一种泥炭藓的种植方法技术

本发明专利技术公开了一种在水体表面种植泥炭藓的方法，利用开放水面种植泥炭藓，而不占用耕地；同时采用该方法可以避免泥炭藓种植需要特别生态环境的土地的限制因素，扩大泥炭藓的种植地域范围。该方法用到浮板装置，浮板上需要设置隔断提供支撑，使泥炭藓能够向上生长，配合适当的种植方法，可以实现泥炭藓大规模种植。植。

【技术实现步骤摘要】
一种泥炭藓的种植方法


[0001]本专利技术涉及泥炭藓种植领域，具体涉及泥炭藓在水体表面的种植方法。

技术介绍

[0002]泥炭藓是最具有经济价值的苔藓植物。泥炭藓被广泛运用于花卉栽培和包装；是日本制造清酒的燃料；其腐烂所制成的泥炭土，既是高品质的商业用栽培基质也是土壤修复的重要材料。每年世界范围的泥炭藓产值达近十亿美金。泥炭藓湿地对于固定二氧化碳，涵养水源具有无可替代的生态作用。
[0003]我国是泥炭藓出口大国，但泥炭藓采收对于湿地生态系统造成了极大的破坏。在加拿大已有比较成熟的泥炭藓种植行业，但在我国，由于泥炭藓种植技术的落后，泥炭藓种植效率很低，极大地限制了泥炭藓种植业的发展。中国专利文献CN104909462A公开了一种以水质净化为目的的泥炭藓移植方法，该方法的主要目的是水质净化，在方法中涉及泥炭藓移植。该方法不考虑泥炭藓的成活与生长，缺乏很多重要的与泥炭藓成活相干的重要指标要求和参数。例如：缺乏种植泥炭藓的状态、部位和大小，无法保证泥炭藓的成活与种植效果；种植密度5
‑
15棵/cm2，实际上一棵正常泥炭藓的头部面积就至少0.5cm2，用该密度种植泥炭藓会浪费大量泥炭藓活体，根本达不到种植泥炭藓的目的。且该方法对于移植水体没有要求，而泥炭藓对于生活水体质量有较大要求。该方法中种植桶直接浸入水中，对泥炭藓生长不利。此外，该方法是用泡沫板将种植桶漂浮起来，一板一桶，种植面积非常受限，结构复杂，不能大规模开展。中国专利CN200310104033.2，CN201410519610.2，CN201410519469.6，CN201410519666.8，CN201610994215.9和CN201810313779.0分别公开了一种水苔种植方法，一种密叶泥炭藓人工种植方法，一种粗叶泥炭藓人工种植方法，一种多纹泥炭藓人工种植方法，这几种方法中都需要在具有适宜适度温度条件的土地表面进行，而泥炭藓生长对环境要求高，因此适宜种植泥炭藓的土地很少，这极大地限制了泥炭藓种植的发展。

技术实现思路

[0004]为了克服上述现有技术存在的缺陷，本专利技术提出了一种在水面种植泥炭藓的方法，所述方法可以使泥炭藓在水体表面漂浮生长，可以避免泥炭藓种植需要特别生态环境的土地的限制因素，扩大泥炭藓的种植地域范围，而且采用所述方法获得的泥炭藓具有土壤污染少，更加干净，品质更加均匀的优点。
[0005]本专利技术提出了一种在水体表面种植泥炭藓的方法，所述方法包括以下步骤：
[0006]1)制作漂浮培养装置：采用辅助漂浮材料上面加隔板，隔出若干培养小室或底部透水培养盆加辅助漂浮材料或直接成型的分割成若干小室的泡沫盘作为漂浮培养装置；在辅助漂浮材料或泡沫盘上均匀打若干洞，用导水布条从孔中穿过，并贯穿辅助漂浮材料或泡沫盘，使之一端置于水中，一端在漂浮培养装置水上部分。
[0007]2)在所述漂浮培养装置的小室底部均匀分散一定量干泥炭藓碎片。
[0008]3)将所述漂浮培养装置放置于具有一定光照条件，酸碱适宜的淡水水体表面。
[0009]4)待导水布条充分吸水以后，取泥炭藓种苗，以适当的密度种到漂浮培养装置中，进行生长。
[0010]步骤1)中，所述辅助漂浮材料为浮板、空心管、竹筒、泡沫板、轻木等。
[0011]步骤1)中，所述漂浮培养装置可在承载所种泥炭藓的重量漂浮在水面上，装置周围有一定围挡。
[0012]本专利技术中，所述培养小室、透水培养盆、若干小室的泡沫盘含义相同，均用来种植泥炭藓。
[0013]步骤1)中，所述每个培养小室或底部透水培养盆的边长或直径大小为5
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20cm，每个培养小室或底部透水培养盆的深度为8
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20cm；优选地，所述每个培养小室或底部透水培养盆的边长或直径大小为8
‑
12cm，每个培养小室或底部透水培养盆的深度为10
‑
15cm。
[0014]步骤1)中，所述每个培养小室或底部透水培养盆底部至少有一个孔；优选地，为一个孔。
[0015]所述孔的直径为0.4
‑
2cm；优选地，为1cm。
[0016]步骤1)中，所述导水布条为上宽，下窄型，可以为倒三角形，也可以是上正方形，下长方形。所述导水布条的材质不限，使用导水性能好的材质即可。所述导水布条在水中的长度>2cm，所述导水布条在培养小室中的部分可以平铺在培养容器底部，以能够布满1/2以上的面积为宜。
[0017]步骤2)中，所述干泥炭藓的厚度为1
‑
8cm；优选地，为1
‑
2cm。
[0018]步骤2)中，所述干泥炭藓必须没有腐败植物体掺杂其中，来源和种类不限。
[0019]步骤2)中，所述干泥炭藓碎片的长度大约为1
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5cm长。
[0020]步骤3)中，所述一定光照为光源是白光，光强为4000
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20000LUX，光周期为昼8
‑
18小时/夜16
‑
6小时。
[0021]步骤3)中，所述适宜酸碱度为pH 4
‑
6.5。
[0022]步骤4)中，所述泥炭藓种苗可以是大田种植的新鲜绿色泥炭藓头部，也可以是室内通过组织培养获得的小茎叶体。
[0023]步骤4)中，所述适当的种植密度是指，接种的泥炭藓头部相互接触，能够布满小室底部。接种小茎叶体也要相互接触布满超过底部1/2面积。
[0024]进一步地，本专利技术所述方法中，如果种植地区湿度较小的话，可以在浮板表面覆保水膜一段时间。
[0025]其中，所述覆膜是指无毒透明膜，材质PE或其它。可以是透明地膜，也可以是透明大棚膜，膜厚度2S
‑
12S。
[0026]其中，所述一段时间是指30
‑
45天。
[0027]其中，所述湿度较小是指水分含量小于70％。
[0028]进一步地，本专利技术所述方法中，泥炭藓在湿度较大，温度适宜的季节生长良好，而在湿度较小，温度过热或过冷季节会生长缓慢，此时可以适当覆膜保湿，保暖。
[0029]所述较大湿度为>80％，适宜温度为15
‑
25
゜
C。
[0030]本专利技术所述装置可以反复使用，将生长到一定程度的泥炭藓收获后再种新的种苗即可。
[0031]本专利技术还提供了由上述方法培养得到的泥炭藓。
[0032]与现有技术相比，本专利技术能够实现在非泥炭藓自然分布地种植泥炭藓。例如在上海和北京开展泥炭藓的种植。且所获得的泥炭藓的株型、株高都不逊于泥炭藓在自然分布地的生长效果，且泥沙、野草污染较少。此外，本方法提供了在水面种植泥炭藓的方法，节约大量农田面积，同时，泥炭藓在水面种植，可以吸收湿地中释放的甲烷，具有重要生态价值和碳汇潜力。
[0033]本专利技术还提出了一种如上所述的漂浮培养装置，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在水体表面种植泥炭藓的方法，其特征在于，包含如下几个步骤：1)制作漂浮培养装置：采用辅助漂浮材料上面加隔板，隔出若干培养小室或底部透水培养盆加辅助漂浮材料或直接成型的分割成若干培养小室的泡沫盘作为漂浮培养装置；在所述辅助漂浮材料或泡沫盘上均匀打若干洞；用导水布条从孔中穿过，并贯穿辅助漂浮材料或泡沫盘，使之一端置于水中，一端在所述漂浮培养装置水上部分；2)在所述漂浮培养装置的导水布条上均匀分散一定量干泥炭藓碎片；3)将所述漂浮培养装置放置于具有一定光照条件，酸碱适宜的淡水水体表面；4)待所述导水布条充分吸水以后，取泥炭藓种苗，以适当的密度种到泥炭藓中，进行生长。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述漂浮培养装置可在承载所种泥炭藓的重量漂浮在水面上，装置周围有一定围挡；和/或，所述辅助漂浮材料为浮板、空心管、竹筒、泡沫板、轻木；和/或，所述每个培养小室或底部透水培养盆的边长或直径大小为5
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20cm，小室或底部透水培养盆的深度为8
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20cm。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述每个培养小室或底部透水培养盆底部至少有一个孔，孔的直径为0.4
‑
2cm；和/或，所述导水布条为上宽，下窄型、倒三角形、上正方形，下长方形；和/或，所述导水布条在水中的长度>2cm，所述导水布条在培养小室或底部透水培养盆中的部分可以平铺在培养容器底部，以能够布满1/2以上的面积为宜。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述干泥炭藓的厚度为1
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8cm；和/或，所述干泥炭藓必须没有腐败植物体掺杂其中；和/或，所述干泥炭藓碎片的长度为1
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5cm长。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，所述一定光照为光源是白光，光强为4000
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20000LUX，光周期为昼8
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18小时/夜16
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6小时；和...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙越，薛永军，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：