电阻加热元件及其制造方法技术

公开了一种电阻加热元件及其制造方法，包括：将碳化硅粉末放入模具中；对模具中的所述碳化硅粉末进行压片和分步煅烧，以获得初步成型的电阻材料大面积胚片；再对电阻材料进行切割和图案化处理；在电阻材料上形成第一电极和第二电极获得电阻加热元件。本申请的电阻加热元件，具有较高电阻率、熔点高、升华点高和辐射系数高等优点，克服了传统的一步成型法无法制备大面积形状复杂加热盘的技术难题，最终成型形状灵活多变可满足不同加热环境需求。形状灵活多变可满足不同加热环境需求。形状灵活多变可满足不同加热环境需求。

【技术实现步骤摘要】
电阻加热元件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及真空薄膜系统加热
，特别涉及一种电阻加热元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]真空薄膜技术是现今半导体技术中的一个重要组成部分，而真空系统用的高性能加热元件又是真空薄膜制备系统中必不可少的关键部件。目前真空薄膜技术中使用的主流加热技术方案是电阻加热元件，电阻加热材料主要包括：金属合金电阻丝和铠装电阻丝。
[0003]与金属合金电阻丝(这里指Pt合金加热丝)，铠装电阻丝相比，理论上半导体陶瓷材料会更适合用作电阻加热元件，譬如具有较高电阻率、熔点高、升华点高和辐射系数高等特点的SiC半导体陶瓷材料。但是国内的SiC电热陶瓷材料长时间无法解决致密性低、气孔率过高、放气严重和不同气氛环境下的高温化学稳定等问题，所以国内SiC电热陶瓷材料一直没有向真空薄膜
发展。此外，缺少高效可靠的成型加工技术也严重制约了SiC电热陶瓷材料向真空薄膜
的推广发展。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种电阻加热元件及其制造方法，采用SiC半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻加热元件的制造方法，其特征在于，包括：将碳化硅粉末放入模具中；对模具中的所述碳化硅粉末进行压片和分步煅烧，以获得初步成型的电阻材料大面积胚片；对电阻材料大面积胚片进行切割和图案化处理；在电阻材料上形成第一电极和第二电极获得电阻加热元件。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述模具的形状包括圆形、多边形、空心圆柱形、空心半球形。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，对电阻材料大面积胚片进行切割和图案化处理的步骤包括：通过激光束对电阻材料大面积胚片进行切割和图案化，以获得不同形状、不同绕线方式的电阻材料。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述激光束的脉冲宽度为皮秒级或飞秒级。5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述电阻加热元件的第一电极和第二电极之间，所述电阻材料采用螺旋绕线、S型...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯中沛，杨景婷，金魁，袁洁，许波，赵忠贤，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：