当前位置: 首页 > 专利查询>武汉大学专利>正文

硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器制造技术

技术编号:34477981 阅读:28 留言:0更新日期:2022-08-10 08:53
本申请公开了一种硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,涉及传感器芯片的技术领域,所述传感器包括:传感振荡电路,其包括并联谐振支路和负阻产生支路;所述并联谐振支路包括近场传感电容和两个电感L,所述近场传感电容的两端各通过一所述电感L接正向电源V

【技术实现步骤摘要】
硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器


[0001]本申请涉及传感器芯片的
,特别涉及一种硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器。

技术介绍

[0002]在生物和医学诊断中,常常采用片上实验室(lab

on

chip)系统进行检测和传感,而片上实验室还依赖于光学测量技术,尽管光学测量技术能够提供较为精确的视觉结果,但光学测量技术中的测量系统主要由笨重的光学设备和测试台构成,难以在生物医疗即时检测中真正实现小型化设计的目标。同时,光学测量技术中还需要进行生物标记,即荧光标记,而这些标记会存在着改变待化验材料的性质的隐患。

技术实现思路

[0003]为了解决至少一个上述的技术问题,本申请实施例提供一种硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器。
[0004]本申请实施例提供了一种硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,所述传感器上集成有:
[0005]传感振荡电路,其包括并联谐振支路和负阻产生支路;
[0006]所述并联谐振支路包括近场传感电容和两个电感L,所述近场传感电容的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,其特征在于,所述传感器上集成有:传感振荡电路,其包括并联谐振支路和负阻产生支路;所述并联谐振支路包括近场传感电容和两个电感L,所述近场传感电容的两端各通过一所述电感L接正向电源V
DD
;所述负阻产生支路与两个所述电感L远离所述正向电源V
DD
的一端均相连;同时,若所述近场传感电容处于检测状态时,则所述传感振荡电路被配置为根据不同的待测物产生对应的振荡频率,以供确定当前振荡频率下的介电常数。2.如权利要求1所述的硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,其特征在于,所述近场传感电容包括条形近场传感电容。3.如权利要求2所述的硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,其特征在于,所述条形近场传感电容包括:两个梳齿状的导体,一个所述导体上的各个梳齿伸到另一个所述导体上的各个梳齿的间隙中,使得任意相邻的两个梳齿均形成一个单元传感电容。4.如权利要求3所述的硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,其特征在于,所述单元传感电容包含衬底层和该衬底层上的氧化层,该氧化层中还刻蚀有金属电极。5.如权利要求3所述的硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,其特征在于,所述负阻产生支路包括晶体管M1、晶体管M2和晶体管M3,两个电感L分别定义为第一电感L1和第二电感L2;其中,所述晶体管M1的漏级与所述第一电感L1远离所述正向电源V
DD
的一端相连,栅极与所述晶体管M2的漏级相连;所述晶体管M2的漏级还与所述第二电感L2远离所述正向电源V
DD
的一端相连,栅极与所述晶体管M1的漏级相连;所述晶体管M3的漏级与所述晶体管M1和所述晶体管M2的源极均相连,栅极接偏置电压V
b
,源极接地。6.如权利要求5所述的硅基近场毫米波生物医学介电振荡传感器,其特征在于,所述传感器上还集成有:缓冲电路,其设在所述近场...

【专利技术属性】
技术研发人员:何进郑吴家锐纪忠玲邱涛周江桥
申请(专利权)人:武汉大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1