一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，包括场效应管主体，所述场效应管主体包括基层，所述基层的表面固定连接有抗干扰层，所述抗干扰层的表面固定连接有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的表面固定连接导热层，所述导热层的表面固定连接有散热层，所述场效应管主体的顶部固定连接有连接板，连接板的内腔开设有通孔，所述场效应管主体底部的左侧固定连接有栅极。本实用新型专利技术通过基层、抗干扰层、耐腐蚀层、导热层和散热层的配合使用，具备耐腐蚀效果好和提高散热效果的优点，能够有效的解决目前基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，耐腐蚀效果差，同时散热效果不理想，因此无法满足使用需求的问题。因此无法满足使用需求的问题。因此无法满足使用需求的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管


[0001]本技术涉及场效应管
，具体为一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管。

技术介绍

[0002]MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，场效晶体管（场效应晶体管、场效应管)是一种三极管，包括源极、栅极和漏极，场效应晶体管通过向栅极施加电压来控制电流，这反过来会改变漏极和源极之间的电导率，场效应晶体管因其只需要一种载流子起作用，故又称为单极型晶体管，目前基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，耐腐蚀效果差，同时散热效果不理想，因此无法满足使用需求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，具备耐腐蚀效果好和提高散热效果的优点，解决了目前基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，耐腐蚀效果差，同时散热效果不理想，因此无法满足使用需求的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，包括场效应管主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，包括场效应管主体（1），其特征在于：所述场效应管主体（1）包括基层（101），所述基层（101）的表面固定连接有抗干扰层（102），所述抗干扰层（102）的表面固定连接有耐腐蚀层（103），所述耐腐蚀层（103）的表面固定连接导热层（104），所述导热层（104）的表面固定连接有散热层（105）。2.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，其特征在于：所述场效应管主体（1）的顶部固定连接有连接板，连接板的内腔开设有通孔。3.根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，其特征在于：所述场效应管主体（1）底部的左侧固定连接有栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海英，章珂，
申请(专利权)人：深圳市鸿洋四洲科技有限公司，
类型：新型
国别省市：