一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，包括由下至上依次设置的背面阴极接触层、衬底、下漂移层及上漂移层；上漂移层上方设有肖特基金属接触层及位于肖特基金属接触层外围的钝化环，上漂移层上端设有至少一个有源掺杂区以及位于有源掺杂区一侧的结终端扩展区；正面阳极金属层与钝化环的上方设有用于给芯片提供物理保护的聚酰亚胺环；聚酰亚胺环包括内环和外环，内环外环之间通过若干个连接点连接；内环包括位于正面阳极金属层上方的第一部分以及位于钝化环上方的与第一部分一体而成的第二部分；外环位于钝化环上方且其外沿与钝化层外沿一致。本实用新型专利技术肖特基势垒高度的连续变化变为可能。这样，可以通过优化漂移层的掺杂浓度找到一个合适的肖特基势垒高度，从而降低碳化硅肖特基二极管的开启电压，在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。器件的反向漏电流。器件的反向漏电流。

【技术实现步骤摘要】
一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片


[0001]本技术涉及一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片。

技术介绍

[0002]随着电力电子技术的的迅速发展,肖特基二极管(SBD)和PiN二极管为主的传统二极管己无法满足高频、大功率、低功耗的市场需求,前者击穿电压低、反向漏电大,而后者高频特性较差。由此结势垒肖特基二极管(JBS)应运而生,该结构将SBD结构和PiN结构巧妙地结合在一起,具有高耐压、低压降、小漏电、高频特性好及强抗过压和浪涌电流能力。被广泛应用于开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、变压器次级以及漏电保护(RCD)等电路中,具有巨大的应用价值和广阔的市场前景。正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。目前降低正向压降的方式一般是增大芯片面积，但这样晶圆出片数会减少，并且这种方式虽然降低了正向压降，却也增大了反向漏电流。另外，目前在框架工序、划片工序中为避免这些工序操作伤到芯片，采用聚酰亚胺膜以作保护，但二极管芯片结构上的要求使得聚酰亚胺膜不能全部覆盖钝化层，这使得部分区域成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，包括由下至上依次设置的背面阴极接触层、衬底、下漂移层及上漂移层；上漂移层上方设有肖特基金属接触层及位于肖特基金属接触层外围的钝化环，上漂移层上端设有至少一个有源掺杂区以及位于有源掺杂区一侧的结终端扩展区；肖特基金属接触层与钝化环的上方设有正面阳极金属层，正面阳极金属层其沿芯片芯面方向的两端与钝化层的最外沿设有间距；正面阳极金属层与钝化环的上方设有用于给芯片提供物理保护的聚酰亚胺环；聚酰亚胺环包括内环和外环，内环外环之间通过若干个连接点连接；内环包括位于正面阳极金属层上方的第一部分以及位于钝化环上方的与第一部分一体而成的第二部分；外环位于钝化环上方且其外沿与钝化层外沿一致。2.根据权利要求1所述的一种大电流低正向压降碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，所述肖特基金属接触层为铂金属接触层；所述上漂移层的掺杂浓度高于下漂移层的掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：何海洋，胡健峰，梁金，
申请(专利权)人：无锡市查奥微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：