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本实用新型公开了一种基于碳化硅的350V嵌入式MOSFET场效应管，包括场效应管主体，所述场效应管主体包括基层，所述基层的表面固定连接有抗干扰层，所述抗干扰层的表面固定连接有耐腐蚀层，所述耐腐蚀层的表面固定连接导热层，所述导热层的表面固定连...
该专利属于深圳市鸿洋四洲科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市鸿洋四洲科技有限公司授权不得商用。

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