一种植入式电极失效分析方法技术

技术编号:41496830 阅读:23 留言:0更新日期:2024-05-30 14:40
本发明专利技术涉及一种植入式电极失效分析方法,包括以下步骤:采集植入前电极的截面图;采集所述电极植入后在不同时间、不同位点的截面图和返回信号数据;构建图像语义分割模型分析所述初始截面图和所述植入截面图,提取所述电极金属截面的原始二值图像和植入二值图像;利用所述原始二值图像、所述植入二值图像和所述返回信号数据分析得到所述电极的失效曲线。本发明专利技术能够精确地提取脑电极截面的金属部分并分析其形貌特征,利用该形貌特征结合返回信号数据建立与脑电极失效程度的关系曲线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及植入式电极检测,特别是涉及一种植入式电极失效分析方法


技术介绍

1、人脑与电脑通过连续高通量的信息交互来实现深度融合的脑机融合技术是神经工程领域的重要发展方向,它既是神经修复最有效的工具,是目前能完全解决瘫痪、中风、帕金森等患者神经功能受损的有效手段,此外它还是全面解析认识大脑的核心关键技术。植入式神经电极是发展宽带脑机融合智能系统所不可或缺的关键界面器件,能够获取大脑皮层和深部神经集群信号,这些信号信息量大、时空分辨率高,能够实现对外部设备多自由度的实时、精确控制,在感觉反馈、语言解码等领域中具有广阔的应用前景。

2、由于机体的排斥反应和电极设计的缺陷等原因,植入性神经电极在体内收集的信号会随着植入时间而衰减,面临着电极失效的问题。电极的失效问题制约了植入式脑电极在长期应用领域的发展,是迫切需要解决的问题。


技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种植入式电极失效分析方法,能够通过对比分析植入前后电极截面微观图像形貌和返回信号数据的变化来分析预测电极失效程度。...

【技术保护点】

1.一种植入式电极失效分析方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述原始二值图像、所述植入二值图像和所述返回信号数据分析得到所述电极的失效曲线,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述利用所述图像相似度和所述返回信号数据拟合得到所述失效曲线,包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述回归模型为多项式回归模型。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述计算所述植入二值图像与所述原始二值图像的图像相似度,包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所...

【技术特征摘要】

1.一种植入式电极失效分析方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用所述原始二值图像、所述植入二值图像和所述返回信号数据分析得到所述电极的失效曲线,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述利用所述图像相似度和所述返回信号数据拟合得到所述失效曲线,包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述回归模型为多项式回归模型。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述计算所述植入二值图像与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:桂晨郑琪丹叶长青王超伦盛智伟沈俊浩吴幸毕恒昌
申请(专利权)人:华东师范大学
类型:发明
国别省市:

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