基于n型氧化镓-p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于n型氧化镓

Schottky diode based on n-type gallium oxide-p-type diamond and its preparation method

The invention relates to a method based on n-type gallium oxide

【技术实现步骤摘要】
基于n型氧化镓
‑
p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子领域，具体涉及一种基于n型氧化镓
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p型金刚石的肖特基二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]电力电子器件发展至今已逾数十年，新型功率器件以及相关半导体材料研究不断推进功率器件向高电压、大电场、低功耗方向发展。半导体材料的应用已经从第一代以硅为主的半导体逐渐转变为包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)以及金刚石等第三代半导体材料。
[0003]与前两代半导体相比，Ga2O3材料拥有更宽的禁带宽度、更高的热导率、更大的击穿场强等优点；其中β
‑
Ga2O3的禁带宽度约为4.9eV，理论击穿场强可以达到8MeV/cm，加上其拥有良好的导电性能、发光特性以及稳定的物理化学性质，非常适合制作高压功率电力电子器件。然而，目前关于商用的氧化镓材料β
‑
Ga2O3的研究主要集中在材料的生长，β
‑
Ga2O3材料具有很高的空穴有效质量，极易引入氧空位与缺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于n型氧化镓
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p型金刚石的肖特基二极管，其特征在于，包括：n型氧化镓衬底(1)、n型氧化镓外延层(2)、p型金刚石结区(3)、阳极(4)、绝缘介质(5)和阴极(6)，其中，所述阴极(6)、所述n型氧化镓衬底(1)、所述n型氧化镓外延层(2)依次层叠；所述p型金刚石结区(3)分布在所述n型氧化镓外延层(2)的表层中，形成终端结构；所述阳极(4)位于所述n型氧化镓外延层(2)上，且其两个端部分别与所述p型金刚石结区(3)部分交叠；所述绝缘介质(5)位于所述n型氧化镓外延层(2)上，且与所述阳极(4)的两端相接触。2.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓
‑
p型金刚石的肖特基二极管，其特征在于，所述n型氧化镓衬底(1)的掺杂浓度为10
18
～10
20
cm
‑3，厚度为80～100μm。3.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓
‑
p型金刚石的肖特基二极管，其特征在于，所述n型氧化镓外延层(2)的掺杂离子包括Si离子、Sn离子中的一种或多种，掺杂浓度为10
15
～10
16
cm
‑3，厚度为120～200μm。4.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓
‑
p型金刚石的肖特基二极管，其特征在于，所述p型金刚石结区(3)的掺杂元素包括硼，掺杂浓度为10
18
～10
20
cm
‑3，厚度为20～50μm。5.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓
‑
p型金刚石的肖特基二极管，其特征在于，所述p型金刚石结区(3)包括至少两个结区，所述至少两个结区分布在所述n型氧化镓外延层(2)的表层中，且所述阳极(4)的两端与所述结区部分交叠。6.根据权利要求1所述的基于n型氧化镓
‑
p型金刚...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，侯斌，常青原，武玫，杨凌，张濛，朱青，宓珉瀚，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：