;以及动力组件,用于带动所述连接组件旋转和/或上下运动,以带动所述籽晶托旋转和/或上下运动。2.根据权利要求1所述的晶体制备装置,其特征在于,相邻所述板组件的所述通孔相互交错。3.根据权利要求1所述的晶体制备装置,其特征在于,对于所述至少一层板组件中的至少一个,所述通孔的开口面积总和与所述板组件的上表面面积的比值在30%
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80%范围内。4.根据权利要求1所述的晶体制备装置,其特征在于,所述通孔的密度自所述板组件的中心至边缘逐渐降低。5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:王宇,官伟明,梁振兴,李敏,
申请(专利权)人:眉山博雅新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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