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本发明公开了一种超疏水SERS阵列传感器的制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：基底的清洗与表面处理；制备阵列孔洞结构的PDMS芯片；基底与PDMS芯片键合形成基底芯片；在SERS传感器基底芯片的阵列微孔洞内生长碳掺杂的Ag纳米复合材料形成...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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