跨电源域静电放电保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种跨电源域静电放电保护电路，在VDD1与VSS1之间连接有箝位电路一，在VDD1与VSS2之间连接有器件SCR1，SCR1的阳极与VDD1相连，SCR1的阴极与VSS2相连，SCR1的P阱与VSS1相连；在VDD2与VSS2之间连接有箝位电路二，在VDD2与VSS2之间连接有器件SCR2，SCR2的阳极与VDD2相连，SCR2的阴极与VSS1相连，SCR2的P阱与VSS2相连。本发明专利技术的结构，只需要把传统方案中的隔离二极管扩展为SCR器件并进行合适的连接，所增加的版图面积较小，扩展的SCR器件通过最基本结构构成即可，不需要额外增加触发电路。电路。电路。

【技术实现步骤摘要】
跨电源域静电放电保护电路


[0001]本专利技术属于集成电路静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)防护
，涉及一种跨电源域静电放电保护电路。

技术介绍

[0002]随着集成电路行业的快速发展，元器件的特征尺寸不断减小，氧化层越来越薄，集成电路元件对于静电放电现象也越来越敏感，造成大量集成电路由于ESD事件而失效，其中跨电源域的ESD设计是一个难点。这主要是因为不同的电源域的地线之间往往需要通过二极管进行隔离，以减少不同电源域的噪声带来的串扰。然而，当发生不同电源域之间的ESD事件时，由于上述隔离二极管的存在增加了一部分压降，导致端电压更高，集成电路更容易受损。因此，需要设计出新型的跨电源域ESD保护电路，从而适应集成电路行业的发展。
[0003]现有的典型的具有隔离电源域的电路框图如图1所示，其中电源域1产生输出信号并发送给电源域2的接收端B。当发生从电源域1的电源线VDD1到电源域2的地线VSS2的放电时，ESD电流从VDD1流入箝位电路A，经过地线VSS1流入隔离二极管D1，再通过地线VSS2流入地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种跨电源域静电放电保护电路，其特征在于：在VDD1与VSS1之间连接有箝位电路一(11)，在VDD1与VSS2之间连接有器件SCR1，SCR1的阳极与VDD1相连，SCR1的阴极与VSS2相连，SCR1的P阱与VSS1相连；在VDD2与VSS2之间连接有箝位电路二(12)，在VDD2与VSS2之间连接有器件SCR2，SCR2的阳极与VDD2相连，SCR2的阴极与VSS1相连，SCR2的P阱与VSS2相连。2.根据权利要求1所述的跨电源域静电放电保护电路，其特征在于：所述的箝位电路一(11)与箝位电路二(12)结构一致，器件SCR1与器件SCR2结构一致。3.根据权利要求2所述的跨电源域静电放电保护电路，其特征在于：所述的箝位电路一(11)包括RC网络、反相器和放电管，其中，RC网络由电容C1和电阻R1组成，电容C1的一端与VSS1相连，电容C1的另一端与电阻R1相连，电阻R1的另一端与VDD1相连；电容C1和电阻R1的公共连接点作为RC检测的输出信号CLK；反相器由N型场效应晶体管Mn1和P型场效应晶体管Mp1组成，放电管采用N型场效应晶体管Mc1，N型场效应晶体管Mn1的源极与VSS1相连，栅极与RC检测的输出信号CLK相连，漏极与P型场效应晶体管Mp1的漏极相连；P型场效应晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨兆年，胡耀博，张航，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：