一种超疏水SERS阵列传感器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种超疏水SERS阵列传感器的制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：基底的清洗与表面处理；制备阵列孔洞结构的PDMS芯片；基底与PDMS芯片键合形成基底芯片；在SERS传感器基底芯片的阵列微孔洞内生长碳掺杂的Ag纳米复合材料形成超疏水SERS阵列传感器。本发明专利技术制得的超疏水SERS阵列传感器可以用于检测食品中的三聚氰胺检测，本发明专利技术的制备方法新颖，成本低、检测灵敏度高、稳定性好，可同时对多个样本、多种物质进行同时检测。多种物质进行同时检测。多种物质进行同时检测。

【技术实现步骤摘要】
一种超疏水SERS阵列传感器及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及生物检测领域，特别涉及一种超疏水SERS阵列传感器及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]近年来，由于中毒事件的频繁发生，食品安全已成为一个亟待关注的问题。三聚氰胺(1,3,5
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三嗪
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2,4,6
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三胺)富含氮，氮是一种有机化合物，经常被非法添加到乳制品中以提高蛋白质水平。众所周知，婴儿和动物摄入高浓度的三聚氰胺会导致生殖系统或肾脏出现病变，在某些情况下甚至会死亡。世界卫生组织(WHO)和美国食品和药物管理局(USFDA)明确规定，婴儿配方奶粉中的三聚氰胺含量不应超过1.0毫克/公斤，液态奶制品和其他食品，它应小于2.5毫克/公斤。因此，有必要研制一种简单、超灵敏、快速、稳定、高通量的三聚氰胺检测传感器。
[0003]近年来，人们开发了多种高效的方法来加快对食品中三聚氰胺的有效检测。如气相色谱
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质谱联用仪(GC
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MS)、高效液相色谱法(HPLC)、液相色谱
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超疏水SERS阵列传感器，其特征在于，包括基底和键合于其上的PDMS芯片，所述PDMS芯片上开设贯穿芯片的阵列孔洞，所述基底上位于阵列孔洞的区域生长有碳掺杂的Ag纳米复合材料。2.根据权利要求1所述的一种超疏水SERS阵列传感器，其特征在于，所述基底材质为石英玻璃、亚克力、氮化镓或氧化锌中的一种。3.一种如权利要求1所述的超疏水SERS阵列传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)基底的清洗与表面处理：将基底在食人鱼溶液中煮沸后，用去离子水进行超声清洗；然后将清洗过的基底采用等离子清洗机进行表面处理；(2)制备阵列孔洞结构的PDMS芯片：将PDMS与固化剂均匀铺到阵列孔洞模板中，放入烘箱中，烘烤一段时间后取出，在室温下放置一段时间；从阵列孔洞模板上将两者的结合体揭下，然后制备成具有阵列孔洞结构的PDMS芯片；(3)基底芯片组装：将PDMS芯片用去离子水清洗之后，放置在处理好后的干净的基底上，让其通过重力的作用键合固定在一起，得到基底芯片；(4)生长碳掺杂的Ag纳米复合材料形成超疏水SERS阵列传感器：将CPC溶液和硝酸银溶液混合，室温下搅拌，然后加入氢氧化钠溶液，继续搅拌；将制得的溶液加入基底芯片的阵列孔洞内，在室温下静置6
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18h，即得到超疏水SERS阵列传感器。4.根据权利要求3所述的一种超疏水SERS阵列传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，烘箱中的烘烤温度为80℃，烘烤1
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2h。5.根据权利要求3所述的一种超疏水SERS阵列传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，三种溶液的浓度比为CPC：AgNO3：NaOH＝1:1:100～1:1:500。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩琳，邱教艳，张宇，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：