一种晶圆超临界干燥设备及干燥方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆超临界干燥设备及干燥方法，该设备包括：干燥桶；晶圆承载机构，用以承载晶圆；第一保护罩，其上开设有多个孔隙，晶圆承载机构在第一保护罩内；其中，干燥桶上设有进气口。本发明专利技术的干燥设备在干燥过程中，由于超临界流体不直接冲击在晶圆上，而是先经过第一保护罩，利用第一保护罩的孔隙，使得超临界流体均匀透过多孔的第一保护罩后再对晶圆进行干燥，这样可避免快速进入的超临界流体直接冲击晶圆而对晶圆造成损坏。流体直接冲击晶圆而对晶圆造成损坏。流体直接冲击晶圆而对晶圆造成损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆超临界干燥设备及干燥方法


[0001]本专利技术涉及集成电路加工
，尤其涉及一种晶圆超临界干燥设备及干燥方法。

技术介绍

[0002]目前，在集成电路加工制造的过程中，晶圆刻蚀以后需要进行湿法清洗，使用各种酸碱等处理，处理以后要用湿法清洗残留物。某些工艺，制备的高深宽比结构，有机溶剂蒸干时产生的表面张力容易把柱状结构推倒，对晶圆器件产生损伤。
[0003]超临界是指物质的压力和温度同时超过它的临界压力和临界温度的状态。在超临界状态，液相和气相之间没有区别，并且超临界流体没有表面张力，对IPA等有机溶剂溶解度极高。超临界二氧化碳的临界温度是31℃，临界气压是73atm。因此，采用超临界二氧化碳进行干燥，干燥过程中没有表面张力，可以提高芯片良率。
[0004]然而申请人发现目前采用超临界流体对晶圆进行干燥时，通入的高压气体在腔体内形成涡流等不均衡的气流导致在晶圆的不同位置有气压差，从而造成破片。基于此，有必要对此进行改进。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提出了一种晶圆超临界干燥设备及干燥本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆超临界干燥设备，其特征在于，包括：干燥桶；晶圆承载机构，其位于所述干燥桶内，所述晶圆承载机构用以承载晶圆；第一保护罩，其上开设有多个孔隙，所述晶圆承载机构在所述第一保护罩内；其中，所述干燥桶上设有进气口，从所述进气口通入的超临界流体经所述第一保护罩上的孔隙进入第一保护罩内。2.如权利要求1中所述的晶圆超临界干燥设备，其特征在于，所述晶圆承载机构包括：底座；多个支撑杆，多个所述支撑杆沿周向可拆卸固定于所述底座上，所述支撑杆上由上至下设有多个与晶圆相适配的凹槽。3.如权利要求2中所述的晶圆超临界干燥设备，其特征在于，所述干燥桶包括桶体以及盖设于桶体上的桶盖，所述进气口开设在桶盖上；还包括位于桶体内的挡板，所述挡板上端与桶盖连接、下端与多个所述支撑杆上端连接，所述第一保护罩包裹在多个所述支撑杆外周。4.如权利要求2中所述的晶圆超临界干燥设备，其特征在于，所述干燥桶包括桶体以及盖设于桶体上的桶盖，所述进气口开设在桶盖上；还包括位于桶体内的挡板，所述挡板上端与桶盖连接、下端与多个所述支撑杆上端连接；所述桶体内设有保护罩支架，所述第一保护罩包裹在保护罩支架外周，所述底座位于所述保护罩支架内，所述挡板外周与所述保护罩支架相贴合。5.如权利要求2中所述的晶圆超临界干燥设备，其特征在于，还包括位于所述干燥桶内的安装槽，所述底座两侧设有凸起，所述安装槽内壁对应所述凸起处设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡倩，杜荣欣，董红，井美艺，
申请(专利权)人：胡倩，
类型：发明
国别省市：